公开(公告)号：KR101448842B1

公开(公告)日：2014-10-13

申请号：KR1020130070193

申请日：2013-06-19

Applicant: 엘지이노텍 주식회사 ,  고려대학교 산학협력단

Inventor： 성태연 ,  전준우 ,  염웅선 ,  한재천

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/32

Abstract: 중간층을 이용한 반사막을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법, 및 상기 방법으로 제조한 발광 다이오드가 개시된다. 발광 다이오드 제조 방법은, n형 반도체층과 p형 반도체층 사이의 활성층에서 생성된 광을 반사하는 반사막층을 포함하는 발광 다이오드를 제조하는 방법으로서, 반사막층의 제조는, 제 1 반사막 층을 형성하는 단계, 제 1 반사막층 상에 제 1 반사막층과 다른 성분의 중간층을 형성하는 단계, 및 중간층상에 제 2 반사막 층을 형성하는 단계를 포함하며, 중간층은 열처리시 제 2 반사막층으로 확산하는 성분의 금속이다. 이와 같이, 반사막층 사이에 반사막층으로 확산하는 금속 성분의 중간층을 삽입하는 경우, 반사막의 열안정성을 향상시킬 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR101310773B1

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020120006324

申请日：2012-01-19

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 성태연 ,  염웅선 ,  전준우

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/10

Abstract: 본 발명은 반사막을 포함하는 패턴사파이어 기판을 이용한 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광다이오드의 광출력의 향상을 위해 내부 반사판을 포함하는 패턴 사파이어 기판 (PSS)를 이용한 발광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 사파이어 기판 내부의 반사막은 사파이어 표면의 요철의 광산란점에서 하단으로 산란된 빛을 다시 반사시켜 상부로 보내는 역할을 하므로 발광소자의 상단으로 방출되는 빛의 양과 효율을 증가시킬 수 있다. 또한 반사막에 의한 자동적인 사파이어 패턴 형성으로 공정의 효율을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR101297788B1

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：KR1020120028725

申请日：2012-03-21

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 성태연 ,  염웅선 ,  전준우

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36

Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to reduce light efficiency droop, thereby generating high power. CONSTITUTION: An n-type semiconductor layer is formed on a substrate. An electron barrier layer (103) is formed on the n-type semiconductor layer. An active layer (104) is formed on the electron barrier layer. A p-type semiconductor layer (105) is formed on the active layer. An undoped semiconductor layer is formed between the n-type semiconductor layer and the electron barrier layer.

Abstract translation: 目的：提供发光器件以降低光效下降，从而产生高功率。 构成：在衬底上形成n型半导体层。 在n型半导体层上形成电子势垒层（103）。 在电子势垒层上形成有源层（104）。 在有源层上形成p型半导体层（105）。 在n型半导体层和电子势垒层之间形成未掺杂的半导体层。

公开(公告)号：KR101101954B1

公开(公告)日：2012-01-02

申请号：KR1020100048268

申请日：2010-05-24

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 성태연 ,  전준우 ,  박성한 ,  정세연

IPC: H01L33/38

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 질소 극성 표면에 확산방지층이 형성된 구조를 포함하여 저온 처리 시에도 오믹특성을 유지할 수 있는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 확산방지층을 가지는 전극구조체를 구비한 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자는, 확산방지층이 n-GaN의 Ga이 전극구조체로 확산되는 것을 막는 역할을 하여 저온 처리 시에도 열적 안정성을 확보하여 오믹특성을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 질화물 발광다이오드 n형 전극으로서 안정적인 동작을 수행할 수 있게 하는 장점을 가진다. 따라서, 본 발명에 따르면 전기적 또는 열적 안정성이 향상된 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자를 사용할 수 있다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020110128682A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：KR1020100048268

申请日：2010-05-24

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 성태연 ,  전준우 ,  박성한 ,  정세연

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0008

Abstract: PURPOSE: A vertical structured group III n-type nitride-based semiconductor device and a light emitting diodes including the same are provided to maintain an ohmic characteristic in a low temperature treatment by including a diffusion preventing layer on the nitrogen polar surface of a semiconductor device. CONSTITUTION: A vertical structured group III n-type nitride-based semiconductor device includes a structure in which a diffusion preventing layer(70) is formed on the nitrogen polar surface of a semiconductor device. The semiconductor device includes a structure with the composition expression of In x Aly Ga(1-x-y) Ns (0

Abstract translation: 目的：提供一种垂直结构III族n型氮化物基半导体器件和包括该半导体器件的发光二极管，以通过在半导体器件的氮极性表面上包括扩散防止层来保持低温处理中的欧姆特性 。 构成：垂直结构化的III族n型氮化物基半导体器件包括在半导体器件的氮极性表面上形成扩散防止层（70）的结构。 半导体器件包括具有In x Aly Ga（1-x-y）Ns（0≤x≤1,0<= y <=1,0.0≤x+ y <= 1）的组成表达式的结构。 扩散防止层由与硼组合的金属化合物构成。 扩散防止层的厚度为5〜200nm。

公开(公告)号：KR100910365B1

公开(公告)日：2009-08-04

申请号：KR1020070056871

申请日：2007-06-11

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 성태연 ,  윤주헌 ,  홍현기 ,  전준우 ,  김용현 ,  김진수

IPC: H01L33/12

Abstract: 본 발명은 수직형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층을 이용하여 극성이 바뀐 질화갈륨 클래딩층을 포함하는 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 N형 지지물질층, N형 반사막 오믹컨택층, N형 질화갈륨 클래딩층, 활성층, P형 질화갈륨 클래딩층 및 P형 투명 오믹컨택층이 차례대로 적층되어 있는 단면구조를 가지는 수직형 질화물계 발광소자에 있어서, 상기 활성층과 P형 질화갈륨 클래딩층 사이에, 인듐(In)이 도핑된 질화갈륨(GaN) 버퍼층을 구비하여, 상기 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층에서 성장하는 상기 P형 질화갈륨 클래딩층은 P형 투명 오믹컨택층과 마주하는 면이 갈륨 극성을 가지도록 한 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자를 제공한다.
수직형 질화물계 발광소자, 갈륨 극성, 질소 극성, 오믹컨택층