公开(公告)号：KR1020130009364A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：KR1020110070418

申请日：2011-07-15

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김규태 ,  허정환 ,  박종혁

IPC: G01N27/12

Abstract: PURPOSE: A device for sensing substances using an oxide semiconductor nano rod and a manufacturing method thereof is provided to form a network structure of the oxide semiconductor nano rod between electrodes, thereby efficiently sensing hydrogen gas within a wide concentration range by improving a surface area in comparison with the volume of a sensor. CONSTITUTION: A device(100) for sensing substances using an oxide semiconductor nano rod comprises a plurality of electrodes(110) and a network structure of the oxide semiconductor nano rod. The electrodes are formed in a preset region on a substrate. The network structure is formed between preset electrodes among the plurality of electrodes.

Abstract translation: 目的：提供一种用于使用氧化物半导体纳米棒检测物质的装置及其制造方法，以形成电极之间的氧化物半导体纳米棒的网络结构，从而通过改善氧化物半导体纳米棒的表面积来有效地感测大范围内的氢气 与传感器的体积进行比较。 构成：用于感测使用氧化物半导体纳米棒的物质的装置（100）包括多个电极（110）和氧化物半导体纳米棒的网络结构。 电极形成在基板上的预设区域中。 网络结构形成在多个电极中的预置电极之间。

公开(公告)号：KR101179143B1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：KR1020100103829

申请日：2010-10-25

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김규태 ,  김동욱 ,  최수한 ,  허정환 ,  주민규 ,  김윤정 ,  전대영 ,  박소정

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/414 ,  H01L29/78

Abstract: 가스 검출 장치, 및 방법이 개시된다. 가스 검출 장치는 전류 인가부, 자계 인가부, 전압 측정부, 및 가스 검출부를 포함한다. 전계 인가부는 나노선에 전류를 인가하고, 자계 인가부는 전류의 방향과 수직 방향 성분의 자계를 나노선에 인가하고, 전압 측정부는 나노선 상에서 전류 및 자계 방향과 각각 수직인 방향의 전압을 측정하며, 가스 검출부는 측정된 전압값을 이용하여 나노선에 접촉하는 가스를 검출한다. 이와 같이, 나노선을 이용한 가스 검출에 있어서, 홀 효과를 이용함으로써, 나노선과 전극 사이에 존재하는 접촉 저항의 영향을 받지 않고 효과적으로 가스 센싱을 수행할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020110103120A

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：KR1020100022291

申请日：2010-03-12

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김규태 ,  나준홍 ,  허정환

IPC: H01L31/00

CPC classification number: G01N27/127 ,  B82Y30/00 ,  G01N27/4146

Abstract: 본 발명은 나노 물질을 브리지 회로의 저항으로 적용한 센서 시스템을 공개한다. 본 발명은 환경 변화에 대한 반응성이 뛰어난 나노 물질을 반응 물질로 이용함으로써, 보다 미세한 환경 변화에 대해서도 신뢰할 수 있는 측정 결과를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 나노 물질을 센서에 많이 이용되는 브리지회로의 저항으로 이용하고, 대상 물질의 측정에 이용되는 나노 물질 영역을 제외한 나머지 영역은 유전체로 매립하여 외부 환경에 노출되지 않도록 보호함으로써, 시간이 지남에 따라서 발생하는 센서의 성능 열화를 최소화하였다. 또한, 본 발명은 나노 물질 위에 형성된 게이트에 전압을 인가하여 나노 물질에 전계를 형성함으로써, 나노 물질의 저항을 변화시킬 수 있다. 따라서, 휘트스톤 브리지 회로의 저항을 구성하는 나노 물질의 저항을 사용자의 의도대로 설정할 수 있으며, 이에 따라서 성능 열화에 대한 저항값을 보정함으로써, 성능 열화 및 외부 잡음에 의한 측정값의 변화를 배제하고, 실제로 외부 환경 변화에 의해서 변화된 저항값만을 측정하고, 저항값에 대응되는 대상 물질의 존재 여부 및 농도를 측정할 수 있으므로, 보다 신뢰성 있는 측정이 가능하다. 또한, 본 발명은 휘트스톤 브리지 회로의 내부 평형 조건을 자동으로 조절할 수 있는 회로 장치와 하나의 반도체칩에 일체로 구현되어, 사용자가 일일이 조건을 설정할 필요없이 자동으로 오차를 보정할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100097844A

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020090016698

申请日：2009-02-27

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 하정숙 ,  박성찬 ,  허정환 ,  김규태

IPC: H01L21/336

Abstract: PURPOSE: A field effect transistor component and a manufacturing method thereof are provided to form the micro-pattern by forming a pattern after depositing a passivation layer consisting of aluminium on the top of the organic semiconductor layer. CONSTITUTION: A pentacene is deposited on the top of a substrate(S100). An electrode layer including a source electrode and a drain electrode is deposited on both sides of the pentacene(S102). The passivation layer is deposited on the top of the pentacene and the electrode layer(S104). A photoresist is coated at the upper part of the passivation layer(S106).

Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管组件及其制造方法，以在有机半导体层的顶部上沉积由铝构成的钝化层之后形成图案以形成微图案。 构成：并五苯沉积在基材的顶部（S100）。 包含源电极和漏电极的电极层沉积在并五苯的两侧（S102）。 钝化层沉积在并五苯和电极层的顶部（S104）。 在钝化层的上部涂覆光致抗蚀剂（S106）。