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公开(公告)号：KR102230329B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020190057059A
申请日：2019-05-15
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 마이크로 입자의 대량 생산 방법 및 이를 통해 제조된 마이크로 입자를 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 입자의 대량 생산 방법은 압전 소자를 포함하는 액적 분사 장치에 구비된 노즐을 통해 고분자 용액이 분사되어 액적이 형성되는 단계; 상기 액적이 가열로를 통과하면서 마이크로 입자가 형성되는 단계; 및 상기 마이크로 입자를 회수하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR102230329B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020190057059
申请日：2019-05-15
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은마이크로입자의대량생산방법및 이를통해제조된마이크로입자를개시한다. 본발명의실시예에따른마이크로입자의대량생산방법은압전소자를포함하는액적분사장치에구비된노즐을통해고분자용액이분사되어액적이형성되는단계; 상기액적이가열로를통과하면서마이크로입자가형성되는단계; 및상기마이크로입자를회수하는단계를포함하는것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102026894B1
公开(公告)日：2019-09-30
申请号：KR1020180019930
申请日：2018-02-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H03C7/02
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公开(公告)号：KR100910365B1
公开(公告)日：2009-08-04
申请号：KR1020070056871
申请日：2007-06-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/12
Abstract: 본 발명은 수직형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층을 이용하여 극성이 바뀐 질화갈륨 클래딩층을 포함하는 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 N형 지지물질층, N형 반사막 오믹컨택층, N형 질화갈륨 클래딩층, 활성층, P형 질화갈륨 클래딩층 및 P형 투명 오믹컨택층이 차례대로 적층되어 있는 단면구조를 가지는 수직형 질화물계 발광소자에 있어서, 상기 활성층과 P형 질화갈륨 클래딩층 사이에, 인듐(In)이 도핑된 질화갈륨(GaN) 버퍼층을 구비하여, 상기 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층에서 성장하는 상기 P형 질화갈륨 클래딩층은 P형 투명 오믹컨택층과 마주하는 면이 갈륨 극성을 가지도록 한 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자를 제공한다.
수직형 질화물계 발광소자, 갈륨 극성, 질소 극성, 오믹컨택층-
公开(公告)号：KR1020200132113A
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：KR1020190057059
申请日：2019-05-15
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은마이크로입자의대량생산방법및 이를통해제조된마이크로입자를개시한다. 본발명의실시예에따른마이크로입자의대량생산방법은압전소자를포함하는액적분사장치에구비된노즐을통해고분자용액이분사되어액적이형성되는단계; 상기액적이가열로를통과하면서마이크로입자가형성되는단계; 및상기마이크로입자를회수하는단계를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020090003446A
公开(公告)日：2009-01-12
申请号：KR1020070056871
申请日：2007-06-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/12
Abstract: The vertical type nitride semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof are provided to use the ohmic electrode material suitable for the gallium polarity. The vertical type nitride semiconductor light-emitting device has N type supporting material layer(230), N type reflective film ohmic contact layer(220), N type GaN cladding layer(210), active layer(240), P-type GaN cladding layer(260) and the P-type transparency ohmic contact layer(270). The In-doped GaN (GaN) buffer layer(250) is formed between the active layer and P-type GaN cladding layer. The P-type GaN cladding layer growing in the In -doped gallium nitride buffer layer has the opposite surface to the P-type transparency ohmic contact layer having the gallium polarity. The In-doped thickness of the gallium nitride buffer layer is about 50~250 nm.
Abstract translation: 提供垂直型氮化物半导体发光器件及其制造方法来使用适用于镓极性的欧姆电极材料。 垂直型氮化物半导体发光器件具有N型支撑材料层（230），N型反射膜欧姆接触层（220），N型GaN覆层（210），有源层（240），P型GaN覆层 层（260）和P型透明欧姆接触层（270）。 In有源GaN（GaN）缓冲层（250）形成在有源层和P型GaN包覆层之间。 在掺杂氮化镓缓冲层中生长的P型GaN覆层具有与具有镓极性的P型透明欧姆接触层相反的表面。 氮化镓缓冲层的In掺杂厚度约为50〜250nm。
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