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公开(公告)号:CN112706002B
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202011147586.6
申请日:2020-10-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供能够正确确定基板的研磨终点的研磨方法及研磨装置。本方法为,使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转,由研磨头(10)将基板(W)向研磨垫(2)的研磨面(2a)按压而对基板(W)进行研磨,对基板(W)进行研磨的工序包括一面使研磨头(10)沿着研磨面(2a)摆动一面对基板(W)进行研磨的摆动研磨工序,和在使研磨头(10)的摆动停止的状态下对基板(W)进行研磨的静止研磨工序,静止研磨工序在摆动研磨工序后进行,静止研磨工序包括确定静止研磨终点的工序,该静止研磨终点是用来使研磨台(3)旋转的转矩的变化的比例达到变化比例阈值的时间点。
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公开(公告)号:CN108515447B
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201810348607.7
申请日:2009-08-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及抛光衬底的方法和装置,尤其是提出一种抛光方法,用于将诸如半导体晶片的衬底抛光至平坦镜面光洁度。通过抛光装置实施抛光衬底的方法,该抛光装置包括具有抛光表面的抛光台(100)、用于保持衬底并将衬底压抵抛光表面的顶圈(1)以及用于沿垂直方向移动顶圈(1)的可垂直移动机构(24)。在衬底压抵抛光表面之前,顶圈(1)移动至第一高度,且接着在衬底压抵抛光表面之后,顶圈(1)移动至第二高度。
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公开(公告)号:CN103962941B
公开(公告)日:2018-07-20
申请号:CN201410039682.7
申请日:2014-01-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10
CPC classification number: B24B7/228 , B24B21/004 , B24B21/06 , B24B37/04 , B24B37/042 , B24B37/30
Abstract: 一种研磨方法,用基板保持部(17、42)对基板(W)进行保持,一边使基板(W)旋转,一边使研磨件(22、44)与基板(W)的整个背面滑动接触,由此研磨整个背面。背面研磨工序包括:一边用基板保持部(17)对基板(W)的中心侧区域进行保持,一边对背面的外周侧区域进行研磨;一边用第2基板保持部(42)对基板(W)的伞形部进行保持,一边对背面的中心侧区域进行研磨。采用本发明,能以较高的去除率去除附着在晶片等基板整个背面上的杂质。
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公开(公告)号:CN104044057A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201410104150.7
申请日:2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/105 , B24B37/30 , B24B37/32 , B24B47/22 , B24B49/00 , B24B49/16
Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30,32,38,42)。
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公开(公告)号:CN103962918A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201410043731.4
申请日:2014-01-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B9/065 , B24B21/002 , B24B21/004 , B24B21/008 , B24B21/06 , B24B27/0076 , H01L21/02035 , H01L21/463
Abstract: 一种研磨方法,使基板(W)旋转,按压第1研磨件(3A)使其与基板(W)的边缘部接触而对该边缘部进行研磨,按压第2研磨件(3B)使其与边缘部接触而对该边缘部进行研磨,所述第2研磨件在基板(W)的径向配置在第1研磨件(3A)的内侧,第1研磨件(3A)具有比第2研磨件(3B)粗的研磨面。采用本发明,可提高研磨速率,且可在基板的边缘部上形成平滑的垂直面。
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公开(公告)号:CN103659534A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310444560.1
申请日:2013-09-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B21/06
CPC classification number: B24B9/065 , B24B9/102 , B24B21/00 , B24B21/002 , B24B21/20
Abstract: 本发明提供一种研磨方法,能够在晶片的边缘部形成光滑的垂直面。本发明的研磨方法,使晶片(W)旋转,进行第一研磨工序:在使研磨带(38)的一部分从推压垫(51)朝晶片(W)的半径方向内侧突出的状态下,通过推压垫(51)将研磨带(38)相对于晶片(W)的边缘部推抵而对该晶片(W)的边缘部进行研磨,并且将研磨带(38)的一部分沿推压垫(51)折弯;将折弯的研磨带(38)的一部分通过推压垫(51)朝晶片(W)的半径方向内侧推压,由此进行以研磨带(38)对晶片(W)的边缘部进一步研磨的第二研磨工序。
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公开(公告)号:CN103252714A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201310158460.2
申请日:2008-10-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/32
CPC classification number: B24B37/32
Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。
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公开(公告)号:CN101934491A
公开(公告)日:2011-01-05
申请号:CN201010267843.X
申请日:2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/00 , H01L21/304 , B24B49/02 , B24B53/12 , B24B41/047
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/105 , B24B37/30 , B24B37/32 , B24B47/22 , B24B49/00 , B24B49/16
Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30,32,38,42)。
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公开(公告)号:CN101474771A
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200910003370.X
申请日:2004-02-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/00 , B24B37/04 , H01L21/683 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种用于衬底保持装置中的弹性部件,其包括与衬底接触的接触部分以及与所述接触部分和所述衬底保持装置的可垂直移动部件相连的周壁,所述周壁能够在所述接触部分与所述衬底保持接触的同时垂直伸展和收缩。本发明还涉及具有所述弹性部件的衬底抛光装置和衬底抛光方法,所述衬底抛光方法包括:通过具有压力腔室的顶环保持衬底;使所述衬底与抛光表面滑动接触,同时将流体供给到所述压力腔室中,以将压力施加到所述衬底上;停止所述流体供给;通过真空抽吸将所述衬底吸附到所述顶环上;将所述顶环与所述衬底一起移动到传送位置;以及通过将流体喷射到所述衬底上使所述衬底脱离所述顶环。
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公开(公告)号:CN100468643C
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200480003897.8
申请日:2004-02-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
Abstract: 本发明涉及一种在将衬底抛光至平整光面的抛光装置中用于保持衬底(W)、例如半导体晶片的衬底保持装置。该衬底保持装置包括一个可垂直移动部件(6)和一个用于限定一腔室(22)的弹性部件(7)。所述弹性部件(7)包括一与所述衬底(W)接触的接触部分(8)和一从所述接触部分(8)向上延伸并与所述可垂直移动部件(6)相连的周壁(9)。所述周壁(9)具有一可垂直伸展和收缩的可伸缩部分(40)。
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