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公开(公告)号：CN1726116A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200380101631.2
申请日：2003-10-15
IPC: B24B49/12
Abstract: 抛光状态监测装置测量工件之被抛光的表面的特征值，以确定抛光结束点的定时。抛光状态监测装置包括：发光单元，用于将来自光源的光施加到被抛光的工件的表面；光接收单元，用于接收来自工件之表面的反射光；分光镜单元，用于将由光接收单元接收的反射光分开成具有各自波长的多条光线，以及多个光接收元件，用于累积检测的光线作为电信息。抛光状态检测设备还包括：光谱数据产生器，用于读取通过光接收元件累积的电信息以及产生反射光的光谱数据；以及处理器，用于基于由光谱数据产生器产生的光谱数据来计算工件之表面上预定的特征值。
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公开(公告)号：CN108818295A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810707673.9
申请日：2014-07-11
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。
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公开(公告)号：CN104924198B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201510125524.8
申请日：2015-03-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/34
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/042 , B24B49/04 , H01L21/3212 , H01L22/12 , H01L22/26
Abstract: 一种研磨装置和研磨方法，使半导体晶片的被研磨面与研磨垫相对滑动而对被研磨面进行研磨，研磨装置具有：边缘室，其通过按压半导体晶片的被研磨面的背面，而将被研磨面按压到研磨垫；膜厚测定部，其在半导体晶片的研磨中推断半导体晶片的被研磨面的残膜外形；以及闭合回路控制装置，其在半导体晶片的研磨中，根据膜厚测定部的测定结果而控制边缘室对被研磨面的背面的按压。闭合回路控制装置控制半导体晶片的研磨中的边缘室产生的按压，并对作为边缘室的周边部的挡护环的压力进行控制，边缘室的周边部对被研磨面的对于研磨垫的按压产生影响。采用本发明，可高精度地对研磨对象物进行研磨。
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公开(公告)号：CN106457507A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580020769.2
申请日：2015-04-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B37/34 , B24B49/02 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B49/05 , B24B37/013 , B24B37/105 , B24B37/32 , B24B37/34 , B24B49/02 , B24B49/03 , B24B49/04 , B24B49/12 , H01L21/67 , H01L22/12 , H01L22/26
Abstract: 本发明关于一种依据来自晶片等基板的反射光所含的光学信息测定膜厚，并研磨该基板的研磨方法及研磨装置。研磨方法准备分别包含对应于不同膜厚的多个参考光谱的多个光谱群，在基板上照射光，并接收来自该基板的反射光，根据反射光生成抽样光谱，选择包含形状与抽样光谱最接近的参考光谱的光谱群，研磨基板，并生成测定光谱，并从选出的光谱群选择形状与研磨基板时所生成的测定光谱最接近的参考光谱，取得对应于选出的参考光谱的膜厚。
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公开(公告)号：CN104924198A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510125524.8
申请日：2015-03-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/34
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/042 , B24B49/04 , H01L21/3212 , H01L22/12 , H01L22/26
Abstract: 一种研磨装置和研磨方法，使半导体晶片的被研磨面与研磨垫相对滑动而对被研磨面进行研磨，研磨装置具有：边缘室，其通过按压半导体晶片的被研磨面的背面，而将被研磨面按压到研磨垫；膜厚测定部，其在半导体晶片的研磨中推断半导体晶片的被研磨面的残膜外形；以及闭合回路控制装置，其在半导体晶片的研磨中，根据膜厚测定部的测定结果而控制边缘室对被研磨面的背面的按压。闭合回路控制装置控制半导体晶片的研磨中的边缘室产生的按压，并对作为边缘室的周边部的挡护环的压力进行控制，边缘室的周边部对被研磨面的对于研磨垫的按压产生影响。采用本发明，可高精度地对研磨对象物进行研磨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104275640A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410330819.4
申请日：2014-07-11
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B37/34 , B24B49/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/12 , G01B11/0633 , H01L22/12 , H01L22/26
Abstract: 一种膜厚测定装置，具有：将基板(W)支承成水平的基板台(87)；洗涤水供给部(90)，其将洗涤水供给到基板台(87)上的基板(W)整个表面；膜厚测定头(84)，其将光照射在基板台(87)上的基板(W)表面上的测定区域，生成来自测定区域的反射光的光谱，从该光谱确定基板(W)的膜厚；以及流体供给部(130)，其在光的光路上形成气体流，将该气体流施加到测定区域。采用本发明的膜厚测定装置及膜厚测定方法，可提高膜厚的测定精度。
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公开(公告)号：CN101413780B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810170337.1
申请日：2008-10-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: G01B7/105 , B24B37/042 , B24B49/105
Abstract: 本发明涉及抛光监视方法和抛光设备。根据本发明的使用涡电流传感器监视抛光过程中膜厚度变化的方法，在基片的水抛光过程中，在抛光垫的修整过程中，或在抛光垫的更换过程中，获取涡电流传感器的输出信号，作为修正信号值；从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量；当抛光具有导电膜的基片时，通过从涡电流传感器的输出信号减去修正量而计算出实测信号值；以及通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变化。
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公开(公告)号：CN101523565B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200780037289.2
申请日：2007-10-05
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
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公开(公告)号：CN100488729C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200380101631.2
申请日：2003-10-15
IPC: B24B49/12
Abstract: 抛光状态监测装置测量工件之被抛光的表面的特征值，以确定抛光结束点的定时。抛光状态监测装置包括：发光单元，用于将来自光源的光施加到被抛光的工件的表面；光接收单元，用于接收来自工件之表面的反射光；分光镜单元，用于将由光接收单元接收的反射光分开成具有各自波长的多条光线，以及多个光接收元件，用于累积检测的光线作为电信息。抛光状态检测设备还包括：光谱数据产生器，用于读取通过光接收元件累积的电信息以及产生反射光的光谱数据；以及处理器，用于基于由光谱数据产生器产生的光谱数据来计算工件之表面上预定的特征值。
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公开(公告)号：CN101413780A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810170337.1
申请日：2008-10-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: G01B7/105 , B24B37/042 , B24B49/105
Abstract: 本发明涉及抛光监视方法和抛光设备。根据本发明的使用涡电流传感器监视抛光过程中膜厚度变化的方法，在基片的水抛光过程中，在抛光垫的修整过程中，或在抛光垫的更换过程中，获取涡电流传感器的输出信号，作为修正信号值；从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量；当抛光具有导电膜的基片时，通过从涡电流传感器的输出信号减去修正量而计算出实测信号值；以及通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变化。
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