研磨头系统及研磨方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117620884A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311097523.8

    申请日:2023-08-29

    Inventor: 锅谷治

    Abstract: 本发明提供一种能够精密地控制晶片等基板的研磨率尤其能够精密控制边缘部处的研磨率的研磨头系统及研磨方法。研磨头系统(1)具备研磨头(10)、头轴(11)、头旋转机构(18)、多路回转接头(25)、流体供给线路(Lb1)、压力调节器(Rb1),研磨头(10)具有基板按压面(35)、挡环(40)、沿挡环(40)的周向排列的多个压力室(Cb1~Cb6),头轴(11)具有与多个压力室(Cb1~Cb6)分别连通的多个轴流路(56),多路回转接头(25)被构成为,头轴(11)每旋转一圈,使流体供给线路(Lb1)与多个轴流路(56)依次连通。

    基板的吸附方法及研磨装置、基板保持装置及其基板吸附判定方法与压力控制方法

    公开(公告)号:CN106466806B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201610688808.2

    申请日:2016-08-18

    Abstract: 本发明提供一种用于适当地处理基板的基板吸附方法、基板保持装置、基板研磨装置、弹性膜、基板保持装置的基板吸附判定方法和压力控制方法。一种基板吸附方法,使基板吸附于顶环,该基板吸附方法包括:抽真空工序,在基板的下表面支承于支承部件、基板的上表面与弹性膜的下表面接触的状态下,对在弹性膜的上表面与顶环主体之间呈同心圆状形成的多个区域中的至少一个区域进行抽真空;流量计测工序,对相比于抽真空的对象区域位于外侧的区域内的气体的流量进行计测;判定工序,基于气体的流量对基板是否已吸附到顶环进行判定;分离工序,在判定为基板吸附到顶环之后,使吸附有基板的弹性膜与支承部件分离。

    研磨装置以及研磨头
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106181751B

    公开(公告)日:2019-08-13

    申请号:CN201610352162.0

    申请日:2016-05-25

    CPC classification number: B24B37/32 B24B37/107 B24B37/20 B24B47/12

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置、研磨头以及保持环。研磨装置能够简单地更换保持环、且不使保持环变形就能够将该保持环固定于驱动环。研磨装置具有用于将基板(W)按压于研磨垫(2)的研磨头(1)。研磨头(1)包括:具有基板接触面(45a)的头主体(10);与头主体(10)连结的驱动环(46);包围基板接触面(45a)、并与驱动环(46)连接的保持环(40)。在驱动环(46)形成有第1螺纹(91),在保持环(40)形成有与第1螺纹(91)卡合的第2螺纹(92),第2螺纹(92)沿着保持环(40)的周向延伸。

    弹性膜以及基板保持装置

    公开(公告)号:CN103659579B

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201310383365.2

    申请日:2013-08-28

    CPC classification number: B24B37/30

    Abstract: 本发明提供一种能减小沿着基板的半径方向同心状扩展的加压区域内的研磨速度分布的范围,提高基板的研磨面的面内均匀性,提高成品率的弹性膜以及基板保持装置。弹性膜(10)具有区隔形成对基板(W)加压的多个加压区域(CA、EA、MA1~MA6)的、同心圆状配置的多个周壁(10a~10h),形成在位于中央的圆板状的中央加压区域(CA)与位于最外周的圆环状的边缘加压区域(EA)之间的多个中间加压区域(MA1~MA6)内的至少一个中间加压区域、例如中间加压区域(MA5、MA6)的半径方向区域宽度被设定为:即使改变区域宽度研磨速度响应宽度也不改变的范围内的区域宽度。

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