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公开(公告)号：CN113884223A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111241799.X
申请日：2021-10-25
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 张晓磊
IPC: G01L1/10
Abstract: 一种基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器，压力薄膜设置在谐振器的谐振器固定点上，谐振器上带有HF释放孔，感应电极和驱动电极与谐振器连接，谐振器上带有谐振器弹簧，谐振器侧壁带有外表面层。一种基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器的制备工艺，所述的谐振器的外表面层侧壁，重掺杂和/或在侧壁上涂覆二氧化硅；气体掺杂，磷化氢、三氯氧磷、硼烷、掺杂的CVD氧化层、掺杂的poly和外延层，用来限制简并掺杂到谐振器及其弹簧的侧壁和外表面，氧化层能热生长或CVD/PECVD沉积。本发明的优点：利用谐振器/硅掺杂、氧化层和晶体取向改善压力传感器的超温性能。
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公开(公告)号：CN110132265A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910383251.5
申请日：2019-05-09
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Abstract: 一种温度调节惯性传感器，包括集成电路模块，温度传感器，串行接口模块，温度控制回路，加热系统，数字或模拟电路模块，MEMS模块，可拓展部分模块，加热电阻，功率器件，晶体管驱动装置，脉宽调解，目标温度设定模块，增加震动预防电路进入极限循环模块，加速剂陀螺仪输出端；集成电路模块上布置有温度传感器、串行接口模块、温度控制回路、加热系统、数字或模拟电路模块；MEMS模块与集成电路模块连接，温度控制回路和加热系统上带有可拓展部分模块；温度传感器与加热电阻连接，加热电阻与功率器件和晶体管驱动装置连接，加速剂陀螺仪输出端与集成电路模块连接。本发明的优点：低成本，器件尺寸小，功率低，高精准度。
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公开(公告)号：CN109302693A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811339363.2
申请日：2018-11-12
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 莱昂纳多·萨拉 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健
Abstract: 一种动作跟踪物联网模块，包括传感器，微处理器或DSP/ASIC，无线传输模块，电池，电源管理芯片，本地应用程序运行模块，运动跟踪物联网模块软件开发工具，云服务装置，云应用程序编程接口，物联网接入硬件组件，通讯终端，云端软件接口，用户终端；多个传感器与微处理器或DSP/ASIC连接，无线传输模块、电池和电源管理芯片分别与微处理器或DSP/ASIC连接。本发明的优点：轻量级，体积小巧，易于在各种运动装备中使用，尤其用于运动装备中时。高精度，支持无线连接，可进行实时和离线数据处理。提供的软件开发工具包可用于IOS和安卓系统的应用程序开发，可连续使用100小时以上。
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公开(公告)号：CN107963607A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711036185.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯.雷.斯巴克斯 , 关健
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0038 , B81B2201/0207 , B81B2201/0228 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81C3/001
Abstract: 一种全覆盖吸气剂晶圆级电子元件及其封装方法，全覆盖吸气剂晶圆级电子元件的基本构成单元包含下述几个部分：器件晶圆(1)、腔体晶圆(2)；其二者通过键合工艺使两个晶圆键合成为一体，键合工艺通过键合层(5)来实现，在二者之间还设置有腔体(3)；腔体(3)内的腔体晶圆(2)内表面或是在器件晶圆(1)表面覆盖有一层有活性的覆盖层即吸气层结构(4)；吸气层结构(4)的成分为下述几种元素之一或其组合及其氧化物：Ti，Co，Zr，Fe；吸气层结构(4)的厚度范围在500nm-2um。吸气层结构(4)的制备应用物理气相沉积工艺：溅射或蒸发或二者的组合。本发明结构和工艺简单，成本低，技术效果优良；具有可预期的较为巨大的经济和社会价值。
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公开(公告)号：CN110031133B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201811339734.7
申请日：2018-11-12
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健
IPC: G01L1/10
Abstract: 一种谐振式压力传感器，包括硅晶圆，薄膜部分，谐振部分，谐振部分固定点，背孔，盖帽，吸气剂层，支撑硅层，埋层氧化层，顶层硅薄膜，多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜；SOI晶圆是由顶层硅薄膜、埋层氧化层和支撑硅层组成；以硅晶圆或是SOI晶圆作为衬底，形成谐振式压力传感器的薄膜部分，或者在SOI晶圆衬底上由顶层硅薄膜和多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜，形成谐振式压力传感器的薄膜部分。一种谐振式压力传感器的制作工艺，谐振部分是通过淀积外延/多晶硅层实现的，衬底通过刻蚀工艺形成流体进入到薄膜的通道‑谐振式压力传感器的背孔。本发明的优点：整体结构紧凑，精度高，制作工艺简单，容易控制，产品适用范围广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115285927A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210813856.5
申请日：2022-07-12
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 孙斯佳
Abstract: 一种MEMS芯片用CVD密封多层真空腔结构，其中：衬底为圆片结构，第一层氧化层上通过CVD或者外延生长出第一层硅层，第二层氧化层上有第二层硅层；第二层硅层上设有通孔，形成低真空度腔室和高真空度腔室，设有多个腔室，在CVD工艺过程中，通入惰性气体，低真空度腔室形成高压或常压状态的腔室。一种MEMS芯片用CVD密封多层真空腔结构的工艺，包括如下步骤：通过光刻、刻蚀工艺在第二层硅层上开通孔，通过气态HF腐蚀工艺，形成低真空度腔室和高真空度腔室；本发明的优点：利用不同真空度的情况下，制备微型腔室，并通过不同的CVD沉积技术，将微腔室密封，从而达到多腔室，不同真空度的状态，而且还能有效减小芯片面积，降低成本。
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公开(公告)号：CN111483974A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010484071.9
申请日：2020-06-01
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 陈琳
Abstract: 一种MEMS单芯片集成流量温度湿度化学多种传感器，硅晶圆为整个器件的衬底，作为支撑结构；绝缘层由氮化硅或者氮氧硅化物构成，板状结构，起到绝缘作用，绝缘隔离金属薄膜与硅晶圆；敏感材料层设置在金属薄膜上；腔室由晶圆背面或正面对其内部进行刻蚀，形成的腔室；温度传感器、气体质量流量传感器、湿度传感器和气体化学传感器集成在金属薄膜上。一种MEMS单芯片集成流量温度湿度化学多种传感器的制作工艺，绝缘层由氮化硅或者氮氧硅化物构成，绝缘隔离金属薄膜与硅晶圆；敏感材料层通过物理气相沉积技术沉积，后通过光刻，剥离或刻蚀技术制备。本发明的优点：成品功能完善，体积小，精度高。
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公开(公告)号：CN111430870A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010338081.1
申请日：2020-04-26
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健
IPC: H01P7/06
Abstract: 一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，包括衬底硅，底层氧化层，中间硅层，中间氧化层，封堵结构，顶层金属件，谐振器结构；底层氧化层为在底层硅上沉积的氧化层，中间硅层为在底层氧化层上沉积的硅薄膜，中间氧化层为在中间硅层形成的氧化层；顶层硅层为在中间氧化层上沉积硅薄膜。一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构的制备方法，衬底硅作为谐振器的支撑层，SOI晶圆的埋层氧化层或者利用热氧化或者化学气相沉积技术在底层硅上沉积的氧化层，形成空腔。本发明优点：采用硅与氧化层叠层结构，氧化物封堵开口技术，CVD淀积W或多晶硅掺杂封堵开口；在硅晶圆上沉积氧化层和硅薄膜，是密封单晶硅谐振器的新结构性能稳定，新工艺和新方法。
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公开(公告)号：CN111367072A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010329766.X
申请日：2020-04-24
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 梁泽山
IPC: G02B26/08
Abstract: 一种电磁式微镜结构，包括无磁性基底晶圆，盖板晶圆，悬臂梁结构，铁磁性镜面，晶圆键合界面层，吸气薄膜，空腔，电磁铁，金属片；其中：无磁性基底晶圆与盖板晶圆之间带有晶圆键合界面层，铁磁性镜面设置在悬臂梁结构上，吸气薄膜设置在盖板晶圆内，电磁铁和金属片设置在盖板晶圆外部。一种电磁式微镜结构的制备方法，无磁性基底晶圆，由硅、砷化镓或玻璃等无磁性材料组成；盖板晶圆，能通过光信号；铁磁性镜面，经过剖光处理，能反射光信号。本发明的优点：通过电磁铁影响磁性镜面和悬臂的翘曲角度，改变通过盖板晶圆摄入的光线的方向，实现光信号的传输。磁性镜面和悬臂，电磁驱动控制，偏转角度最大可达45度。
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公开(公告)号：CN110113027A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910434101.2
申请日：2019-05-23
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健
Abstract: 一种薄膜腔声谐振滤波器，包括器件主部分，盖帽部分，第一层金属层，压电层，金属层，第二层压电层，键合金属，吸气薄膜，通孔部分，焊接凸点，腔体一，腔体二；盖帽部分内部上面设置有吸气薄膜，盖帽部分上带有通孔部分，焊接凸点位于通孔部分上方；第二层压电层、金属层和键合金属设置在器件主部分和盖帽部分之间，器件主部分和盖帽部分之间通过键合工艺结合在一起。一种薄膜腔声谐振滤波器制备方法，器件部分与盖帽部分通过键合工艺结合在一起，键合后，盖帽部分利用晶圆减薄工艺，进行减薄；第二层压电层AlN，AlScN，压电陶瓷中的一种、几种或是合金。本发明的优点：方案结构合理，产品可靠性得到了很大提高，简化了制备工艺，提高产品质量。
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