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公开(公告)号：CN102187007A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980140704.6
申请日：2009-10-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/352 , H01J37/32091 , H01J37/3408 , H01J37/3426
Abstract: 本发明提供一种可减少衬底层损伤的溅射装置、薄膜形成方法和场效应晶体管的制造方法。在本发明所述的溅射装置中，沿着排列在真空室内部的多个靶部Tc1～Tc5的排列方向依次使其产生溅射，以使在基板10的表面形成薄膜。因此本发明可以提高溅射粒子斜向射入基板表面的比例，这可有助于减少衬底层的损伤。
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公开(公告)号：CN102165569A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137848.6
申请日：2009-08-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In-Ga-Zn-O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In-Ga-Zn-O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。
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公开(公告)号：CN101567392B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910141769.4
申请日：2005-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L29/04
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11)，栅电极层(16)，以及在有源层(11)和栅电极层(16)之间所形成的栅绝缘层(15)的薄膜晶体管，栅绝缘层(15)由在有源层(11)一侧形成的第1氧化硅膜(12)、在栅电极层(16)一侧形成的第2氧化硅膜(14)，和在第1氧化硅膜(12)与第2氧化硅膜(14)之间形成的氮化硅膜(13)而形成。
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公开(公告)号：CN105575803B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610010064.9
申请日：2009-08-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/335 , H01L21/203 , H01L21/324 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In‑Ga‑Zn‑O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。
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公开(公告)号：CN102097270A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010580566.8
申请日：2010-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J23/087 , H01J37/34
Abstract: 本发明提供一种用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置，其不必更换磁铁组即可简单地改变靶的腐蚀区域，使靶的使用效率高。在溅射室内以彼此相对设置的靶朝向基板的方向为上，所述磁铁组设置在靶的下侧，在靶的上方形成隧道形的磁力线，所述述磁铁组包括：沿靶长度方向呈线状设置的中央磁铁，以及由中央磁铁两侧平行延伸的直线部和分别连接各直线部两端的拐弯部构成的无端头形状的周边磁铁，用以改变靶一侧的极性，还具有通过相对移动前述中央磁铁和周边磁铁的直线部，即可改变中央磁铁及周边磁铁彼此间隔的变更装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101657562B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200880011831.1
申请日：2008-04-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/228
Abstract: 在通过反应性溅镀形成规定的薄膜时，可使处理基板的整个面上的膜厚分布及电阻系数值等膜质大致均匀。设有：在真空容器(11)内的溅镀室内隔规定间隔并列设置的多个阴极靶(31a～31d)；可向各阴极靶提供电力的溅镀电源(E1)、(E2)；可给溅镀室导入溅镀气体及反应气体的气体导入手段(6a、6b)。导入反应气体的气体导入手段(6b)至少具有1根朝各阴极靶的并列设置方向延伸的供气管(61b)，该供气管在并列设置的各阴极靶的背面一侧与各阴极靶隔一定距离配置的同时，具有向阴极靶喷射反应气体的喷射口(610)。
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公开(公告)号：CN101657562A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880011831.1
申请日：2008-04-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/228
Abstract: 在通过反应性溅镀形成规定的薄膜时，可使处理基板的整个面上的膜厚分布及电阻系数值等膜质大致均匀。设有：在真空容器(11)内的溅镀室内隔规定间隔并列设置的多个阴极靶(31a～31d)；可向各阴极靶提供电力的溅镀电源(E1)、(E2)；可给溅镀室导入溅镀气体及反应气体的气体导入手段(6a、6b)。导入反应气体的气体导入手段(6b)至少具有1根朝各阴极靶的并列设置方向延伸的供气管(61b)，该供气管在并列设置的各阴极靶的背面一侧与各阴极靶隔一定距离配置的同时，具有向阴极靶喷射反应气体的喷射口(610)。
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公开(公告)号：CN101567392A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910141769.4
申请日：2005-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L29/04
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11)，栅电极层(16)，以及在有源层(11)和栅电极层(16)之间所形成的栅绝缘层(15)的薄膜晶体管，栅绝缘层(15)由在有源层(11)一侧形成的第1氧化硅膜(12)、在栅电极层(16)一侧形成的第2氧化硅膜(14)，和在第1氧化硅膜(12)与第2氧化硅膜(14)之间形成的氮化硅膜(13)而形成。
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公开(公告)号：CN102165569B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN200980137848.6
申请日：2009-08-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In?Ga?Zn?O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In?Ga?Zn?O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In?Ga?Zn?O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In?Ga?Zn?O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。
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公开(公告)号：CN105575803A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610010064.9
申请日：2009-08-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/335 , H01L21/203 , H01L21/324 , C23C14/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/66409 , C23C14/34 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In-Ga-Zn-O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In-Ga-Zn-O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。
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