研磨装置以及研磨头
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106181751B

    公开(公告)日:2019-08-13

    申请号:CN201610352162.0

    申请日:2016-05-25

    CPC classification number: B24B37/32 B24B37/107 B24B37/20 B24B47/12

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置、研磨头以及保持环。研磨装置能够简单地更换保持环、且不使保持环变形就能够将该保持环固定于驱动环。研磨装置具有用于将基板(W)按压于研磨垫(2)的研磨头(1)。研磨头(1)包括:具有基板接触面(45a)的头主体(10);与头主体(10)连结的驱动环(46);包围基板接触面(45a)、并与驱动环(46)连接的保持环(40)。在驱动环(46)形成有第1螺纹(91),在保持环(40)形成有与第1螺纹(91)卡合的第2螺纹(92),第2螺纹(92)沿着保持环(40)的周向延伸。

    弹性膜以及基板保持装置
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103659579B

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201310383365.2

    申请日:2013-08-28

    CPC classification number: B24B37/30

    Abstract: 本发明提供一种能减小沿着基板的半径方向同心状扩展的加压区域内的研磨速度分布的范围,提高基板的研磨面的面内均匀性,提高成品率的弹性膜以及基板保持装置。弹性膜(10)具有区隔形成对基板(W)加压的多个加压区域(CA、EA、MA1~MA6)的、同心圆状配置的多个周壁(10a~10h),形成在位于中央的圆板状的中央加压区域(CA)与位于最外周的圆环状的边缘加压区域(EA)之间的多个中间加压区域(MA1~MA6)内的至少一个中间加压区域、例如中间加压区域(MA5、MA6)的半径方向区域宽度被设定为:即使改变区域宽度研磨速度响应宽度也不改变的范围内的区域宽度。

    抛光设备
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100466191C

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200580037559.0

    申请日:2005-10-31

    Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30,32,38,42)。

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