公开(公告)号：CN111604809A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010106480.5

申请日：2020-02-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 铃木佑多 ,  高桥太郎 ,  小川彰彦 ,  降矢滋行 ,  八木裕治 ,  高田畅行 ,  德永晋平

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B57/02 ,  B24B49/10 ,  H01L21/67 ,  H01L21/321

Abstract: 第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。

公开(公告)号：CN108098565A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711189339.0

申请日：2017-11-24

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥太郎 ,  小川彰彦

IPC: B24B37/013 ,  B24B49/10 ,  H01L21/66

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B37/20 ,  B24B49/105 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供一种使研磨工序的进行状况的测定精度提高的研磨装置及研磨方法。研磨装置(100)将研磨对象物(102)按压于研磨垫(108)进行研磨对象物(102)的研磨。涡电流传感器(210)在研磨对象物(102)的多个位置测定能够根据研磨对象物(102)的膜厚变化而变化的阻抗，并输出测定信号。差值算出部(222)基于测定信号生成对应于膜厚的数据。进一步，差值算出部(222)在研磨对象物(102)的中心(CW)，在不同时刻基于涡电流传感器(210)输出的测定信号来算出不同时刻的数据间的差值。终点检测部(221)基于差值算出部(222)算出的差值来检测表示研磨结束的研磨终点。

公开(公告)号：CN111604809B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202010106480.5

申请日：2020-02-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 铃木佑多 ,  高桥太郎 ,  小川彰彦 ,  降矢滋行 ,  八木裕治 ,  高田畅行 ,  德永晋平

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B57/02 ,  B24B49/10 ,  H01L21/67 ,  H01L21/321

Abstract: 第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。

公开(公告)号：CN101413780B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200810170337.1

申请日：2008-10-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  高桥太郎 ,  广尾康正 ,  小川彰彦 ,  大田真朗

IPC: G01B7/06 ,  B24B29/00 ,  B24B49/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: G01B7/105 ,  B24B37/042 ,  B24B49/105

Abstract: 本发明涉及抛光监视方法和抛光设备。根据本发明的使用涡电流传感器监视抛光过程中膜厚度变化的方法，在基片的水抛光过程中，在抛光垫的修整过程中，或在抛光垫的更换过程中，获取涡电流传感器的输出信号，作为修正信号值；从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量；当抛光具有导电膜的基片时，通过从涡电流传感器的输出信号减去修正量而计算出实测信号值；以及通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变化。

公开(公告)号：CN101413780A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810170337.1

申请日：2008-10-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  高桥太郎 ,  广尾康正 ,  小川彰彦 ,  大田真朗

IPC: G01B7/06 ,  B24B29/00 ,  B24B49/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: G01B7/105 ,  B24B37/042 ,  B24B49/105

Abstract: 本发明涉及抛光监视方法和抛光设备。根据本发明的使用涡电流传感器监视抛光过程中膜厚度变化的方法，在基片的水抛光过程中，在抛光垫的修整过程中，或在抛光垫的更换过程中，获取涡电流传感器的输出信号，作为修正信号值；从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量；当抛光具有导电膜的基片时，通过从涡电流传感器的输出信号减去修正量而计算出实测信号值；以及通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变化。