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公开(公告)号：WO2017188658A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/004218
申请日：2017-04-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/02 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 산화물 박막 트렌지스터를 제공한다. 이 산화물 박막 트렌지스터는 기판; 상기 기판에서 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 가로지르도록 배치되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 배치되고 상기 게이트 전극의 양측에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 이격되어 배치되는 소오스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소오스 전극과 상기 드렌인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층 상에 배치되는 보호층을 포함한다. 상기 보호층은 절연체로 구성된 하부 보호층; 상기 하부 보호층 상에 배치된 금속 나노 구조체; 및 절연체로 구성되고 상기 금속 나노 구조체 상에 배치된 상부 보호층을 포함한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管。 氧化物薄膜晶体管包括衬底; 在基板上沿第一方向延伸的栅电极; 栅极绝缘膜，设置在所述栅电极上并被设置为与所述栅电极交叉; 氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在所述栅极绝缘层上并且在所述栅极电极的两侧沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸; 源电极和漏电极，设置在氧化物半导体层上并且在栅电极周围彼此间隔开; 以及设置在源电极和漏电极之间的暴露的氧化物半导体层上的保护层。 其中保护层包括由绝缘体构成的下保护层; 设置在下保护层上的金属纳米结构; 并且在金属纳米结构体上配置由绝缘体构成的上部保护层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101818339B1
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR1020160053347
申请日：2016-04-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/02 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/786
Abstract: 본발명은산화물박막트렌지스터를제공한다. 이산화물박막트렌지스터는기판; 상기기판에서제1 방향으로연장되는게이트전극; 상기게이트전극상에배치되고상기게이트전극을가로지르도록배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되고상기게이트전극의양측에서상기제1 방향에수직한제2 방향으로연장되는산화물반도체층; 상기산화물반도체층상에배치되고상기게이트전극을중심으로서로이격되어배치되는소오스전극및 드레인전극; 및상기소오스전극과상기드렌인전극사이의노출된산화물반도체층상에배치되는보호층을포함한다. 상기보호층은절연체로구성된하부보호층; 상기하부보호층상에배치된금속나노구조체; 및절연체로구성되고상기금속나노구조체상에배치된상부보호층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140086591A
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020120157275
申请日：2012-12-28
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/06 , H01L21/02603 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/42
Abstract: The present invention relates to a gallium nitride light emitting diode including; a substrate; an absorption layer formed on one surface of the substrate; an N type gallium nitride semiconductor layer formed at an upper portion of the absorption layer; a nano wire which has grown upon a surface of the N type gallium nitride semiconductor layer; a nano wire shell layer coated on the N type gallium nitride semiconductor layer; a P type gallium nitride semiconductor layer formed on the N type gallium nitride semiconductor layer coated with the nano wire shell layer; and a transparent electrode formed on the P type gallium nitride semiconductor layer, wherein quantum dots having a core shell structure are added to surfaces of the N type gallium nitride semiconductor layer and the nano wire. The gallium nitride light emitting diode having a nano wire structure to which quantum dots are added according to to the present invention has surface convexo-concaves due to the nano wire having grown on the N type semiconductor layer to significantly increase a surface of a border layer where light is generated, reinforces light as quantum dots having a core shell structure generates a fluorescence resonance energy transfer phenomenon, and remarkably improves efficiency of light by forming a muntilayered quantum wall structure.
Abstract translation: 本发明涉及一种氮化镓发光二极管，包括： 底物; 形成在所述基板的一个表面上的吸收层; 形成在吸收层的上部的N型氮化镓半导体层; 已经在N型氮化镓半导体层的表面上生长的纳米线; 涂覆在N型氮化镓半导体层上的纳米线壳层; 形成在涂覆有纳米线壳层的N型氮化镓半导体层上的P型氮化镓半导体层; 以及形成在P型氮化镓半导体层上的透明电极，其中具有核壳结构的量子点添加到N型氮化镓半导体层和纳米线的表面。 根据本发明，添加有量子点的具有纳米线结构的氮化镓发光二极管由于纳米线在N型半导体层上生长而显现出凸面凹凸，从而显着增加了界面层的表面 当产生光时，加强光，因为具有核壳结构的量子点产生荧光共振能量转移现象，并通过形成均匀的量子壁结构显着提高光的效率。
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公开(公告)号：KR1020170123958A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020160053347
申请日：2016-04-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/02 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L29/0665 , H01L29/413 , H01L29/78606 , H01L29/78618
Abstract: 본발명은산화물박막트렌지스터를제공한다. 이산화물박막트렌지스터는기판; 상기기판에서제1 방향으로연장되는게이트전극; 상기게이트전극상에배치되고상기게이트전극을가로지르도록배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되고상기게이트전극의양측에서상기제1 방향에수직한제2 방향으로연장되는산화물반도체층; 상기산화물반도체층상에배치되고상기게이트전극을중심으로서로이격되어배치되는소오스전극및 드레인전극; 및상기소오스전극과상기드렌인전극사이의노출된산화물반도체층상에배치되는보호층을포함한다. 상기보호층은절연체로구성된하부보호층; 상기하부보호층상에배치된금속나노구조체; 및절연체로구성되고상기금속나노구조체상에배치된상부보호층을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管。 氧化物薄膜晶体管包括衬底; 在基板上沿第一方向延伸的栅电极; 栅极绝缘膜，设置在所述栅电极上并被设置为与所述栅电极交叉; 它被布置在栅极绝缘层和氧化物半导体层和在第二方向上垂直于所述第一方向上在栅电极的两侧上延伸; 氧化物源和设置在半导体层中且彼此间隔开的相对于所述栅电极和漏电极; 和设置在所述源电极和所述deuren电极之间暴露的半导体氧化物层上的保护层。 其中保护层包括由绝缘体构成的下保护层; 设置在下保护层上的金属纳米结构; 并且在金属纳米结构体上配置由绝缘体构成的上部保护层。
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公开(公告)号：KR101911603B1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：KR1020160116174
申请日：2016-09-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은메탈메쉬투명전극에관한것으로, 본발명의제1 실시예에따른메탈메쉬투명전극은기판(10), 다수의관통공을구비하는메쉬형태로형성되고, 기판(10)의일면에배치되는메탈메쉬층(20) 및메탈메쉬층(20)을커버하며, 관통공에충진되는버퍼층(30)을포함한다.
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公开(公告)号：KR20180028631A
公开(公告)日：2018-03-19
申请号：KR20160116174
申请日：2016-09-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01B5/14 , B32B15/02 , B32B15/08 , B32B15/18 , B32B15/20 , B32B2311/08 , B32B2311/12 , B32B2311/18 , B32B2311/20 , B32B2311/24 , B32B2311/30
Abstract: 본발명은메탈메쉬투명전극에관한것으로, 본발명의제1 실시예에따른메탈메쉬투명전극은기판(10), 다수의관통공을구비하는메쉬형태로형성되고, 기판(10)의일면에배치되는메탈메쉬층(20) 및메탈메쉬층(20)을커버하며, 관통공에충진되는버퍼층(30)을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明第一实施例的金属丝网透明电极形成为具有基板10和多个通孔的网状，并形成在基板10的表面上 以及覆盖金属网格层20和金属网格层20的缓冲层30，以将其布置和填充在通孔中。
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