半导体装置和电子器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1627514A

    公开(公告)日:2005-06-15

    申请号:CN200410098256.7

    申请日:2004-12-01

    Inventor: 汤泽秀树

    Abstract: 本发明可以提供可靠性高的半导体装置和电子器件及其制造方法。本发明的半导体装置具有:具有包括多个岸面(22)的配线图案(20)的基板(10),和具有多个电极(32)、以使电极(32)与岸面(22)对向的形态搭载在基板(10)上而形成的半导体芯片(30)。多个岸面(22),以划分成沿着多个平行的第1直线(310)的多个第1组(110)的形态排列,在沿着第1直线(310)的方向上形成扩宽的外形。多个电极(32),以划分成分别沿着多个平行的第2直线(330)的多个第2组(130)的形态排列,在与第2直线(330)交叉的方向上形成扩宽的外形。岸面(22)和电极(32)以长度方向交叉的形态重叠而形成电连接。

    半导体装置和电子设备及其制造方法

    公开(公告)号:CN1627513A

    公开(公告)日:2005-06-15

    申请号:CN200410097853.8

    申请日:2004-12-01

    Inventor: 汤泽秀树

    Abstract: 本发明可以提供可靠性高的半导体装置和电子设备及其制造方法。该半导体装置具有:有包括多个引线(32)的配线图案(30)的基板(20),和按照使电极(12)与配线图案(30)对向那样搭载在基板(20)上而形成的半导体芯片(10)。按照划分成分别沿着多个平行的第1直线(110)的多个第1组(310)那样、而且按照划分成分别沿着在与第1直线(110)交叉的方向上延伸的多个第2直线(120)的多个第2组(320)那样排列电极(12)。各自的引线(32)包括:与1个电极(12)对向的连接部(34)、从连接部(34)沿着第1直线(110)延伸的延设部(36)、和从延设部(36)引出、在与第1直线(110)交叉的方向上延伸的引出部(38)。

    将导体图形复制到膜载体上的方法和在该方法中使用的掩模及膜载体

    公开(公告)号:CN1198840A

    公开(公告)日:1998-11-11

    申请号:CN97191085.5

    申请日:1997-06-04

    Inventor: 汤泽秀树

    Abstract: 本发明是将导体图形复制到安装电子元件的膜载体上的方法,利用在涂敷了光致抗蚀剂的膜载体上备有导体图形和2个以上的导体图形的位置重合用的标记的掩模,预备性地复制掩模图形,测定被复制了的位置重合用的标记相对于膜载体的基准坐标的位置与设计位置的偏移,调节掩模相对于膜载体的位置,其后将所述掩模图形正式复制到膜载体上。此外,公开了备有用于实施所述方法的导体图形和2个以上的导体图形的位置重合用的标记的掩模。还公开了在导体层表面除了导体图形以外复制了对于膜的2个以上的导体图形的位置重合用的标记的膜载体。

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