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公开(公告)号：CN117501414A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280042683.X
申请日：2022-05-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理装置具备：在基板的研磨中和/或清洗中和/或干燥中对对象的物理量进行检测的至少一个传感器；对于已学习的机器学习模型，将由所述传感器检测到的研磨中和/或清洗中和/或干燥中的传感器值按照每个处理步骤转换为特征量的转换部；以及通过将包含所述特征量的对象数据输入已学习的机器学习模型而输出对象的基板中的缺陷的数量、缺陷的尺寸、缺陷的位置中的至少一个的预测值的推论部，所述已学习的机器学习模型使用学习数据组进行学习，该学习数据组的输入数据包含将在对象的生产线或与该对象的生产线同种的生产线中由传感器检测到的研磨中和/或清洗中的传感器值按照每个处理步骤转换而得到的特征量，且该学习数据组的输出数据是基板中的缺陷的数量、缺陷的尺寸、缺陷的位置中的至少一个。
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公开(公告)号：CN112658972A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011096050.6
申请日：2020-10-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015 , B24B37/34 , B24B37/013 , B24B37/20
Abstract: 提供一种能够不在晶片等基板产生划痕等缺陷地对研磨垫的表面温度进行调节的研磨装置。研磨装置(PA)具备非接触型的垫温度调节装置(5)及垫温度测定器(10)。在研磨台(2)的旋转方向上，垫温度测定器(10)相邻配置在垫温度调节装置(5)的下游侧。
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公开(公告)号：CN104002240A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410065221.7
申请日：2014-02-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B53/017 , B24B37/04 , B24B37/27 , B24B37/34
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/005
Abstract: 一种研磨部件的外形调整方法，分别在沿砂轮修整器(5)的摆动方向预先设定在研磨部件(10)上的多个摆动区间(Z1～Z5)对研磨部件(10)的表面高度进行测量，计算目前外形与研磨部件(10)的目标外形的差值，所述目前外形根据表面高度的测量值而得，对多个摆动区间(Z1～Z5)的轮修整工具(5)的移动速度进行补正以消除该差值。采用本发明，能实现作为目标的研磨部件的外形。
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公开(公告)号：CN101107697A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200580046833.0
申请日：2005-12-21
Applicant: 株式会社尼康 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/76826 , H01L21/76828
Abstract: 本发明提供一种CMP研磨方法，可对采用疏水化了的多孔质物质作为在基板上形成的半导体集成电路的层间绝缘膜材料的东西，在用含有界面活性剂的清洗液清洗去除残留在基板表面上的料浆和研磨残留物后，有效地去除渗入到层间绝缘膜中的有机物质。如果用含有界面活性剂的清洗液清洗，来去除残留的料浆和研磨残留物，含有界面活性剂的清洗液中的有机物就会渗入到层间绝缘膜(3)中。因此，之后用有机溶剂或含有有机溶剂的溶液清洗基板，进行渗入到层间绝缘膜(3)中的有机物的清洗去除。层间绝缘膜(3)虽然进行了疏水化处理，但是因为是有机溶剂，所以不受它的影响，可渗入到层间绝缘膜(3)中，将有机物溶解、清洗去除。
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公开(公告)号：CN113352229B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110253439.5
申请日：2021-03-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B57/02 , B24B41/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种研磨装置、处理系统和研磨方法，该研磨装置包含：研磨台，该研磨台用于支承研磨垫；研磨头，该研磨头用于保持基板；以及研磨液供给装置，该研磨液供给装置用于向研磨垫与基板之间供给研磨液，研磨装置通过在研磨液的存在下使研磨垫与基板接触并相互旋转运动，从而进行基板的研磨，研磨液供给装置具有多个研磨液供给口，该多个研磨液供给口在相对于基板配置在研磨垫的旋转上游侧的状态下，在与研磨垫的旋转方向交叉的方向上排列，研磨液供给装置以从多个研磨液供给口供给的研磨液成为规定的流量分布的方式供给研磨液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113635215A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110514520.4
申请日：2021-05-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供研磨装置和研磨方法，实现研磨液使用量的降低和/或研磨品质劣化的抑制。研磨装置具备：用于支承研磨垫并使该研磨垫旋转的研磨台；用于保持对象物并将对象物按接到研磨垫的保持体；研磨液供给装置，该研磨液供给装置具有接触部件，在接触部件与研磨垫接触或相邻的状态下向接触部件的底面的开口部供给研磨液而使研磨液在研磨垫上扩散，利用接触部件拦截由于研磨垫的旋转而返回的使用后的研磨液的至少一部分，接触部件根据相对于研磨垫的径向的角度，而取得将被拦截的研磨液留在研磨垫上的方向或排出的方向的研磨液供给装置；与研磨液供给装置连结的臂；使研磨液供给装置相对于臂旋转的旋转机构；以及控制旋转机构而变更研磨液供给装置相对于研磨垫的径向的角度，从而控制研磨液供给装置的接触部件对研磨液的排出量的控制装置。
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公开(公告)号：CN105738320B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201510973911.7
申请日：2015-12-22
Applicant: 株式会社荏原制作所 , 国立大学法人九州工业大学
IPC: G01N21/47 , G01B11/30 , B24B53/017
Abstract: 提供一种研磨垫的表面性状测定方法和装置，通过使激光以多个入射角向研磨垫入射，从而能够对反映出CMP性能的研磨垫的表面性状进行测定。在研磨垫(2)的表面性状测定方法中，通过对研磨垫(2)的表面照射激光，接受由研磨垫表面反射的光并进行傅里叶转换，从而求出研磨垫(2)的表面性状，其中，使激光以多个角度向研磨垫(2)入射。
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公开(公告)号：CN110076683A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910120242.7
申请日：2014-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015 , B24B37/27 , B24B37/34 , B24B55/03
Abstract: 本发明提供一种通过调整研磨垫的表面温度可使研磨率提高，并且也可控制研磨的基板的研磨轮廓的研磨方法及研磨装置。将基板按压在研磨台上的研磨垫上来研磨基板的研磨方法具备：研磨垫(3)的表面温度调整工序，其是调整研磨垫(3)的表面温度的工序；及研磨工序，其是在调整后的表面温度下将基板按压在研磨垫(3)上来研磨基板；研磨垫(3)的表面温度调整工序，为调整基板接触的研磨垫(3)的一部分区域的表面温度，以使在研磨工序中，在研磨垫(3)的表面的径向上的温度轮廓的温度变化率在研磨垫径向保持一定。
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公开(公告)号：CN104416451A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410424687.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015
CPC classification number: B24B37/015 , B24B49/14 , B24B55/02 , G01J5/025 , G01J2005/0085
Abstract: 本发明提供一种通过调整研磨垫的表面温度可使研磨率提高，并且也可控制研磨的基板的研磨轮廓的研磨方法及研磨装置。将基板按压在研磨台上的研磨垫上来研磨基板的研磨方法具备：研磨垫(3)的表面温度调整工序，其是调整研磨垫(3)的表面温度的工序；及研磨工序，其是在调整后的表面温度下将基板按压在研磨垫(3)上来研磨基板；研磨垫(3)的表面温度调整工序，为调整基板接触的研磨垫(3)的一部分区域的表面温度，以使在研磨工序中，在研磨垫(3)的表面的径向上的温度轮廓的温度变化率在研磨垫径向保持一定。
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公开(公告)号：CN112658972B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202011096050.6
申请日：2020-10-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015 , B24B37/34 , B24B37/013 , B24B37/20
Abstract: 提供一种能够不在晶片等基板产生划痕等缺陷地对研磨垫的表面温度进行调节的研磨装置。研磨装置(PA)具备非接触型的垫温度调节装置(5)及垫温度测定器(10)。在研磨台(2)的旋转方向上，垫温度测定器(10)相邻配置在垫温度调节装置(5)的下游侧。
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