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公开(公告)号：CN115249614A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210440462.X
申请日：2022-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻方法。本发明的蚀刻方法具有：抗蚀剂图案形成工序，在被处理体上对由树脂构成的抗蚀剂层形成抗蚀剂图案；蚀刻工序，经由具有所述抗蚀剂图案的所述抗蚀剂层对所述被处理体进行蚀刻；以及抗蚀剂保护膜形成工序，在所述抗蚀剂层上形成抗蚀剂保护膜。反复进行多次所述蚀刻工序。在反复进行多次所述蚀刻工序之后，进行所述抗蚀剂保护膜形成工序。
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公开(公告)号：CN109479375A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780040084.3
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明涉及一种布线基板的加工方法，所述布线基板包括在基板上局部配置的导体部被树脂部包覆的结构，所述树脂部是成为填料的无机材料分散于有机材料而成，所述布线基板的加工方法使用灰化法，从所述树脂部的表层侧去除所述有机材料，使用湿式清洗法，对残留于所述有机材料被去除后的树脂部的表层侧的所述无机材料进行去除。
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公开(公告)号：CN101960569B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200980107160.3
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/34 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/30655
Abstract: 本发明提供一种等离子处理方法，其可优化蚀刻条件，从而可以保持开始蚀刻处理到结束时的加工表面内分布的均等性。在本发明的等离子处理方法中，反复交替进行用形成在真空槽(21)中的等离子对表面形成有掩膜图案的基板W进行蚀刻处理的工序，和用等离子对设置在真空槽(21)内的靶材(30)进行溅射加工，并且在形成在基板W上的蚀刻图案的侧表面上形成保护膜的工序。在上述等离子处理方法中，在包括对基板W进行蚀刻处理和形成保护膜处理的等离子处理过程中，根据处理的进展程度改变磁中性线(25)的半径。从而在等离子处理从开始到结束时可保持具有均等的加工表面内分布状态。
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公开(公告)号：CN101512735B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200780033218.5
申请日：2007-09-05
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01J37/321 , C03C15/00 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/3266 , H01J37/32706 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种干蚀刻装置及方法，在干蚀刻热膨胀系数大的被加工物时，可消除因蚀刻中受到的热变形、热冲击造成的被加工物的开裂。该干蚀刻装置设置了具有凸型形状的表面的电极结构体，该凸型形状是与电极结构体的横截面为同心圆的凸型形状，该凸型形状的高度为0.2mm～1.0mm。使用该干蚀刻装置，蚀刻由热膨胀系数为30×10-7/℃以上的材料构成的被加工物。
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公开(公告)号：CN117293007A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310741171.9
申请日：2023-06-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开等离子体处理装置及等离子体处理方法。等离子体处理装置具备腔室、内部电极、外部电极、等离子体生成电源和气体导入部。等离子体生成电源对外部电极施加规定频率的交流电。外部电极具有第一电极、第二电极和第三电极。等离子体生成电源具有第一高频电源、第二高频电源和电力分配器。第一高频电源对第一电极及第二电极施加第一频率λ1的交流电。第二高频电源对第三电极施加第二频率λ2的交流电。第一频率λ1与第二频率λ2的关系满足λ1＞λ2的关系。电力分配器被构造为将待施加于第一电极及第二电极的交流电以规定的分配比分配给第一电极及第二电极中的每一个电极，并且将分配后的交流电施加到第一电极及第二电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109479375B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201780040084.3
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明涉及一种布线基板的加工方法，所述布线基板包括在基板上局部配置的导体部被树脂部包覆的结构，所述树脂部是成为填料的无机材料分散于有机材料而成，所述布线基板的加工方法使用灰化法，从所述树脂部的表层侧去除所述有机材料，使用湿式清洗法，对残留于所述有机材料被去除后的树脂部的表层侧的所述无机材料进行去除。
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公开(公告)号：CN106463393B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201680001490.4
申请日：2016-01-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/321 , H01J17/04 , H01J37/32568 , H01J2237/0206 , H01L21/3065 , H05H1/38 , H05H1/46 , H05H2001/2468 , H05H2001/4652 , H05H2001/4667 , H05H2001/469
Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：腔室，其内部能够进行减压，在所述内部能够对被处理体进行等离子体处理；平板状的第一电极，配设于所述腔室内，载置所述被处理体；第一高频电源，对所述第一电极施加第一频率的偏置电压；螺旋状的第二电极，配置于所述腔室外，以隔着形成所述腔室的上盖的石英板而与所述第一电极对置的方式配置；以及气体导入单元，将含有氟的工艺气体从在所述上盖或其附近配置的气体导入口导入到所述腔室内，针对所述第二电极，电连接有施加第二频率的交流电压的第二高频电源和施加比所述第二频率高的第三频率的交流电压的第三高频电源，同时施加两种交流电压。
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公开(公告)号：CN101652841B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200880011651.3
申请日：2008-04-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种既可防止绝缘层产生缺口又可进行高精度的细微加工的干蚀刻方法。该干蚀刻方法为：准备基板，其中，在由硅氧化物构成的绝缘层(23)上形成有半导体层(21)；在半导体层上形成通孔；对绝缘层中从通孔(25)露出的区域进行蚀刻，在绝缘层上形成凹处(26)，同时在通孔和凹处的侧壁上形成树脂膜(27)。通过在凹处的侧壁上形成树脂膜，可保护凹处的侧壁不受等离子体中的离子的碰撞作用，防止凹处侧壁产生缺口；通过在通孔的侧壁上形成树脂膜，可保护通孔的侧壁不受等离子体中的离子的碰撞作用，防止通孔的孔形状发生变化。
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公开(公告)号：CN101960569A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107160.3
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/34 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/30655
Abstract: 本发明提供一种等离子处理方法，其可优化蚀刻条件，从而可以保持开始蚀刻处理到结束时的加工表面内分布的均等性。在本发明的等离子处理方法中，反复交替进行用形成在真空槽(21)中的等离子对表面形成有掩膜图案的基板W进行蚀刻处理的工序，和用等离子对设置在真空槽(21)内的靶材(30)进行溅射加工，并且在形成在基板W上的蚀刻图案的侧表面上形成保护膜的工序。在上述等离子处理方法中，在包括对基板W进行蚀刻处理和形成保护膜处理的等离子处理过程中，根据处理的进展程度改变磁中性线(25)的半径。从而在等离子处理从开始到结束时可保持具有均等的加工表面内分布状态。
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公开(公告)号：CN101652841A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880011651.3
申请日：2008-04-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种既可防止绝缘层产生缺口又可进行高精度的细微加工的干蚀刻方法。该干蚀刻方法为：准备基板，其中，在由硅氧化物构成的绝缘层(23)上形成有半导体层(21)；在半导体层上形成通孔；对绝缘层中从通孔(25)露出的区域进行蚀刻，在绝缘层上形成凹处(26)，同时在通孔和凹处的侧壁上形成树脂膜(27)。通过在凹处的侧壁上形成树脂膜，可保护凹处的侧壁不受等离子体中的离子的碰撞作用，防止凹处侧壁产生缺口；通过在通孔的侧壁上形成树脂膜，可保护通孔的侧壁不受等离子体中的离子的碰撞作用，防止通孔的孔形状发生变化。
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