物理量传感器
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102483426A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080039349.6

    申请日:2010-12-10

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种尤其是耐冲击性及耐粘附性优良的物理量传感器。该物理量传感器具有在高度方向上位移的可动部(50)和在高度方向上与可动部(50)对置配置且限制可动部(50)的位移的突起状的限动部(51)。在限动部(51)的与可动部(50)对置的对置面(51a)的外周(51b)设有第一接触端部(53)和第二接触端部(54),第一接触端部(53)为可动部(50)向接近限动部(51)的方向位移而首先与对置面(51a)接触的部分,第二接触端部(54)为可动部从与所述限动部(51)抵接的抵接状态向离开的方向位移时首先从对置面(51a)分离的部分。第一接触端部(53)的与可动部接触的接触长度比第二接触端部(54)的与可动部接触的接触长度长。

    热敏头基板、热敏头及其制造方法

    公开(公告)号:CN1284676C

    公开(公告)日:2006-11-15

    申请号:CN200410046432.2

    申请日:2004-05-31

    Abstract: 本发明提供一种热敏头基板、热敏头及其制造方法。为在基板(1)上顺次设置有保温层(2),电阻层(3),共通导体(5a)及多个单独导体(5b),电镀种晶层(7),以及共通电极(8),由与单独导体(5b)的长边方向垂直的机械切断面(P1)和与该长边方向平行的机械切断面(P2)规定外围的热敏头,电镀种晶层(7)由耐腐蚀性金属材料所构成,在机械切断面(P1)、(P2)上,共通导体(5a)及多个单独导体(5b)不露出,而仅露出保温层(2)、或电镀种晶层(7)与保温层(2)、或电镀种晶层(7)、电阻层(3)与保温层(2)。由此得到能够防止导体的腐蚀。

    MEMS传感器及其制造方法
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103449354B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201310094691.1

    申请日:2013-03-22

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种与以往相比尤其是具有粘附抑制效果高的限动部结构的MEMS传感器及其制造方法。该MEMS传感器的特征在于,具有:功能层(9),其具有被支承为在高度方向上能够进行位移的可动部;对置构件,其与功能层隔开间隔而对置配置,其中,在对置构件上的与可动部对置的位置设有限动部(46),该限动部(46)限制可动部的向高度方向的位移,限动部(46)具有Ti层(48)和使Ti层的表面氧化而得到的氧化Ti层(49),氧化Ti层(49)的表面构成限动部表面(46a),氧化Ti层的膜厚(H2)在2.5nm以上且10nm以下的范围内形成。

    物理量传感器
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102770770B

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201180011060.8

    申请日:2011-02-24

    CPC classification number: B81B3/0051 B81B2201/0235

    Abstract: 本发明的目的尤其在于提供能够提高重物部相对于对置部的耐碰撞性及防粘性的物理量传感器。该物理量传感器具备弹簧部(21)、与所述弹簧部(21)连结且被支承成沿高度方向可变位的重物部(20)、与所述重物部在高度方向上对置的对置部(22),在所述对置部(22)与所述重物部(20)之间配置高度不同的多个突起部(23、24),所述多个突起部(23、24)使得在所述重物部(20)朝向高度方向变位时,所述重物部(20)与所述对置部(21)之间能够阶段性地抵接,并且所述重物部与所述对置部之间还能够阶段性地分离。

    MEMS传感器及其制造方法
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103449354A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201310094691.1

    申请日:2013-03-22

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种与以往相比尤其是具有粘附抑制效果高的限动部结构的MEMS传感器及其制造方法。该MEMS传感器的特征在于,具有:功能层(9),其具有被支承为在高度方向上能够进行位移的可动部;对置构件,其与功能层隔开间隔而对置配置,其中,在对置构件上的与可动部对置的位置设有限动部(46),该限动部(46)限制可动部的向高度方向的位移,限动部(46)具有Ti层(48)和使Ti层的表面氧化而得到的氧化Ti层(49),氧化Ti层(49)的表面构成限动部表面(46a),氧化Ti层的膜厚(H2)在2.5nm以上且10nm以下的范围内形成。

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