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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2017188658A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/004218
申请日：2017-04-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/02 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 산화물 박막 트렌지스터를 제공한다. 이 산화물 박막 트렌지스터는 기판; 상기 기판에서 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 가로지르도록 배치되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 배치되고 상기 게이트 전극의 양측에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 이격되어 배치되는 소오스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소오스 전극과 상기 드렌인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층 상에 배치되는 보호층을 포함한다. 상기 보호층은 절연체로 구성된 하부 보호층; 상기 하부 보호층 상에 배치된 금속 나노 구조체; 및 절연체로 구성되고 상기 금속 나노 구조체 상에 배치된 상부 보호층을 포함한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管。 氧化物薄膜晶体管包括衬底; 在基板上沿第一方向延伸的栅电极; 栅极绝缘膜，设置在所述栅电极上并被设置为与所述栅电极交叉; 氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在所述栅极绝缘层上并且在所述栅极电极的两侧沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸; 源电极和漏电极，设置在氧化物半导体层上并且在栅电极周围彼此间隔开; 以及设置在源电极和漏电极之间的暴露的氧化物半导体层上的保护层。 其中保护层包括由绝缘体构成的下保护层; 设置在下保护层上的金属纳米结构; 并且在金属纳米结构体上配置由绝缘体构成的上部保护层。
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公开(公告)号：KR101818339B1
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR1020160053347
申请日：2016-04-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/02 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/786
Abstract: 본발명은산화물박막트렌지스터를제공한다. 이산화물박막트렌지스터는기판; 상기기판에서제1 방향으로연장되는게이트전극; 상기게이트전극상에배치되고상기게이트전극을가로지르도록배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되고상기게이트전극의양측에서상기제1 방향에수직한제2 방향으로연장되는산화물반도체층; 상기산화물반도체층상에배치되고상기게이트전극을중심으로서로이격되어배치되는소오스전극및 드레인전극; 및상기소오스전극과상기드렌인전극사이의노출된산화물반도체층상에배치되는보호층을포함한다. 상기보호층은절연체로구성된하부보호층; 상기하부보호층상에배치된금속나노구조체; 및절연체로구성되고상기금속나노구조체상에배치된상부보호층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020180007621A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：KR1020160088903
申请日：2016-07-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L2933/0016 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/14 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명의일 실시예에따른수평형발광다이오드소자는기판; 상기기판상에배치된 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치된활성층; 상기활성층상에배치된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치된전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에배치된 p 전극; 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기활성층, 및상기 n형 GaN층의일부를제거하여형성된메사영역; 상기메0사영역의일부또는전부에서상기 n형 GaN층상에배치된투명창문층; 상기투명창문층을관통하여상기 n형 GaN층에접촉하는복수의콘택플러그; 및상기투명창문층상에배치되고상기콘택플러그를연결하는 n 전극을포함한다. 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 및상기활성층은서로수직으로정렬되어발광영역을제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供了一种水平平板型发光二极管器件，包括：衬底; 设置在衬底上的n型GaN层; 设置在n型GaN层上的有源层; 设置在有源层上的p型GaN层; 设置在p型GaN层上的电流扩展层; 设置在电流扩展层上的p电极; 通过去除所述电流扩展层的一部分，所述p型GaN层，所述有源层和所述n型GaN层而形成的台面区域; 设置在部分或全部存储区中的n型GaN层上的透明窗口层; 多个接触插塞，其穿透透明窗口层并接触n型GaN层; 以及设置在透明窗口层上并连接接触插塞的n电极。 电流扩展层，p型GaN层和有源层彼此垂直对准以提供发光区域。
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公开(公告)号：KR101845611B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020160088903
申请日：2016-07-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명의일 실시예에따른수평형발광다이오드소자는기판; 상기기판상에배치된 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치된활성층; 상기활성층상에배치된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치된전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에배치된 p 전극; 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기활성층, 및상기 n형 GaN층의일부를제거하여형성된메사영역; 상기메0사영역의일부또는전부에서상기 n형 GaN층상에배치된투명창문층; 상기투명창문층을관통하여상기 n형 GaN층에접촉하는복수의콘택플러그; 및상기투명창문층상에배치되고상기콘택플러그를연결하는 n 전극을포함한다. 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 및상기활성층은서로수직으로정렬되어발광영역을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170123958A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020160053347
申请日：2016-04-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/02 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L29/0665 , H01L29/413 , H01L29/78606 , H01L29/78618
Abstract: 본발명은산화물박막트렌지스터를제공한다. 이산화물박막트렌지스터는기판; 상기기판에서제1 방향으로연장되는게이트전극; 상기게이트전극상에배치되고상기게이트전극을가로지르도록배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되고상기게이트전극의양측에서상기제1 방향에수직한제2 방향으로연장되는산화물반도체층; 상기산화물반도체층상에배치되고상기게이트전극을중심으로서로이격되어배치되는소오스전극및 드레인전극; 및상기소오스전극과상기드렌인전극사이의노출된산화물반도체층상에배치되는보호층을포함한다. 상기보호층은절연체로구성된하부보호층; 상기하부보호층상에배치된금속나노구조체; 및절연체로구성되고상기금속나노구조체상에배치된상부보호층을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管。 氧化物薄膜晶体管包括衬底; 在基板上沿第一方向延伸的栅电极; 栅极绝缘膜，设置在所述栅电极上并被设置为与所述栅电极交叉; 它被布置在栅极绝缘层和氧化物半导体层和在第二方向上垂直于所述第一方向上在栅电极的两侧上延伸; 氧化物源和设置在半导体层中且彼此间隔开的相对于所述栅电极和漏电极; 和设置在所述源电极和所述deuren电极之间暴露的半导体氧化物层上的保护层。 其中保护层包括由绝缘体构成的下保护层; 设置在下保护层上的金属纳米结构; 并且在金属纳米结构体上配置由绝缘体构成的上部保护层。
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