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公开(公告)号：KR101033806B1
公开(公告)日：2011-05-13
申请号：KR1020080007445
申请日：2008-01-24
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 실린더형 템플레이트 및 나노 점 어레이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 (a) 스티렌-메타크릴산메틸(PS-b-PMMA) 블록 공중합체 및 상기 블록 공중합체에 대해 미리 설정된 부피퍼센트를 갖는 PEO 코팅된 금 나노 입자 용액을 기판에 스핀 코팅하여 박막 시료를 제공하는 단계; (b) 외부 챔버는 미리 설정된 습도 조건을 형성하고, 상기 외부 챔버 내부에 위치한 내부 챔버는 포화 벤젠 증기 조건을 형성하여 용매 어닐링한 후, 상기 내부 챔버를 제거함으로써 상기 박막 시료 상에서 벤젠 용매의 증발이 일어나도록 하여 상기 기판 상의 실린더형 PMMA 도메인을 수직 배향하는 단계; 및 (c) 상기 수직 배향된 PMMA 도메인을 선택적으로 제거하여 다공성 나노 템플레이트를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면 친수성 나노 입자의 도입에 의해 블록 공중합체를 이용한 나노 패턴이 손쉽게 형성될 수 있도록 한다.
블록 공중합체, PEO, 나노 입자, 금, 실린더형, 패턴, 템플레이트-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100097844A
公开(公告)日：2010-09-06
申请号：KR1020090016698
申请日：2009-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336
Abstract: PURPOSE: A field effect transistor component and a manufacturing method thereof are provided to form the micro-pattern by forming a pattern after depositing a passivation layer consisting of aluminium on the top of the organic semiconductor layer. CONSTITUTION: A pentacene is deposited on the top of a substrate(S100). An electrode layer including a source electrode and a drain electrode is deposited on both sides of the pentacene(S102). The passivation layer is deposited on the top of the pentacene and the electrode layer(S104). A photoresist is coated at the upper part of the passivation layer(S106).
Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管组件及其制造方法，以在有机半导体层的顶部上沉积由铝构成的钝化层之后形成图案以形成微图案。 构成：并五苯沉积在基材的顶部（S100）。 包含源电极和漏电极的电极层沉积在并五苯的两侧（S102）。 钝化层沉积在并五苯和电极层的顶部（S104）。 在钝化层的上部涂覆光致抗蚀剂（S106）。
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公开(公告)号：KR1020090081532A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：KR1020080007445
申请日：2008-01-24
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: B82B3/0014 , B22F1/0018 , B22F2301/255 , B82B3/0038
Abstract: A method for fabricating a nano-cylindrical template and a nanoparticle array is provided to uniformly form nano-patterns. A method for fabricating a nano-cylindrical template and a nanoparticle array comprises: a first step of spin coating styrene-methacryl acid methyl block copolymer and a PEO coated gold nanoparticle solution on a substrate; a second step of annealing the substrate in a solvent under predetermined humidity condition in order to vertically arrange nano-cylindrical PMMA domain on the substrate; and a third step of selectively removing the vertically arranged PMMA domain so as to form a nanoporous template.
Abstract translation: 提供了制造纳米圆柱模板和纳米颗粒阵列的方法以均匀地形成纳米图案。 制造纳米圆柱模板和纳米颗粒阵列的方法包括：在基底上旋涂苯乙烯 - 甲基丙烯酸甲基嵌段共聚物和PEO涂覆的金纳米颗粒溶液的第一步骤; 第二步是在预定湿度条件下在溶剂中退火衬底，以便在衬底上垂直布置纳米圆柱形PMMA结构域; 以及第三步骤，选择性地除去垂直排列的PMMA结构域以形成纳米多孔模板。
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公开(公告)号：KR100839222B1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060130473
申请日：2006-12-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/203
Abstract: A pulsed laser deposition apparatus and a method for forming magnetic nano dot arrays using the same are provided to freely change a magnetic property of a composite metal nano dot array by using a single target. A pulsed laser deposition apparatus includes a substrate(190), a target(180), a target holder(160), a vacuum chamber(150), and an optical source(110). The substrate is a block copolymer template, on which a nano dot array pattern is formed. The target contains a material for a film to be formed on the substrate. The target holder mounts the target. The vacuum chamber receives the substrate, the target, and the target holder therein. The optical source emits a laser beam for vaporizing the material of the target. Plural metal layers with different kinds are formed on the same surface of the target.
Abstract translation: 提供脉冲激光沉积装置和使用其形成磁性纳米点阵列的方法，以通过使用单个目标自由地改变复合金属纳米点阵列的磁性能。 脉冲激光沉积装置包括基板（190），靶（180），靶保持器（160），真空室（150）和光源（110）。 基材是嵌段共聚物模板，其上形成纳米点阵列图案。 靶包含用于在基板上形成的膜的材料。 目标持有人安装目标。 真空室在其中接收基板，目标和目标支架。 光源发射用于蒸发靶材料的激光束。 在目标的相同表面上形成具有不同种类的多个金属层。
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公开(公告)号：KR101043688B1
公开(公告)日：2011-06-24
申请号：KR1020090016698
申请日：2009-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 전계 효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 (a) 기판 상에 유기 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 단계; (b) 상기 유기 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 패시베이션층을 증착하는 단계; (c) 리쏘그라피(lithography) 공정을 통해 상기 패시베이션층 상부에 채널 영역 형성을 위한 미세 패턴을 전사하는 단계; 및 (d) 상기 미세 패턴에 따라 상기 패시베이션층 및 유기 반도체층을 식각하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 유기 반도체층 상부에 패시베이션층을 증착하여 미세 패터닝이 가능하며, 유기 반도체층의 안정성을 높일 수 있는 장점이 있다.
유기 반도체, 펜타신, 패시베이션, 알루미나, 증착, 전계 효과 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020100097837A
公开(公告)日：2010-09-06
申请号：KR1020090016689
申请日：2009-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0047 , G03F7/012
Abstract: PURPOSE: A negative-tone electron beam lithography resist composition is provided to be economically manufactured, to easily control a crosslinked part by controlling a synthesis ratio, to easily control the thickness of the electron beam resist, and to be applied to a lithography process. CONSTITUTION: A negative-tone electron beam lithography resist composition includes a polystyrene random copolymer including an azide functional group. The dose of the electron beam resist is 40 μC/cm^2 - 116 μC/cm^2. The polystyrene random copolymer is synthesized by polymerizing a styrene monomer and 1-(chloromethyl)-4-vinylbenzene through a RAFT(reversible addition-fragmentation chain transfer) method.
Abstract translation: 目的：为了经济地制造负色电子束光刻抗蚀剂组合物，通过控制合成比容易控制交联部分，容易控制电子束抗蚀剂的厚度，并适用于光刻工艺。 构成：负电子束光刻抗蚀剂组合物包括包含叠氮官能团的聚苯乙烯无规共聚物。 电子束抗蚀剂的剂量为40μC/ cm 2〜116μC/ cm ^ 2。 聚苯乙烯无规共聚物是通过RAFT（可逆加成 - 断裂链转移）法聚合苯乙烯单体和1-（氯甲基）-4-乙烯基苯来合成的。
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