-
公开(公告)号：CN113460952A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110795758.9
申请日：2021-07-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种MEMS器件及其制造方法，方法包括：形成第一功能层；在所述第一功能层上形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层中形成通孔，所述通孔贯穿所述第一牺牲层；在所述第一牺牲层上形成第二牺牲层，所述第二牺牲层中具有凹槽；在所述第二牺牲层上形成第二功能层，所述第二功能层填充所述第二牺牲层中的凹槽形成防粘结构，其中，所述第一牺牲层采用低密度氧化硅材料，所述第二牺牲层采用高密度氧化硅材料。本申请的MEMS器件的制造方法中，在振膜或背极板靠近空腔的一侧表面上形成有防粘结构，该防粘结构采用两层牺牲层形成，具有更加圆滑的形貌，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了MEMS器件的失效和产品的成本。
-
公开(公告)号：CN113008420A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110225364.X
申请日：2021-03-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种压力传感器及其制造方法，该压力传感器包括：衬底，衬底中设置有收容腔；压力传感器主体，设置在收容腔中；第一梁结构，设置在收容腔中，并连接压力传感器主体与衬底，使得压力传感器主体悬浮于收容腔中；阻挡层，设置在压力传感器主体远离衬底的一侧，阻挡层和压力传感器主体之间设置有第一凸起状结构。本申请实施例提供的压力传感器能够有效地提高压力传感器的可靠性和抗冲击性。
-
公开(公告)号：CN107666645B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710692246.3
申请日：2017-08-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 一种具有双振膜的差分电容式麦克风，包括：背板；第一振动膜，被绝缘支撑于所述背板的第一表面，所述背板与第一振动膜构成第一可变电容；第二振动膜，被绝缘支撑于所述背板的第二表面，所述背板与第二振动膜构成第二可变电容；其特征在于：所述背板具有至少一个连接孔；所述第二振动膜具有向背板方向凹陷的凹陷部，所述凹陷部穿过所述连接孔，与第一振动膜绝缘连接。上述具有双振膜的差分电容式麦克风具有更高的信噪比。
-
公开(公告)号：CN106477512A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201611047735.5
申请日：2016-11-23
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , B81B7/02 , B81B2201/02 , B81C1/00261 , B81C1/00269 , B81C1/00325 , H01L23/3107
Abstract: 本发明提供了一种压力传感器及其封装方法，所述压力传感器包括层叠设置的基板与压力传感器芯片，所述压力传感器芯片包括衬底、形成于所述衬底背离基板一侧的腔体以及与所述腔体配合设置的敏感膜，所述腔体呈扁平状，所述衬底上设有的第一焊盘；所述基板设有电连接至第一焊盘的第二焊盘；所述压力传感器还包括沿所述敏感膜的外周设置的第一围坝、设置于基板上且不超出所述第一围坝的硬质密封层、以及位于所述敏感膜上方并与所述第一围坝相抵接的承压部件，其中，第一焊盘位于第一围坝的外侧。采用本发明压力传感器及其封装方法，避免敏感膜直接承受外界应力，降低破损几率，同时通过硬质密封层实现更好的防护，延长使用寿命。
-
公开(公告)号：CN106412782A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611032043.3
申请日：2016-11-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: 本发明的微硅麦克风及制造方法，用于解决微硅麦克风应力影响灵敏度以及制造工艺的技术问题。本发明的微硅麦克风包括振动膜层，所述振动膜层包括振动梁和振动膜，振动梁围绕振动膜的边缘均匀布设，振动梁的一端固定在振动膜的边缘，振动梁的另一端固定在支撑结构上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117069054A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311324623.X
申请日：2023-10-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MEMS芯片封装结构及其制作方法，包括：通过在MEMS器件结构上先沉积第一氧化层，使MEMS器件结构位于所述衬底基板和所述第一氧化层之间，然后在第一氧化层背离MEMS器件结构的一侧形成金属支撑层，对金属支撑层进行光刻处理，以得到贯穿所述金属支撑层的释放孔，再以释放的方式形成可供MEMS器件结构活动的空腔结构，最后通过第一密封层实现最后的密封，简化了工艺难度，实现了活动结构的有效保护。从而完美的解决了传统密封封装工艺导致的连接紧密度不佳，以及由此所导致的崩边、裂片等问题。
-
公开(公告)号：CN114124024A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111454546.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种体声波谐振器，包括：衬底，其中所述衬底包括空腔，所述空腔开口于所述衬底上表面，所述空腔底部被所述衬底封闭；至少位于所述衬底和所述空腔上方的压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上表面的两组相互交错的叉指电极；其中，在位于所述叉指电极最外侧叉指以外的区域设有贯穿所述压电薄膜的开口。本申请还涉及一种体声波谐振器的制备方法。
-
公开(公告)号：CN109831172B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811564949.9
申请日：2018-12-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明提供了一种体声波谐振器的制备方法，解决了现有技术中通过刻蚀硅衬底形成空气隔离带导致器件结构稳定性差的问题。该制备方法包括提供第一硅片，在第一硅片上制备顶部开口的腔体；提供第二硅片，在第二硅片上表面制备绝缘层，在绝缘层上表面制备谐振压电堆，谐振压电堆包括压电薄膜和分别与压电薄膜接触并且彼此独立的第一电极和第二电极；在谐振压电堆的上表面制备第一二氧化硅层，谐振压电堆的上表面包括压电薄膜的表面、第一电极的表面、第二电极的表面中的一个或多个；将腔体的开口所在表面和第一二氧化硅层的上表面键合；制备第一电极和第二电极的引出焊盘。
-
公开(公告)号：CN113998658A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111262367.7
申请日：2021-10-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种集成MEMS热电堆红外探测器芯片，包括彼此电气键合的第一芯片和第二芯片；其中所述第一芯片为微机电系统红外热电堆传感器芯片，所述第二芯片为集成电路芯片；位于所述第一芯片上的第一电气键合点与位于所述第二芯片上的第二电气键合点彼此键合形成电连接；位于所述第一芯片上的第一封装环和位于所述第二芯片上的第二封装环彼此键合而形成空腔；以及所述第一芯片包括红外热电堆，并且至少部分所述红外热电堆在所述第一芯片表面的投影位于所述空腔内。本申请还涉及一种集成MEMS热电堆红外探测器芯片的制作方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
134
records
(took 0.047 seconds)
