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公开(公告)号：KR101809833B1
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：KR1020160053044
申请日：2016-04-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 본발명은산화물박막트렌지스터를제공한다. 이산화물박막트렌지스터는기판; 상기기판에서제1 방향으로연장되는게이트전극; 상기게이트전극상에배치되고상기게이트전극을가로지르도록배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되고상기게이트전극의양측에서상기제1 방향에수직한제2 방향으로연장되는산화물반도체층; 상기산화물반도체층상에배치되고상기게이트전극을중심으로서로이격되어배치되는소오스전극및 드레인전극; 상기소오스전극및 상기드레인전극상에배치되고상기소오스전극과상기드레인전극사이의노출된산화물반도체층상에배치되는절연층; 및상기소오스전극과상기드레인전극사이의노출된산화물반도체층과정렬되고상기절연층상에배치되는보호층을포함한다. 상기보호층은투명한금속산화물로구성된하부보호층; 상기하부보호층상에배치된금속층; 및투명한금속산화물로구성되고상기금속층상에배치된상부보호층을포함한다.
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公开(公告)号：KR101805301B1
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020160053014
申请日：2016-04-29
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은자외선발광다이오드소자및 그제조방법을제공한다. 이자외선발광다이오드소자는도전성기판; 상기도전성기판상에배치된금속반사층; 상기금속반사층상에배치된 p 전극패턴; 상기 p 전극패턴사이를채우는절연층; 상기 p 전극패턴및 상기절연층상에배치되는 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치되는활성층; 상기활성층상에배치된 n형 AlGaN층; 및상기 n형 AlGaN층상에배치된 n 전극패턴을포함한다. 상기금속반사층은알루미늄또는알루미늄합금이고, 상기 p 전극패턴은 ITO 또는은을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170123958A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020160053347
申请日：2016-04-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/02 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L29/0665 , H01L29/413 , H01L29/78606 , H01L29/78618
Abstract: 본발명은산화물박막트렌지스터를제공한다. 이산화물박막트렌지스터는기판; 상기기판에서제1 방향으로연장되는게이트전극; 상기게이트전극상에배치되고상기게이트전극을가로지르도록배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되고상기게이트전극의양측에서상기제1 방향에수직한제2 방향으로연장되는산화물반도체층; 상기산화물반도체층상에배치되고상기게이트전극을중심으로서로이격되어배치되는소오스전극및 드레인전극; 및상기소오스전극과상기드렌인전극사이의노출된산화물반도체층상에배치되는보호층을포함한다. 상기보호층은절연체로구성된하부보호층; 상기하부보호층상에배치된금속나노구조체; 및절연체로구성되고상기금속나노구조체상에배치된상부보호층을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管。 氧化物薄膜晶体管包括衬底; 在基板上沿第一方向延伸的栅电极; 栅极绝缘膜，设置在所述栅电极上并被设置为与所述栅电极交叉; 它被布置在栅极绝缘层和氧化物半导体层和在第二方向上垂直于所述第一方向上在栅电极的两侧上延伸; 氧化物源和设置在半导体层中且彼此间隔开的相对于所述栅电极和漏电极; 和设置在所述源电极和所述deuren电极之间暴露的半导体氧化物层上的保护层。 其中保护层包括由绝缘体构成的下保护层; 设置在下保护层上的金属纳米结构; 并且在金属纳米结构体上配置由绝缘体构成的上部保护层。
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公开(公告)号：KR1020170123847A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020160053014
申请日：2016-04-29
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은자외선발광다이오드소자및 그제조방법을제공한다. 이자외선발광다이오드소자는도전성기판; 상기도전성기판상에배치된금속반사층; 상기금속반사층상에배치된 p 전극패턴; 상기 p 전극패턴사이를채우는절연층; 상기 p 전극패턴및 상기절연층상에배치되는 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치되는활성층; 상기활성층상에배치된 n형 AlGaN층; 및상기 n형 AlGaN층상에배치된 n 전극패턴을포함한다. 상기금속반사층은알루미늄또는알루미늄합금이고, 상기 p 전극패턴은 ITO 또는은을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种紫外发光二极管元件及其制造方法。 外部发光二极管器件包括导电衬底; 设置在导电基板上的金属反射层; 设置在金属反射层上的p电极图案; 填充在p电极图案之间的绝缘层; 设置在p电极图案和绝缘层上的p型GaN层; 设置在p型GaN层上的有源层; 设置在有源层上的n型AlGaN层; 以及设置在n型AlGaN层上的n电极图案。 金属反射层是铝或铝合金，并且p电极图案包括ITO或银。
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公开(公告)号：KR1020170084427A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：KR1020160003457
申请日：2016-01-12
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 투명전극구조물은투명기판및 상기투명기판상에순차적으로형성되고, 결정질금속산화물박막/금속박막/비정질금속산화물박막을포함하는다층박막체를포함한다.
Abstract translation: 的透明电极结构被顺序地形成在透明基板和所述透明基板，包含结晶金属氧化物薄膜/金属薄膜/无定形金属氧化物膜的多层薄膜元件上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160136901A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020150071121
申请日：2015-05-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L41/187 , H01L41/39 , C01G23/04
Abstract: 무연압전체박막구조물의제조방법에있어서, 챔버내에배치된척 상에기판을장착하고, 척과마주보도록세라믹타겟을배치한다. 이후, 세라믹타겟을이용하여기판상에무연압전체박막을형성한다. 여기서, 세라믹타겟은, (1-y)(NaK)NbO+ ymol% 산화물 (CaTiO또는 BaTiO) (x는 0≤x≤1, y는 0
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公开(公告)号：KR101897345B1
公开(公告)日：2018-09-10
申请号：KR1020160120447
申请日：2016-09-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 본발명은박막트랜지스터에관한것으로, 본발명의실시예에따른박막트랜지스터는기판(10), 기판(10) 상에적층형성되는게이트전극(20), 게이트전극(20)의상부에형성되는게이트절연층(30), 게이트절연층(30)의상부에, 산화물반도체가배치되어형성되는채널층(40), 채널층(40) 상에, 굴절률이서로다른다수의물질이층(layer)를형성하며, 교대로번갈아적층되는패시베이션층(50), 채널층(40)의일측에접촉되는소스전극(60), 및채널층(40)의타측에접촉되는드레인전극(70)을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020180007621A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：KR1020160088903
申请日：2016-07-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L2933/0016 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/14 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명의일 실시예에따른수평형발광다이오드소자는기판; 상기기판상에배치된 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치된활성층; 상기활성층상에배치된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치된전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에배치된 p 전극; 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기활성층, 및상기 n형 GaN층의일부를제거하여형성된메사영역; 상기메0사영역의일부또는전부에서상기 n형 GaN층상에배치된투명창문층; 상기투명창문층을관통하여상기 n형 GaN층에접촉하는복수의콘택플러그; 및상기투명창문층상에배치되고상기콘택플러그를연결하는 n 전극을포함한다. 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 및상기활성층은서로수직으로정렬되어발광영역을제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供了一种水平平板型发光二极管器件，包括：衬底; 设置在衬底上的n型GaN层; 设置在n型GaN层上的有源层; 设置在有源层上的p型GaN层; 设置在p型GaN层上的电流扩展层; 设置在电流扩展层上的p电极; 通过去除所述电流扩展层的一部分，所述p型GaN层，所述有源层和所述n型GaN层而形成的台面区域; 设置在部分或全部存储区中的n型GaN层上的透明窗口层; 多个接触插塞，其穿透透明窗口层并接触n型GaN层; 以及设置在透明窗口层上并连接接触插塞的n电极。 电流扩展层，p型GaN层和有源层彼此垂直对准以提供发光区域。
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公开(公告)号：KR101792940B1
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020160048170
申请日：2016-04-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은 GaN 발광다이오드소자를제공한다. 이 GaN 발광다이오드소자는사파이어기판; 상기사파이어기판상에적층된 n형 GaN 층; 상기 n형 GaN 층상에적층된활성층; 상기활성층에적층된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에적층된투명전도성금속산화물을포함하는전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에형성된상부전극패턴; 및상기상부전극패턴상에형성된상부전극패드를포함한다. 상기상부전극패턴은차례로적층된제1 상부전극패턴및 제2 상부전극패턴을포함하고, 상기제1 상부전극패턴은적층된은(Ag) 또는은 합금박막이고,상기제2 상부전극패턴은투명전도성금속산화물박막을포함하고, 상기상부전극패턴과상기전류퍼짐층은청색또는녹색영역에서 85 퍼센트이상의투과도를가지는광학필터로동작한다.
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公开(公告)号：KR1020170123860A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020160053044
申请日：2016-04-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L27/1251 , H01L29/78606 , H01L29/78639 , H01L2924/13069
Abstract: 본발명은산화물박막트렌지스터를제공한다. 이산화물박막트렌지스터는기판; 상기기판에서제1 방향으로연장되는게이트전극; 상기게이트전극상에배치되고상기게이트전극을가로지르도록배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되고상기게이트전극의양측에서상기제1 방향에수직한제2 방향으로연장되는산화물반도체층; 상기산화물반도체층상에배치되고상기게이트전극을중심으로서로이격되어배치되는소오스전극및 드레인전극; 상기소오스전극및 상기드레인전극상에배치되고상기소오스전극과상기드레인전극사이의노출된산화물반도체층상에배치되는절연층; 및상기소오스전극과상기드레인전극사이의노출된산화물반도체층과정렬되고상기절연층상에배치되는보호층을포함한다. 상기보호층은투명한금속산화물로구성된하부보호층; 상기하부보호층상에배치된금속층; 및투명한금속산화물로구성되고상기금속층상에배치된상부보호층을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管。 氧化物薄膜晶体管包括衬底; 在基板上沿第一方向延伸的栅电极; 栅极绝缘膜，设置在所述栅电极上并被设置为与所述栅电极交叉; 它被布置在栅极绝缘层和氧化物半导体层和在第二方向上垂直于所述第一方向上在栅电极的两侧上延伸; 氧化物源和设置在半导体层中且彼此间隔开的相对于所述栅电极和漏电极; 设置在源电极和漏电极之间以及源电极和漏电极之间的暴露的氧化物半导体层上的绝缘层; 以及设置在绝缘层上并与源电极和漏电极之间的暴露的氧化物半导体层对齐的保护层。 其中保护层包括由透明金属氧化物组成的下保护层; 设置在下保护层上的金属层; 以及由透明金属氧化物构成并设置在金属层上的顶部保护层。
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