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公开(公告)号：CN119517716A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411070191.9
申请日：2024-08-06
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种能够扩大在上部电极侧生成的等离子体的形成区域而提高处理速度的等离子体处理装置及其控制方法。本发明的一个方式的等离子体处理装置具有真空腔室、支承基板用的工作台、对置电极、谐振电路。上述工作台配置在上述真空腔室的内部，与供给第一频率的高频电力的第一高频电源电路连接。上述对置电极与上述工作台相对配置，与供给第二频率的高频电力的第二高频电源电路连接。上述谐振电路使来自上述对置电极的上述第二频率的高频电流通过。
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公开(公告)号：CN101785088B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200880102192.X
申请日：2008-08-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , C23C14/35
CPC classification number: H01L21/30655 , C23C14/022 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/354 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3266
Abstract: 本发明提供一种等离子处理方法和等离子处理装置，其具有较高的保护膜覆盖性，而且具有良好的加工表面内均等性。用等离子将从靶材(31)中撞出的溅射粒子沉积在基板(W)的表面上时，会用等离子分解该溅射粒子，并生成活性物质之后将其沉积在基板表面上，由此可获得与等离子CVD加工类似的成膜状态，并可使其成为覆盖性高、加工表面内均等性良好的溅射成膜。尤其由于等离子源中使用了高频电场和磁中性环路(25)，所以可在磁场强度为0的区域高效地产生高密度等离子。通过随意调整磁中性环路的位置及大小，用该等离子可以实现加工表面内均等性较高的等离子处理。
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公开(公告)号：CN102549725A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080044693.4
申请日：2010-08-23
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 森川泰宏
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3266 , C23F4/00 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J2237/334
Abstract: 通过等离子对基板(S)进行蚀刻的等离子蚀刻装置(10)包括磁场形成部(32u，m，b；33u，m，b)，磁场形成部具有同心配置的至少3段的磁场线圈(32u，m，b)，在中段的磁场线圈的内侧形成沿着该磁场线圈的圆周方向的环状的零磁场区域(ZMF)。包括顶部(12)的腔主体(11，12)被内插在磁场线圈的内侧，腔主体的内部包含零磁场区域(ZMF)，并且在该零磁场区域的下方收纳基板(S)。气体供给部(50)向腔主体的内部供给蚀刻气体。高频天线(30)在零磁场区域(ZMF)形成感应电场，生成蚀刻气体的等离子。电极(31)被配置在腔主体的顶部(12)上方，与在腔主体内生成的等离子静电耦合。
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公开(公告)号：CN102473633A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080035963.5
申请日：2010-08-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，可对由硅构成的被处理体形成想要的纵横比及形状的沟道或通孔。具有使用含卤化氢气体的蚀刻工序，其向真空腔(1)内导入含卤化氢气体蚀刻硅基板(9)；使用含氟气体的蚀刻工序，其向真空腔(1)内导入含氟气体蚀刻硅基板(9)；保护膜形成工序，其溅镀浮动电极(15)，在硅基板(9)上形成保护膜；保护膜去除工序，其将高频偏压功率施加给基板电极(8)，去除保护膜的一部分，将使用含氟气体的蚀刻工序、保护膜形成工序及保护膜去除工序以此顺序重复进行。
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公开(公告)号：CN101512735A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033218.5
申请日：2007-09-05
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01J37/321 , C03C15/00 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/3266 , H01J37/32706 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种干蚀刻装置及方法，在干蚀刻热膨胀系数大的被加工物时，可消除因蚀刻中受到的热变形、热冲击造成的被加工物的开裂。该干蚀刻装置设置了具有凸型形状的表面的电极结构体，该凸型形状是与电极结构体的横截面为同心圆的凸型形状，该凸型形状的高度为0.2mm～1.0mm。使用该干蚀刻装置，蚀刻由热膨胀系数为30×10－7/℃以上的材料构成的被加工物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1977362A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580021792.X
申请日：2005-06-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , B81C1/00595 , B81C2201/014 , H01J37/3255 , H01J2237/334
Abstract: 一种适用于产生对于掩膜的高选择性、出色的各向异性外形和大的蚀刻深度的蚀刻方法和蚀刻系统。依据本发明的蚀刻系统包括：设置成对着真空室内的基片电极并且在电势方面保持浮动状态的浮动电极，设置在该浮动电极面对着基片电极的一侧上的用来形成抗蚀刻膜的材料，以及用于间歇地对该浮动电极施加高频功率的控制单元。依据本发明的蚀刻方法使用设置在浮动电极对着基片电极一侧上的用来形成做为靶的抗蚀刻膜的材料，并且只把稀有气体作为主气体，该方法适用于按预定顺序重复地进行借助于对该浮动电极施加高频功率通过溅射在基片上形成膜的步骤，以及接着随后的通过暂停对该浮动电极施加高频功率并把蚀刻气体引入到真空室中而蚀刻基片的步骤。
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公开(公告)号：CN102549725B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201080044693.4
申请日：2010-08-23
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 森川泰宏
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3266 , C23F4/00 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J2237/334
Abstract: 通过等离子对基板(S)进行蚀刻的等离子蚀刻装置(10)包括磁场形成部(32u，m，b；33u，m，b)，磁场形成部具有同心配置的至少3段的磁场线圈(32u，m，b)，在中段的磁场线圈的内侧形成沿着该磁场线圈的圆周方向的环状的零磁场区域(ZMF)。包括顶部(12)的腔主体(11，12)被内插在磁场线圈的内侧，腔主体的内部包含零磁场区域(ZMF)，并且在该零磁场区域的下方收纳基板(S)。气体供给部(50)向腔主体的内部供给蚀刻气体。高频天线(30)在零磁场区域(ZMF)形成感应电场，生成蚀刻气体的等离子。电极(31)被配置在腔主体的顶部(12)上方，与在腔主体内生成的等离子静电耦合。
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公开(公告)号：CN102473633B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201080035963.5
申请日：2010-08-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，可对由硅构成的被处理体形成想要的纵横比及形状的沟道或通孔。具有使用含卤化氢气体的蚀刻工序，其向真空腔(1)内导入含卤化氢气体蚀刻硅基板(9)；使用含氟气体的蚀刻工序，其向真空腔(1)内导入含氟气体蚀刻硅基板(9)；保护膜形成工序，其溅镀浮动电极(15)，在硅基板(9)上形成保护膜；保护膜去除工序，其将高频偏压功率施加给基板电极(8)，去除保护膜的一部分，将使用含氟气体的蚀刻工序、保护膜形成工序及保护膜去除工序以此顺序重复进行。
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公开(公告)号：CN101454878B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200780018998.6
申请日：2007-05-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76802
Abstract: 本发明涉及层间绝缘膜的干式蚀刻方法，其通过蚀刻气体，一边在设在层间绝缘膜上的ArF抗蚀剂或KrF抗蚀剂上形成聚合物膜，一边对层间绝缘膜进行微细加工，其特征在于，在0.5Pa以下的压力下导入上述蚀刻气体，一边形成聚合物膜，一边进行蚀刻；所述聚合物膜的采用傅立叶变换红外分光光度计测定的光谱中，在1200cm-1附近有C-F键的峰、在1600cm-1附近有C-N键的峰和在3300cm-1附近有C-H键的峰。
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公开(公告)号：CN101512736A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033651.9
申请日：2007-09-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3266 , H01J37/32091 , H01J37/32642 , H01J2237/334
Abstract: 本发明提供在干式蚀刻工艺中可以降低蚀刻生成物、谋求改善蚀刻对象物的面内均匀性的干式蚀刻方法。使用在电极的上表面的周边部分设置至少具有由含钇氧化物构成的表面层的电极压紧构件的电极，将基板载置在电极上，控制来自电极周边部分的蚀刻生成物而进行干式蚀刻。
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