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公开(公告)号：CN117203696A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280028422.2
申请日：2022-04-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3233
Abstract: 提供一种新颖的显示装置。一种显示装置，该显示装置包括具有驱动电路的第一层、具有多个像素电路的第二层及具有多个发光元件的第三层，在第一层上设置第二层，在第二层上设置第三层，在驱动电路与多个像素电路之间设置导电层。驱动电路具有控制多个像素电路的工作的功能。多个像素电路之一与多个发光元件之一电连接。像素电路具有控制发光元件的发光亮度的功能。
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公开(公告)号：CN114303315A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080058947.1
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的比较电路、新颖的放大电路、新颖的电池控制电路、新颖的电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电器等。第一晶体管的源极及漏极中的一个与第二晶体管的源极及漏极中的一个及第三晶体管的源极及漏极中的一个电连接，第三晶体管的源极及漏极中的另一个与第一输出端子电连接，第二晶体管的源极及漏极中的另一个与第二输出端子电连接，该半导体装置具有从第一输出端子及第二输出端子输出供应到第二晶体管的栅极的信号和供应到第三晶体管的栅极的信号的比较结果的功能，并且该半导体装置具有根据供应到第一晶体管的背栅极的电位而改变从第一输出端子输出的电位的功能。
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公开(公告)号：CN113892109A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080038792.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/60 , G06N3/063 , H01L29/786
Abstract: 提供一种功耗低且具有耐高温性高的半导体装置。本发明是包括第一电路、第二电路、第一单元、第二单元、第一布线以及第二布线的半导体装置。第一单元包括第一晶体管，第二单元包括第二晶体管。第一晶体管、第二晶体管在亚阈值区域中工作。第一单元通过第一布线与第一电路电连接，第一单元通过第二布线与第二电路电连接，第二单元通过第二布线与第二电路电连接。第一单元将流过第一晶体管的电流编程为第一电流，第二单元将流过第二晶体管的电流编程为第二电流。此时，对应于第二电流的电位从第二布线输入到第一单元。接着，通过从第二电路使第三电流流过来改变第二布线的电位，第一单元输出对应于该电位的变化量和第一电流的第四电流。
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公开(公告)号：CN113196666A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980082466.1
申请日：2019-12-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/00 , H03K19/0175 , H03K19/094
Abstract: 提供一种使用单极晶体管的半导体装置，其中稳态电流没有流过且可以利用高电源电位及低电源电位表示高电平或低电平。半导体装置包括第一至第四晶体管、第一及第二电容元件、第一及第二布线、第一及第二输入端子以及输出端子。第四晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接，第四晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个、第二电容元件的一个端子以及第三晶体管的栅极电连接。第四晶体管的栅极与第一输入端子、第一电容元件的一个端子以及第一晶体管的栅极电连接，第二晶体管的栅极与第二输入端子电连接。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第一电容元件的另一个端子、第二电容元件的另一个端子、第三晶体管的源极和漏极中的一个以及输出端子电连接。第二晶体管的源极和漏极中的另一个以及第三晶体管的源极和漏极中的另一个与第二布线电连接。
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公开(公告)号：CN113169546A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980081413.8
申请日：2019-12-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 防止在过放电状态下因关态泄漏电流导致的急速劣化。为了避免电池成为过放电状态，利用使用氧化物半导体的晶体管构成低泄漏电流的控制电路，从而保持二次电池的特性。另外，构成控制信号生成电路也一体化的系统。通过该系统结构，根据过放电检测后的电路工作使控制电路进入低功耗模式。此外，当从过放电状态恢复时，根据充电开始时的电压上升使控制电路进入通常工作模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111373476A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880075638.8
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/408 , G11C7/04 , H01L21/8242 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种同时实现高温下的保持工作和低温下的高速工作的存储装置。该存储装置包括驱动器电路以及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。当晶体管包括第一栅极及第二栅极时，驱动器电路具有驱动第二栅极的功能，在存储单元保持数据的期间，驱动器电路将与存储装置的温度或存储装置被设置的环境的温度对应的电位输出到第二栅极。
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公开(公告)号：CN104979369B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510377722.3
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H04N5/361
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 半导体器件及其制造方法。在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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公开(公告)号：CN102792677B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180012932.2
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/361 , H01L27/146 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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公开(公告)号：CN101140796B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200710149734.6
申请日：2007-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C17/12 , G11C7/12 , G11C16/0416 , H01L27/112 , H01L27/12 , H01L27/1214
Abstract: 谋求如无线芯片那样具有CPU和存储器的半导体装置的低功耗化。存储电路包括多个字线、多个位线、以及多个存储单元。根据存储于存储单元的数据(“高电平”或“低电平”)决定多个存储单元的结构。预先分析存储于存储电路中的程序等的数据排列。当数据包含较多的“高电平”时，通过使用不形成半导体元件的空单元来形成存储“高电平”的存储单元。
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公开(公告)号：CN102804380A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201180013659.5
申请日：2011-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H01L29/786 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14643 , G02F1/1362 , G02F2001/13312 , H01L27/1225 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H04N5/378
Abstract: 本发明的一个目的为通过减小光电传感器中的晶体管的截止状态电流来实现低功耗。一种半导体装置包括：具有光电二极管、第一晶体管和第二晶体管的光电传感器；以及包括读取控制晶体管的读取控制电路，其中所述光电二极管具有向所述第一晶体管的栅极提供基于入射光的电荷的功能；所述第一晶体管具有存储提供至其栅极的电荷以及将所存储的电荷转换为输出信号的功能；所述第二晶体管具有对所述输出信号的读取进行控制的功能；所述读取控制晶体管用作将所述输出信号转换为电压信号的电阻器；且所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述读取控制晶体管的半导体层使用氧化物半导体来形成。
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