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公开(公告)号：CN106375924B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610780932.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 歌尔股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提升MEMS麦克风封装成品率的方法、装置及系统，该方法包括：记录硅基片上所有MEMS芯片的位置信息；获取对硅基片上的MEMS芯片进行外观缺陷检测得到的检测结果；获取对硅基片上的MEMS芯片进行电性测量得到的原始灵敏度；形成使得检测结果、原始灵敏度与位置信息相对应的封装记录；根据封装记录，选择检测结果和原始灵敏度均合格的位置上的MEMS芯片作为待封装MEMS芯片；根据待封装MEMS芯片的原始灵敏度选择匹配的专用IC芯片，形成进行封装的芯片组合信息。
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公开(公告)号：CN105307092B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510891760.0
申请日：2015-12-04
Applicant: 歌尔股份有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , B81B7/0029 , B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0292 , B81C1/00158 , H04R19/005 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: 本发明公开了一种MEMS麦克风、环境传感器的集成结构及制造方法，在基材上设置有构成电容器结构的振膜、背极，在所述基材的上端还设有至少一个凹槽；还包括位于基材上方的敏感电极，所述敏感电极包括通过第一牺牲层固定在基材端面上的固定部，以及伸入至凹槽内的弯曲部，所述弯曲部与凹槽的侧壁构成了电容器结构。本发明的集成结构，将麦克风的电容器结构、环境传感器的电容器结构集成在基材上，从而提高了麦克风和环境传感器的集成度，可以大大降低整个封装结构的尺寸。同时，麦克风的振膜、环境传感器的敏感电极可以采用相同的材料和制作工艺，使得可以在共用的基材上同时制作出MEMS麦克风和环境传感器，提高了生产的效率。
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公开(公告)号：CN106744664A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611041741.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 歌尔股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在MEMS传感器上形成过滤网的方法以及MEMS传感器。该方法包括以下步骤：在基材上设置可解离胶带，在可解离胶带的粘接面上形成过滤网；将所述过滤网转印到薄膜上，以形成自粘卷材；将位于所述自粘卷材上的所述过滤网转移粘接到MEMS传感器的采集孔上。该方法形成的过滤网，网孔细密、均匀，并且良品率高。此外，该方法适用于大规模、工业化生产。
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公开(公告)号：CN107071672A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710364823.6
申请日：2017-05-22
Applicant: 歌尔股份有限公司
IPC: H04R17/02
Abstract: 本发明公开了一种压电式麦克风，包括具有背腔的衬底，以及通过绝缘层连接在衬底上方的压电膜；在所述压电膜上位于压电膜与衬底连接点内侧的位置设置有多个镂空孔，所述压电膜上的镂空孔至少部分地与衬底重叠在一起，所述压电膜上镂空孔的位置与衬底之间具有间隙，所述间隙与镂空孔一起被构造为通道。相对传统的镂空结构而言，本发明的间隙可以阻碍声音直接通过镂空孔传出，从而可以大大降低该压电式麦克风低频信号、中频信号的泄漏量，提高了压电式麦克风的性能。而且该间隙还可有效防止粉尘、微粒、水入侵对芯片产生伤害。
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公开(公告)号：CN106653578A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611104653.X
申请日：2016-12-05
Applicant: 歌尔股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种晶圆的加工方法，在第一衬底的第一端面上进行图形化处理，形成结构层、光刻胶涂层，并在所述光刻胶涂层上定义出对准标识孔；在对准标识孔的区域对结构层、第一衬底进行蚀刻，使得对准标识孔一直延伸至第一衬底上；将第一衬底设置有结构层的一面与第二衬底粘接在一起；对第一衬底的第二端面进行减薄处理，且对准标识孔从第一衬底的第二端面露出；e)通过该对准标识孔进行定位。在两个晶圆粘接前，预先在其中一个晶圆上嵌埋预定深度的对准标识孔，待两个晶圆粘接后，通过研磨制程将晶圆加工至预定的厚度，并通过露出的对准标识孔进行第二次定位，使得可以采用原有的设备对晶圆的表面进行高精度的加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106535071A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611040031.5
申请日：2016-11-21
Applicant: 歌尔股份有限公司
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本发明公开了一种MEMS麦克风与环境传感器的集成装置及其制造方法，在衬底上依次设置有麦克风的第一下电极、振膜、第一上电极，在所述衬底上还设置有第二下电极以及通过绝缘部支撑在第二下电极上方且对环境敏感的第二上电极，所述第二下电极与第二上电极构成了环境传感器电容器结构。本发明的集成装置，将MEMS麦克风的电容结构、环境传感器的电容结构集成在同一个衬底上，这就将麦克风和环境传感器集成在同一个芯片上，提高了MEMS麦克风和环境传感器的集成度，可以大大降低整个封装结构的尺寸；而且可以在衬底上同时制作出MEMS麦克风和环境传感器，提高了生产的效率。
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公开(公告)号：CN106454659A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610941639.9
申请日：2016-10-31
Applicant: 歌尔股份有限公司
CPC classification number: H04R9/06 , H04R9/02 , H04R31/00 , H04R2400/11
Abstract: 本发明公开了一种发声装置及其制造方法，包括衬底以及通过沉积的方式形成在衬底上的振膜，还包括连接在振膜上的线圈，所述线圈与振膜通过沉积、刻蚀或者磁控溅射的方式结合在一起，所述线圈由其中部至外侧呈螺旋状；还包括与线圈对应设置的第一磁体组件；所述第一磁体组件被配置为线圈提供方向与振膜垂直的安培力。本发明的发声装置，当线圈通入交变的电流信号时，第一磁体组件发出的磁力线穿过线圈，从而使得线圈受到相应的安倍力作用，并驱动振膜进行振动，以实现振膜的发声。本发明发声装置，突破了传统线圈、磁铁的安装结构，使其体积更小，而且可以采用MEMS工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN106092153A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610605697.4
申请日：2016-07-28
Applicant: 歌尔股份有限公司
IPC: G01D5/241
CPC classification number: G01D5/2417
Abstract: 本发明公开了一种环境传感器及其制造方法，在所述衬底上还设置有至少一个参考电容器、至少一个检测电容器；其中，所述检测电容器包括检测固定电极以及与外界环境连通的检测敏感膜，所述检测敏感膜与衬底之间形成了密封的第一腔体；所述参考电容器包括参考固定电极、参考敏感膜，所述参考敏感膜与衬底之间形成了密封的第二腔体；所述第一腔体与第二腔体连通；还包括用于隔绝参考敏感膜与外界环境的盖体，所述盖体与参考敏感膜围成了密封的第三腔体；所述第一腔体、第二腔体、第三腔体为非真空环境。本发明的环境传感器，检测电容器与参考电容器可以构成真正意义上的差分电容结构，提高了环境传感器的检测精度。
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公开(公告)号：CN206402447U
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201621166081.3
申请日：2016-10-31
Applicant: 歌尔股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本实用新型公开了一种MEMS发声装置及电子设备，包括具有中空内腔的衬底以及通过沉积的方式形成在衬底上方的振膜，所述振膜包括至少一层经过磁化的磁性材料层，还包括与所述磁性材料层正对设置的第一线圈；所述第一线圈被配置为磁性材料层提供方向与振膜垂直的驱动力。本实用新型的发声装置，第一线圈与磁性材料层对应设置在一起，当第一线圈通入交流电后，磁性材料层的磁力线穿过线圈，在线圈安培力的反作用力下，使得磁性材料层发生垂直于振膜方向的振动，从而实现了振膜的振动发声。本实用新型的这种发声装置，可以应用到受话器或者扬声器当中，其突破了传统线圈、磁铁的安装结构，使其体积更小，而且可以采用MEMS工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN205981240U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201620806217.6
申请日：2016-07-28
Applicant: 歌尔股份有限公司
IPC: G01D5/241
Abstract: 本实用新型公开了一种环境传感器，在所述衬底上还设置有至少一个参考电容器、至少一个检测电容器；其中，所述检测电容器包括检测固定电极以及与外界环境连通的检测敏感膜，所述检测敏感膜与衬底之间形成了密封的第一腔体；所述参考电容器包括参考固定电极、参考敏感膜，所述参考敏感膜与衬底之间形成了密封的第二腔体；所述第一腔体与第二腔体连通；还包括用于隔绝参考敏感膜与外界环境的盖体，所述盖体与参考敏感膜围成了密封的第三腔体；所述第一腔体、第二腔体、第三腔体为非真空环境。本实用新型的环境传感器，检测电容器与参考电容器可以构成真正意义上的差分电容结构，提高了环境传感器的检测精度。
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