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公开(公告)号：KR1020090072461A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020070140580
申请日：2007-12-28
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
Abstract: A coupler is provided to reduce reflection loss without increase of insertion loss by controlling a size and a shape of an inner ground layer formed between coupled lines. A coupler includes a coupler main body, two micro strip transmitting lines, and a ground layer. The coupler main body is made of ceramic dielectric. A ground electrode and a port electrode pattern are formed on a top surface and a bottom surface of the coupler main body. Two micro strip transmitting lines are formed inside the coupler main body. Two micro strip transmitting lines are broadside-coupled in order to form coupled lines(601,603) and port lines(701,703,705,707). The ground layer is positioned between two micro strip lines. The ground layer is connected to the ground electrode of the top surface and the bottom surface of the coupler main body.
Abstract translation: 提供耦合器以通过控制形成在耦合线之间的内部接地层的尺寸和形状来减少反射损耗而不增加插入损耗。 耦合器包括耦合器主体，两个微带传输线和接地层。 耦合器主体由陶瓷电介质制成。 接地电极和端口电极图案形成在耦合器主体的顶表面和底表面上。 两个微带传输线形成在耦合器主体内部。 两个微带传输线被宽侧耦合以形成耦合线（601,603）和端口线（701,703,705,707）。 接地层位于两条微带线之间。 接地层连接到耦合器主体的顶表面和底表面的接地电极。
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公开(公告)号：KR100650375B1
公开(公告)日：2006-11-27
申请号：KR1020050088717
申请日：2005-09-23
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
IPC: H01Q11/08
Abstract: A helical chip antenna having a stub is provided to decrease a center frequency by increasing the total length of a conductor without reducing a bandwidth. A chip body(110) is formed of one of a ceramic dielectric or a magnetic material. A helical conductor(120) is formed spirally in the inside of the chip body. A stub is formed in a part of the helical conductor. A feeding terminal(130) is formed at one end of the helical conductor, and applies an external voltage to the helical conductor and the stub.
Abstract translation: 提供具有短截线的螺旋形芯片天线以通过在不减小带宽的情况下增加导体的总长度来减小中心频率。 芯片主体（110）由陶瓷电介质或磁性材料中的一种形成。 螺旋导体（120）螺旋地形成在芯片主体的内部。 短截线形成在螺旋导体的一部分中。 馈电端子（130）形成在螺旋导体的一端，并且向螺旋导体和短截线施加外部电压。
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公开(公告)号：KR1020040025177A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：KR1020020057019
申请日：2002-09-18
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
IPC: C04B35/495 , C04B37/04 , H01B3/12
CPC classification number: H01B3/12 , C04B37/04 , H01G4/1209 , H01G4/30
Abstract: PURPOSE: Provided is a low temperature co-firing dielectric ceramic composition, which has a high dielectric constant, low dielectric loss and excellent stability of dielectric constant against temperature so as to reduce the volume of multilayer ceramic module-type electronic components and to improve the characteristic property of the component. CONSTITUTION: The ceramic composition comprises: (a) x(Ba,Sr)O·y(Ti,Zr)O2·z(Nb,Ta)2O5 as a main component, (b) a firing aid, and (b) a bonding modifier, wherein the main component is represented by the formula of x(aBaO,(1-a)SrO)·y(bTiO 2,(1-b)ZrO2)·z(cNb2O5,(1-c)Ta2O5), in which 0.15
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公开(公告)号：KR1020040021319A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：KR1020020052927
申请日：2002-09-03
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
IPC: C04B35/497 , H01B3/12
CPC classification number: H01B3/12 , H01G4/1209 , H01G4/30
Abstract: PURPOSE: Provided is a dielectric ceramic composition of the (1-x)ZnO xLa2O3 Nb2O5 system which has high dielectric constant, low dielectric loss and stable temperature coefficient of resonant frequency. The composition enabling low temperature sintering is applied to multilayer devices such as capacitor, LC filter, duplex, etc. CONSTITUTION: The dielectric ceramic composition comprises (1-x)ZnO xLa2O3 Nb2O5(0.1
Abstract translation: 目的：提供具有高介电常数，低介电损耗和稳定的共振频率温度系数的（1-x）ZnO xLa2O3 Nb2O5系统的介电陶瓷组合物。 能够进行低温烧结的组合物应用于电容器，LC滤光片，双面等多层器件。构成：介电陶瓷组合物包含（1-x）ZnO xLa2O3 Nb2O5（0.1 <= x <= 0.6）作为主要材料， 和B 2 O 3，CuO，V 2 O 5，Bi 2 O 3，Ag 2 O和NiO中的一种或多种的1-7重量份（基于主要材料）作为烧结助剂。 多层陶瓷电介质通过以下步骤制备：通过混合对应于式的电介质陶瓷粉末来制备浆料; 脱胶并形成带状; 在由带有Ag，Au，Pt，Pd及其合金的两种或更多种的糊料形成的带上形成内部电极，在低于1000℃的温度下熔融。 至少分两层压力和热量（40-70度）; 1000℃以下烧结。
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公开(公告)号：KR101920887B1
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：KR1020170083379
申请日：2017-06-30
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
IPC: C04B37/00
Abstract: 본발명은유전체층및 금속페라이트자성체층을소결접합한소결구조체및 이의제조방법에관한것으로서, 소결구조체는, LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic) 소재를포함하는유전체층; 및금속페라이트(MO-FeO) 소재를포함하는자성체층; 을포함하며, 상기금속페라이트는입자크기는나노미터(nm) 스케일이고, 적어도하나의상기유전체층및 적어도하나의상기자성체층을소결접합한것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100789360B1
公开(公告)日：2007-12-28
申请号：KR1020060120680
申请日：2006-12-01
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
Abstract: A ceramic chip antenna is provided to implement miniaturization by inserting a grounding capacitance and a grounding in an inside of the chip antenna. A ceramic chip antenna includes a chip body, a radiation part(200), an input terminal(400), a grounding terminal(500), and a coupling feeding part. The chip body is formed by a dielectric substance having a specific dielectric constant. The radiation part is formed by a conductor of a helical shape in an inside of the chip body. The input terminal is placed at an end of the chip body and receives an external voltage. The grounding terminal is placed at a surface of an end of the chip body and connected with an external ground. The coupling feeding part is connected with the input terminal and the grounding terminal and transmits the external voltage inputted from the input terminal using the capacitance coupling.
Abstract translation: 提供陶瓷芯片天线，通过在芯片天线的内部插入接地电容和接地来实现小型化。 陶瓷芯片天线包括芯片体，辐射部分（200），输入端子（400），接地端子（500）和耦合馈电部分。 芯片体由具有特定介电常数的电介质形成。 辐射部分由芯片体内部的螺旋形导体形成。 输入端子放置在芯片主体的一端并接收外部电压。 接地端子放置在芯片主体的端部的表面并与外部接地连接。 耦合馈电部分与输入端子和接地端子连接，并使用电容耦合传输从输入端子输入的外部电压。
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公开(公告)号：KR100650186B1
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020040029055
申请日：2004-04-27
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
IPC: H03H7/30
Abstract: 본 발명은 멀티 밴드 필터에 관한 것으로, 제1 내지 제3 주파수 대역을 통과시키는 이 멀티 밴드 필터는, 제1 공진 회로를 포함하며 제1 및 제2 주파수 대역을 통과시키는 제1 필터, 제2 공진 회로와 제1 커패시터를 포함하며 제1 주파수 대역을 통과시키는 제2 필터, 제2 커패시터와 제3 공진 회로와 제1 인덕터를 포함하며 제2 주파수 대역을 통과시키는 제3 필터, 그리고 제3 커패시터와 제4 공진 회로와 제2 인덕터를 포함하며 제3 주파수 대역을 통과시키는 제4 필터를 포함한다. 이 멀티 밴드 필터에 의하면 원하는 주파수 대역에서 저손실과 고감쇄 특성을 갖게 할 수 있으며, 노치의 위치를 자유롭게 조절할 수 있어서 통과 주파수 대역에서 특성을 향상시킬 수 있다. 또한 이 멀티 밴드 필터를 하나의 칩 형태로 구현함으로써 실장 비용과 시간을 절감할 수 있고, 크기를 작게 할 수 있다.
멀티 밴드 필터, 인덕터, 커패시터, 노치, 주파수, LTCC, 공진 회로-
公开(公告)号：KR100478127B1
公开(公告)日：2005-03-21
申请号：KR1020020052927
申请日：2002-09-03
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
IPC: C04B35/497 , H01B3/12
Abstract: 본 발명은 ZnO, La
2 O
3 와 Nb
2 O
5 를 주성분으로 하는 유전체 세라믹 조성물, 및 이를 포함하는 유전체 세라믹 적층 부품 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상기 유전체 세라믹은 유전율의 증대, 작은 유전손실, 안정한 공진 주파수 온도계수를 달성할 수 있으며, 소결조제를 추가로 포함함으로써 1000℃ 이하의 낮은 온도에서 저온소결(firing)이 가능하여 온도안정성이 요구되는 부품에 사용할 수 있으며, 우수한 품질계수를 갖기 때문에 마이크로파대역 필터, 오실레이터, 평면안테나, MCM 등의 통신부품에 사용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020160114953A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020150041484
申请日：2015-03-25
Applicant: 주식회사 코프 , (주) 알엔투테크놀로지
IPC: H01P5/12
Abstract: 본발명은 RF 전력합성분배장치의전송선로결합부분주변에그라운드와연결된홀(Hole)을형성하여전송선로결합부분에서발생되는기생커패시턴스(Parasitic capacitance) 및그로인한영향을줄일수 있는 RF 전력합성분배장치에관한것으로, T형을이루며결합되는 3 개의전송선로들을포함하는 RF 전력합성분배장치에있어서, 유전체층을사이에두고양쪽면에금속층이결합된판형의기판과, 상기전송선로들중 좌측부위에연결되는제1 전송선로와, 상기제1 전송선로우측에연결되는제2 전송선로와, 상기제1, 2 전송선로의결합부위에연결되어하부측으로연장된제3 전송선로및 상기제1,2 전송선로의결합부위로부터상부측으로일정거리이격되는위치에상기기판을관통하여형성된관통홀을포함하되, 상기제1 내지제3 전송선로는상기기판의일 측면에결합된금속층을이용하여형성되는것을특징으로하는 RF 전력합성분배장치를제공한다.
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公开(公告)号：KR100956665B1
公开(公告)日：2010-05-10
申请号：KR1020070140580
申请日：2007-12-28
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
Abstract: 본 발명은 내부 접지층을 갖는 결합기에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 결합기는 세라믹 유전체를 재료로 하여 형성되고, 상부면 및 하부면에 접지전극 및 외부와의 전원 연결을 위한 포트전극 패턴이 형성되어 있는 결합기 본체, 상기 결합기 본체의 내부에 형성하며, 브로드사이드 결합되어 결합선로 및 포트선로를 형성하는 두 개의 마이크로스트립 전송선로 및 상기 두 개의 마이크로스트립 전송선로 사이에 위치하며, 상기 상부면 및 하부면의 접지전극에 연결되는 접지층을 포함한다.
따라서, 결합선로 사이에 형성된 접지층의 크기 및 형태를 조절하여 결합기의 삽입손실과 반사손실을 줄이고 격리도를 증가시킬 수 있다.
결합기, 세라믹 유전체, 내부 접지층, GND, 접지 영역, 결합선로, 포트선로
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