公开(公告)号：CN101512736A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780033651.9

申请日：2007-09-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森川泰宏 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/334

Abstract: 本发明提供在干式蚀刻工艺中可以降低蚀刻生成物、谋求改善蚀刻对象物的面内均匀性的干式蚀刻方法。使用在电极的上表面的周边部分设置至少具有由含钇氧化物构成的表面层的电极压紧构件的电极，将基板载置在电极上，控制来自电极周边部分的蚀刻生成物而进行干式蚀刻。

公开(公告)号：CN100435294C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200480024317.3

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 西冈浩 ,  梶沼雅彦 ,  山田贵一 ,  增田健 ,  植松正纪 ,  邹红罡

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/4482 ,  C23C16/409 ,  C23C16/452 ,  H01L21/3165

Abstract: 本发明涉及氧化物薄膜制造方法及其制造装置。本发明是通过实现氧化物薄膜的氧缺损的降低和外延生长的促进，制造有优异特性的氧化物薄膜的薄膜制造方法，通过利用加热手段维持在不引起原料的液化、析出、成膜的温度的气体活化手段由喷射板向反应室内的加热基板上供给原料气、载气及氧化气体混合得到的混合气进行反应，在基板上制造氧化物薄膜。此时，按混合气基准使氧化气体的比例为大于等于60%。另外，使形成核形成的初期层的场合，其成膜工艺中的氧化气体流量比例不足60%，使其后的成膜工艺中的氧化气体流量比例为大于等于60%进行制造。此外，在氧化物薄膜制造装置中，在混合器与喷射板之间具有加热手段。

公开(公告)号：CN101111929A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200680003328.2

申请日：2006-01-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小风丰 ,  植田昌久 ,  远藤光广 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供了一种适合微细化的蚀刻技术。在基板10上按顺序叠层了下部电极膜12、电介质膜13和上部电极膜14的处理对象物5上形成无机质膜15，在其表面上配置图案化的有机抗蚀剂膜20，在以有机抗蚀剂膜20作为掩模，蚀刻无机质膜15、上部电极膜14和电介质膜13之后，以蚀刻下部电极膜12的气体，除去有机抗蚀剂膜20，同时以已露出的无机质膜15作为掩模，蚀刻下部电极膜12。由于不重新形成将作为掩模的膜，因此可以优良的精度制作微细图案。

公开(公告)号：CN101785088B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200880102192.X

申请日：2008-08-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森川泰宏 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01L21/30655 ,  C23C14/022 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/354 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3266

Abstract: 本发明提供一种等离子处理方法和等离子处理装置，其具有较高的保护膜覆盖性，而且具有良好的加工表面内均等性。用等离子将从靶材(31)中撞出的溅射粒子沉积在基板(W)的表面上时，会用等离子分解该溅射粒子，并生成活性物质之后将其沉积在基板表面上，由此可获得与等离子CVD加工类似的成膜状态，并可使其成为覆盖性高、加工表面内均等性良好的溅射成膜。尤其由于等离子源中使用了高频电场和磁中性环路(25)，所以可在磁场强度为0的区域高效地产生高密度等离子。通过随意调整磁中性环路的位置及大小，用该等离子可以实现加工表面内均等性较高的等离子处理。

公开(公告)号：CN101689496A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200780036833.1

申请日：2007-12-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 植田昌久 ,  栗本孝志 ,  石川道夫 ,  邹红罡 ,  余吾锐哉

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种防止处理效率下降的灰化装置。喷板(31)朝向保持基底(W)的基底台(20)，并且使供给至腔室(11)的氧自由基扩散。设在喷板(31)和基底台(20)之间的金属阻挡板(34)包括氧自由基穿过的通孔(41)。金属阻挡板的朝向基底(W)的表面上还包括第一层(34b)，所述第一层由与从所述基底曝露的金属种类相同的金属构成。

公开(公告)号：CN101512735A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780033218.5

申请日：2007-09-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森川泰宏 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065 ,  C01B33/12 ,  C03C15/00 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321 ,  C03C15/00 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种干蚀刻装置及方法，在干蚀刻热膨胀系数大的被加工物时，可消除因蚀刻中受到的热变形、热冲击造成的被加工物的开裂。该干蚀刻装置设置了具有凸型形状的表面的电极结构体，该凸型形状是与电极结构体的横截面为同心圆的凸型形状，该凸型形状的高度为0.2mm～1.0mm。使用该干蚀刻装置，蚀刻由热膨胀系数为30×10－7/℃以上的材料构成的被加工物。

公开(公告)号：CN1977362A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200580021792.X

申请日：2005-06-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森川泰宏 ,  林俊雄 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/014 ,  H01J37/3255 ,  H01J2237/334

Abstract: 一种适用于产生对于掩膜的高选择性、出色的各向异性外形和大的蚀刻深度的蚀刻方法和蚀刻系统。依据本发明的蚀刻系统包括：设置成对着真空室内的基片电极并且在电势方面保持浮动状态的浮动电极，设置在该浮动电极面对着基片电极的一侧上的用来形成抗蚀刻膜的材料，以及用于间歇地对该浮动电极施加高频功率的控制单元。依据本发明的蚀刻方法使用设置在浮动电极对着基片电极一侧上的用来形成做为靶的抗蚀刻膜的材料，并且只把稀有气体作为主气体，该方法适用于按预定顺序重复地进行借助于对该浮动电极施加高频功率通过溅射在基片上形成膜的步骤，以及接着随后的通过暂停对该浮动电极施加高频功率并把蚀刻气体引入到真空室中而蚀刻基片的步骤。

公开(公告)号：CN101512735B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200780033218.5

申请日：2007-09-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森川泰宏 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065 ,  C01B33/12 ,  C03C15/00 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321 ,  C03C15/00 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种干蚀刻装置及方法，在干蚀刻热膨胀系数大的被加工物时，可消除因蚀刻中受到的热变形、热冲击造成的被加工物的开裂。该干蚀刻装置设置了具有凸型形状的表面的电极结构体，该凸型形状是与电极结构体的横截面为同心圆的凸型形状，该凸型形状的高度为0.2mm～1.0mm。使用该干蚀刻装置，蚀刻由热膨胀系数为30×10-7/℃以上的材料构成的被加工物。

公开(公告)号：CN101681829B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200880012237.4

申请日：2008-06-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小风丰 ,  远藤光广 ,  植田昌久 ,  邹红罡 ,  宫崎俊也 ,  中村敏幸

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23F4/00 ,  G11C11/22 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，使用如下装置，该装置具备通过等离子体激发蚀刻气体的腔、配置在上述腔内的用于载置并加热被处理基板的台、和配置在上述台的周围的由耐蚀刻材料形成的框部件，上述框部件的上表面与上述台的上表面相比配置在下方，在上述台的上表面配置上述被处理基板以使上述被处理基板的周缘部在上述框部件的上方露出，在从上述框部件的上表面到上述被处理基板底面的高度为G，从上述台的侧面到上述被处理基板外周的露出长度为H时，配置上述被处理基板以使H/G为1.5以上。

公开(公告)号：CN101111929B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680003328.2

申请日：2006-01-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小风丰 ,  植田昌久 ,  远藤光广 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供了一种适合微细化的蚀刻技术。在基板10上按顺序叠层了下部电极膜12、电介质膜13和上部电极膜14的处理对象物5上形成无机质膜15，在其表面上配置图案化的有机抗蚀剂膜20，在以有机抗蚀剂膜20作为掩模，蚀刻无机质膜15、上部电极膜14和电介质膜13之后，以蚀刻下部电极膜12的气体，除去有机抗蚀剂膜20，同时以已露出的无机质膜15作为掩模，蚀刻下部电极膜12。由于不重新形成将作为掩模的膜，因此可以优良的精度制作微细图案。