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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101184210B1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：KR1020100055030
申请日：2010-06-10
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 반구형 공진 자이로를 구성하는 반구형 공진기에 박막을 형성하는 방법이 개시된다. 본 발명과 관련된 반구형 공진기의 박막 증착방법은 반구형 공진기를 박막소스에 대하여 일정 위치로 배치하는 단계; 반구형 공진기와 상기 박막 소스 사이에 조리개를 배치하는 단계; 상기 조리개의 개도를 제1개도로 유지하여 상기 스템에 박막을 증착하는 단계; 상기 조리개의 개도를 상기 제1개도로부터 점진적으로 증대시키는 단계; 및 상기 조리개의 개도를 제2개도로 변화시켜 상기 공진기 전체에 박막을 증착하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110135234A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020100055030
申请日：2010-06-10
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for depositing of a thin metal film on a hemispherical resonator are provided to minimize the contamination of a resonator when a thin metal film is deposited on the resonator. CONSTITUTION: A method for depositing of a thin metal film on a hemispherical resonator is as follows. A hemispherical resonator(10) is arranged on a specific position of a thin film source(40). A diaphragm(30) is arranged between the hemispherical resonator and the thin film source. A thin metal film is deposited on a stem(12) of the resonator by maintaining the opening degree of the diaphragm with a first opening degree. The opening degree of the diaphragm is gradually increased. The thin metal film is deposited on the whole of the resonator by changing the opening degree of the diaphragm into a second opening degree.
Abstract translation: 目的：提供一种用于在半球形谐振器上沉积薄金属膜的方法和装置，以便在金属薄膜沉积在谐振器上时最小化谐振器的污染。 构成：在半球形谐振器上沉积薄金属薄膜的方法如下。 半球形谐振器（10）布置在薄膜源（40）的特定位置上。 在半球谐振器和薄膜源之间布置有隔膜（30）。 通过将隔膜的开度保持为第一开度，将薄金属膜沉积在谐振器的杆（12）上。 隔膜的开度逐渐增加。 通过将隔膜的开度改变为第二开度，将薄金属膜沉积在整个谐振器上。
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公开(公告)号：KR101794764B1
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020160044925
申请日：2016-04-12
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 본발명은, 온도민감도를최소화하는 MEMS 압력센서및 그제조방법에관한것으로서, 본발명의실시예에따른 MEMS 압력센서는, 압저항기를가지는 MEMS 압력센서에있어서, 비아홀이형성된글래스기판과; 상기글래스기판상에형성된실리콘기판과; 상기실리콘기판에형성된홈에채워진압저항기와; 상기실리콘기판의노출면및 상기압저항기상에형성되는절연막과; 상기절연막상에형성되고, 온도가증가함에따라저항값이감소하는온도보상저항기와; 상기온도보상저항기와상기압저항기를연결하는미세금속배선을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101663640B1
公开(公告)日：2016-10-07
申请号：KR1020150121952
申请日：2015-08-28
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L23/00 , H01L23/495 , H01L21/447
Abstract: 본발명은다이본딩용기판및 이를사용한반도체칩의다이본딩방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른다이본딩용기판은반도체칩(100)과상기반도체칩(100)을고정하는패키지(200)의사이에개재되어, 상기반도체칩(100)의접합면적을조절하기위한다이본딩용기판(300)에있어서, 상기반도체칩(100)의접합면적의중심점을기준으로형성된복수의원주상에배치되는복수개의홀(310)을포함한다. 본발명에따르면, 반도체칩과패키지사이에삽입되는다수의홀을가진다이본딩용기판을사용하여반도체칩에도포되는접착제의확산면적을제어함으로써, 반도체칩과패키지결합체의열팽창계수차이에의해발생하는열응력을저감시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101331469B1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：KR1020120041983
申请日：2012-04-23
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판과 유리 기판을 고온에서 양극접합하였을 때 상온 환경에서 발생하는 실리콘/유리 기판 결합체의 휨 현상을 저감시키기 위한 양극접합된 실리콘/유리 기판 결합체의 휨 저감방법에 관한 것으로서,
실리콘 기판(11)과 유리 기판(12)을 겹쳐 놓은 후 이들의 상측과 하측에 각각 위치된 기판 홀더(20)에 직류 전압을 인가함으로써 실리콘 기판(11)과 유리 기판(12)이 접합된 실리콘/유리 기판 결합체(10)를 만드는 양극접합공정(S1)과; 상기 실리콘/유리 기판 결합체(10)의 휨이 보정되어야 할 정도인지를 판단하는 단계(S2)와; 상기 실리콘/유리 기판 결합체(10)의 유리 기판 면에 보강용 유리 기판(15)을 추가로 접합하여 유리 기판 부분의 두께를 증대시키는 보강 공정(S3);을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라 유리 기판 부분의 두터운 두께에 의해 휨에 대하여 강인한 구조가 형성되어 실리콘/유리 기판 결합체의 휨이 개선됨은 물론 실리콘 기판에 형성된 구조물이 기판의 휨에 의한 응력을 덜 받게 되어 오프셋 전압의 발생 및 수명 저하가 방지된다.
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