Patent search ap:("株式会社东芝") AND inv:"青木秀夫" Page 1

1.

发明授权
半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN100405591C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200510053691.2

申请日：2005-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 青木秀夫 , 杉崎吉昭 , 山口直子 , 田窪知章

IPC: H01L23/48 , H01L23/52 , H01L25/00 , H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49883 , H01L21/4867 , H01L21/563 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L24/98 , H01L25/0655 , H01L2224/0401 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/1134 , H01L2224/1146 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14135 , H01L2224/14156 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/81026 , H01L2224/81097 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/814 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/818 , H01L2224/83886 , H01L2224/92125 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/05599

Abstract: 倘采用本发明的一个形态，则可以提供一种半导体器件，该半导体器件的特征在于具备：具备布线和电极的布线基板；装载到上述布线基板上边，在表面上形成了多个连接电极的半导体元件；以及介于上述布线基板上边的电极与上述半导体元件的连接电极之间，把它们连接起来的金属微粒凝集结合起来的金属层。

2.

发明授权
半导体测试装置失效

公开(公告)号：CN1215545C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03108392.7

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口直子 , 杉崎吉昭 , 青木秀夫 , 平冈俊郎 , 堀田康之 , 青竹茂 , 泽登美纱

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2886 , G01R31/2863

Abstract: 提供能够保持良好的电接触来进行具有微细电极构造的被测试电子部件的测试的半导体测试装置、半导体器件测试用接触基板、半导体器件的测试方法及半导体器件的制造方法。该半导体测试装置包括：测试电路(13)，将测试信号输入输出到被测试电子部件；测试信号布线(12)，与该测试电路电连接；接触基板(5)，与被测试电子部件的电极电连接，配有传送测试信号的导电通路(6)，设置有用绝缘性材料形成的、有上表面和下表面的至少一个以上的通孔；多层布线基板(7)，与导电通路和测试信号布线电连接，配置有在接触基板的下表面上的至少一个以上的通孔(9)；以及吸附机构(11)，吸附并保持被测试电子部件、接触基板、以及多层布线基板。

3.

发明公开
含有金属微粒的树脂颗粒、树脂层、其形成方法以及电路基板无效

公开(公告)号：CN1649471A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410103438.9

申请日：2004-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 青木秀夫 , 山口直子 , 田窪知章

IPC: H05K1/09 , H05K3/10

CPC classification number: H05K3/207 , H05K1/095 , H05K3/1266 , H05K2201/0212 , H05K2201/0215 , H05K2203/0517 , Y10T428/12535 , Y10T428/12556 , Y10T428/12569 , Y10T428/256 , Y10T428/2991 , Y10T428/2998

Abstract: 本发明提供一种在树脂基体中分散了金属微粒的、形成导体图案用的含金属微粒的树脂颗粒，其特征为所述金属微粒的含量为小于等于总体的70重量％。

4.

发明公开
布线基板、布线基板的制造装置和布线基板的制造方法无效

公开(公告)号：CN1578597A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410070731.X

申请日：2004-07-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 青木秀夫 , 山口直子 , 田窪知章

IPC: H05K3/12 , H05K3/46

CPC classification number: H05K3/246 , B32B27/06 , B32B27/18 , G03G15/224 , G03G15/225 , G03G15/6585 , G03G15/6591 , H05K3/1266 , H05K3/428 , H05K3/4647 , H05K3/4664 , H05K2201/0215 , H05K2201/0347 , H05K2203/0517 , Y10T428/24917

Abstract: 一种借助于把可视像复制到基板上的电子照相方式形成的布线基板，具备：复制可视像的基板；在上述基板上选择性地形成，分散含有金属微粒的非导电性的金属含有树脂层；在上述金属含有树脂层上形成的导电性的导电金属层；在上述基板上的金属含有树脂层之间形成的树脂层。

5.

发明公开
半导体装置有权转让

公开(公告)号：CN104916598A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410454214.6

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 铃谷信人 , 中村三昌 , 尾山胜彦 , 川村英树 , 青木秀夫

IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/16

CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种减少基板上的配线间的串扰的半导体装置。实施方式的半导体装置具备绝缘基板、第1、第2半导体芯片、多个连接端子、外部端子、多个连接构件、多条数据信号配线、及导体层。绝缘基板具有第1及第2主面。第1半导体芯片配置在第1主面上。第2半导体芯片配置在第1半导体芯片上，且控制该第1半导体芯片。多个连接端子配置在第1主面上。外部端子配置在第2主面上。多条数据信号配线具有：一端，其连接于多个连接端子的任一者；另一端，其连接于第1半导体芯片或外部端子；及中间部，其在第1主面上的特定的区域内相互邻接而配置。导体层间隔地覆盖特定的区域，且具有导电性及顺磁性。

6.

发明公开
半导体装置的制造方法失效转让

公开(公告)号：CN102593012A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110007830.3

申请日：2011-01-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 青木秀夫 , 福田昌利 , 泽田佳奈子 , 小盐康弘

IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , B23K1/00

CPC classification number: H01L24/75 , H01L24/81

Abstract: 根据本发明的一实施方式的半导体装置的制造方法，在使第1焊料凸块和第2焊料凸块对位并接触后，加热至焊料凸块的熔点以上的温度而使它们熔化，从而形成第1焊料凸块和第2焊料凸块的临时连接体。将冷却后的临时连接体在还原性气氛中加热至焊料凸块的熔点以上的温度，将存在于临时连接体表面上的氧化膜除去，同时使临时连接体熔化，从而形成正式连接体。

7.

发明授权
电子电路的制造方法和电子电路基板失效

公开(公告)号：CN100421533C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200410101778.8

申请日：2004-12-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口直子 , 青木秀夫 , 田窪知章

IPC: H05K3/12 , H05K1/16

CPC classification number: H05K3/207 , G03G15/224 , G03G15/225 , G03G15/6585 , G03G15/6591 , H05K3/1266 , H05K3/246 , H05K3/4664 , H05K2201/0212 , H05K2201/0215 , H05K2201/0347 , H05K2203/0517

Abstract: 按照本发明的一个形态，提供下述的电子电路的制造方法：以堆叠树脂层的方式反复进行多次树脂层形成工序，在基体构件上形成全部的上述树脂层一体化了的、具有预定的厚度的树脂层，上述的树脂层形成工序具备下述工序：使感光体的表面带电的工序；在已带电的感光体的表面上形成预定的图形的静电潜像的工序；在形成了上述静电潜像的上述感光体的表面上以静电的方式附着由树脂构成的荷电粒子以形成可视像的工序；将在上述感光体的表面上形成的由上述荷电粒子构成的可视像复制到基体构件上的工序；以及使已复制到上述基体构件上的上述可视像在上述基体构件上进行定影从而在上述基体构件上形成树脂层的工序。

8.

发明公开
晶片支持板、薄膜晶片的保持方法和半导体器件的制造方法失效转让复审申请

公开(公告)号：CN1747154A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510102579.3

申请日：2005-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原田享 , 田窪知章 , 高桥健司 , 青木秀夫 , 沼田英夫 , 金子尚史 , 江泽弘和 , 松尾美惠 , 池上浩 , 大村一郎

IPC: H01L23/00 , H01L21/00 , H01L25/065

CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898

Abstract: 晶片支持板由紫外线可透过的玻璃或树脂形成为大致圆板状，其外径比要支持的半导体晶片的外径大。在晶片支持板上，与在半导体晶片上形成的多个贯通孔相对应地形成有多个开口。这些开口的开口面积比贯通孔的开口面积更宽广，即，开口直径更大。

9.

发明公开
有机半导体元件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1713407A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510077091.X

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田窪知章 , 青木秀夫 , 山口直子

IPC: H01L51/00 , H01L51/20 , H01L51/40 , H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0015 , H01L51/0003 , H01L51/0017 , H01L51/0541 , H01L51/0545

Abstract: 本发明提供一种有机半导体元件，具备有机半导体层，和向该有机半导体层供给电流或电场的电极。有机半导体层由有机半导体粒子的热熔粘层构成。有机半导体粒子的热熔粘层，例如采用电子照相方式使有机半导体粒子附着在成为衬底的层上后，通过加热该有机半导体粒子的附着层而使其热熔粘而形成。采用如此的有机半导体元件及其制造方法，能够在不损伤元件结构的微细化或利用直接描绘的低成本性等的情况下，提高元件制造效率。