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公开(公告)号：WO2017111492A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/KR2016/015090
申请日：2016-12-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 세포 배양 어세이를 이용한 약물 평가 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 유닛을 포함하는 3차원 세포 배양 어세이를 이용한 약물 평가 방법은 (a) 상기 각 유닛 별로, 환자의 조직에서 분리된 세포와 서로 다른 세포외기질 겔을 혼합시킨 솔루션(solution) 및 서로 다른 배양 배지를 주입하는 단계, (b) 상기 각 유닛 별로, 상기 배양 배지가 상기 세포외기질 겔과 혼합된 세포로 공급됨에 따른 상기 세포의 생존률을 평가하는 단계 및 (c) 상기 세포의 생존률이 가장 높은 유닛에 주입된 세포외기질 겔과 배양 배지의 정보를 포함하는 세포 배양 조건을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 提供了使用细胞培养测定法的药物评估方法。 使用化验包括根据多个单元与本发明的一个实施例的3D细胞培养物控制药物的评价方法为（a）其中，对于每个单元，混合细胞与从患者的组织中分离出每个其它细胞外基质凝胶 评价是溶液（溶液），注入培养基的步骤不同，（b）该各单元的存活力，根据细胞作为培养基被供给到细胞外基质凝胶与细胞和（混合 c）确定细胞培养条件，包括关于细胞外基质凝胶和注入具有最高细胞存活率的单元的培养基的信息。
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公开(公告)号：KR101814111B1
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：KR1020110088323
申请日：2011-09-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 본발명에서는리본스트링법으로실리콘웨이퍼를제조하는방법에있어서, 도가니에벌크(bulk) 상태의실리콘이용융된융액을공급하는단계; 상기도가니에스트링을통과시키고, 스트링사이에단결정실리콘시드층을용융된실리콘과접촉시키는단계; 상기스트링을끌어올려이동시켜스트링사이에리본결정을형성하는단계; 및상기형성된리본결정에서스트링을제거하는단계;를포함하는대면적의단결정실리콘웨이퍼제조방법이제공된다.
Abstract translation: 在本发明中，该方法包括在本体（本体）在用于制造硅晶片作为串带的制造方法的方法中，坩埚中的硅熔融液的熔融状态的供应; 将绳穿过坩埚并使单晶硅籽晶层与绳之间的熔融硅接触; 将琴弦向上拉，在弦之间形成带状晶体; 本发明还提供了一种制造具有大面积的单晶硅晶片的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170074503A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150183854
申请日：2015-12-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 세포배양어세이를이용한약물평가방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른복수의유닛을포함하는 3차원세포배양어세이를이용한약물평가방법은 (a) 상기각 유닛별로, 환자의조직에서분리된세포와서로다른세포외기질겔을혼합시킨솔루션(solution) 및서로다른배양배지를주입하는단계, (b) 상기각 유닛별로, 상기배양배지가상기세포외기질겔과혼합된세포로공급됨에따른상기세포의생존률을평가하는단계및 (c) 상기세포의생존률이가장높은유닛에주입된세포외기질겔과배양배지의정보를포함하는세포배양조건을결정하는단계를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 提供了使用细胞培养分析评估药物的方法。 使用包括根据多个单元与本发明的一个实施例中相同的培养物测定三维细胞药物评价方法为（a）其中，对于每个单元，从患者的组织中分离和彼此通过混合不同的细胞外基质凝胶 溶液（溶液），和用于植入所述其他培养基另一步骤中，（b）其中对于每个单元，步骤，以及（c）评价根据随着培养供给到细胞外基质凝胶和混合细胞介质虚拟干细胞的细胞的存活率 并且确定细胞培养条件，包括注入具有最高细胞存活率的单元的培养基和细胞外基质凝胶的信息。
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公开(公告)号：KR1020160117770A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020150045138
申请日：2015-03-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/0236 , H01L31/0256 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: PN 접합을이루는기판상에형성되는이중막패시베이션구조물은상기기판상에형성되며, 상기기판과의계면결함을억제하는진성비정질실리콘물질로이루어진제1 패시베이션박막및 상기제1 패시베이션박막상에형성되며, 캐리어의재결합을억제하는제2 배시베이션박막을포함한다. 이로써계면트랩밀도가감소되며, 고정전하효과가개선될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130025046A
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：KR1020110088323
申请日：2011-09-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02P70/521 , C30B15/34 , C30B15/08 , C30B15/14 , C30B15/36 , C30B35/00 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a single crystal silicon wafer of a large area is provided to reduce manufacturing costs by not performing a cutting process after a ribbon crystal is grown. CONSTITUTION: Bulk type silicon melt is supplies to a crucible. A string(15) passes through the crucible. A single crystal silicon seed layer(17) is contacted with the silicon melt between the strings. A ribbon crystal is formed between the strings by moving the string. The string is removed from the ribbon crystal.
Abstract translation: 目的：提供大面积制造单晶硅晶片的方法，以便在生长带状晶体之后不进行切割处理来降低制造成本。 构成：散装型硅熔体供应到坩埚。 弦（15）穿过坩埚。 单晶硅种子层（17）与串之间的硅熔体接触。 通过移动弦线，在弦之间形成带状晶体。 将串从带状晶体中取出。
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公开(公告)号：KR101626248B1
公开(公告)日：2016-05-31
申请号：KR1020150003224
申请日：2015-01-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0392 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 실리콘태양전지는제1 타입의불순물이도핑된결정질실리콘기판, 결정질실리콘기판상에형성되는터널산화물박막, 터널산화물박막상에형성되고제1 도핑원자로도핑된폴리실리콘박막, 폴리실리콘박막상에형성된반사방지막, 반사방지막상에형성되며, 폴리실리콘박막과전기적으로연결된상부전극, 결정질실리콘기판의하부에배치되며제2 도핑원자로도핑된비정질실리콘박막, 결정질실리콘기판및 비정질실리콘박막사이에개재된패시베이션박막및 비정질실리콘박막의하부에배치되며, 비정질실리콘박막과전기적으로연결된하부전극구조물을포함한다.
Abstract translation: 硅太阳能电池包括：掺杂有第一类杂质的晶体硅衬底; 形成在晶体硅衬底上的隧道氧化物薄膜; 在隧道氧化物薄膜上形成掺杂有第一掺杂原子的多晶硅薄膜; 形成在多晶硅薄膜上的抗反射膜; 形成在所述防反射膜上并与多晶硅薄膜电连接的上电极; 非晶硅薄膜，设置在晶体硅衬底的下部并掺杂有第二掺杂原子; 夹在晶体硅衬底和非晶硅薄膜之间的钝化薄膜; 以及设置在非晶硅薄膜的下部并电连接到非晶硅薄膜的下电极结构。 根据本发明，可以抑制光吸收损失。
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