公开(公告)号：KR101666748B1

公开(公告)日：2016-10-17

申请号：KR1020150068619

申请日：2015-05-18

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김동환 ,  이해석 ,  강윤묵 ,  이승훈 ,  김영도 ,  박효민 ,  김성탁 ,  정태원

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/046 ,  C01G23/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 페로브스카이트태양전지모듈은제1 셀영역및 제2 셀영역으로구획된투명기판및 투명기판상에제1 및제2 셀영역들각각에형성되고, 투명전극, 페로브스카이트물질로이루어진흡수층, 흡수층으로부터정공이유입되는금속전극및 흡수층및 금속전극사이에개재되며정공을금속전극으로전달하는홀전도층을각각구비하는제1 및제2 페로브스카이트태양전지셀들을포함하고, 금속전극은제2 페로브스카이트태양전지셀에포함된투명전극에연결되며, 제1 및제2 페로브스카이트태양전지셀들을전기적으로연결시키는연결부를포함하고, 홀전도층은흡수층및 상기연결부사이에개재되어, 흡수층으로부터연결부로, 전자의이동을억제하는동시에정공의이동을용이하게하는절연부를포함한다.

公开(公告)号：KR101666308B1

公开(公告)日：2016-10-14

申请号：KR1020150067550

申请日：2015-05-14

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김동환 ,  이해석 ,  강윤묵 ,  김찬석 ,  김영도 ,  박성은

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0465

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 반도체전극구조물의형성방법에있어서, 반도체베이스상에금속페이스트를이용하여적어도하나의예비전극을형성한후, 상기예비전극및 상기반도체베이스사이에연결된전원을이용하여상기반도체베이스에전자를공급하면서상기예비전극을소성하여, 상기예비전극을전극으로변환시킨다. 이로써상기반도체베이스및 상기전극사이의접촉저항이감소될수 있다.

公开(公告)号：KR101626248B1

公开(公告)日：2016-05-31

申请号：KR1020150003224

申请日：2015-01-09

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김동환 ,  이해석 ,  강윤묵 ,  김영도 ,  김현호

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 실리콘태양전지는제1 타입의불순물이도핑된결정질실리콘기판, 결정질실리콘기판상에형성되는터널산화물박막, 터널산화물박막상에형성되고제1 도핑원자로도핑된폴리실리콘박막, 폴리실리콘박막상에형성된반사방지막, 반사방지막상에형성되며, 폴리실리콘박막과전기적으로연결된상부전극, 결정질실리콘기판의하부에배치되며제2 도핑원자로도핑된비정질실리콘박막, 결정질실리콘기판및 비정질실리콘박막사이에개재된패시베이션박막및 비정질실리콘박막의하부에배치되며, 비정질실리콘박막과전기적으로연결된하부전극구조물을포함한다.

Abstract translation: 硅太阳能电池包括：掺杂有第一类杂质的晶体硅衬底; 形成在晶体硅衬底上的隧道氧化物薄膜; 在隧道氧化物薄膜上形成掺杂有第一掺杂原子的多晶硅薄膜; 形成在多晶硅薄膜上的抗反射膜; 形成在所述防反射膜上并与多晶硅薄膜电连接的上电极; 非晶硅薄膜，设置在晶体硅衬底的下部并掺杂有第二掺杂原子; 夹在晶体硅衬底和非晶硅薄膜之间的钝化薄膜; 以及设置在非晶硅薄膜的下部并电连接到非晶硅薄膜的下电极结构。 根据本发明，可以抑制光吸收损失。