研磨方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106863108B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201611023375.5

    申请日:2016-11-21

    Abstract: 本发明提供一种尽管测定位置不同也能够获得稳定的膜厚的研磨方法。在本发明的方法中,使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转,将晶片(W)的表面按压于研磨垫(2),在研磨台(3)最近的规定次数旋转的期间内取得来自设置于研磨台(3)的膜厚传感器(7)的多个膜厚信号,根据多个膜厚信号决定多个测定膜厚,基于多个测定膜厚决定在晶片(W)的表面形成的凸部的最顶部的推定膜厚,基于凸部的最顶部的推定膜厚对晶片(W)的研磨进行监视。

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