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公开(公告)号:KR1020040094880A
公开(公告)日:2004-11-10
申请号:KR1020047015359
申请日:2003-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B08B7/0035 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/45504 , C23C16/45548 , F16K5/04 , F16K5/0407 , F16K5/0414 , F16K51/02
Abstract: 반응 용기를 배기하는 배기 포트의 컨덕턴스를 ALD 프로세스중은 상기 반응 용기내에 층류가 형성되도록 작게 설정할 수 있고, 퍼지 프로세즈중은 상기 반응 용기내를 단시간에 퍼지할 수 있도록 크게 설정할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치(40)의 배기 포트(201a, 201b)는 상기 층류가 흐르는 방향에 대하여 대략 직교하는 방향으로 연장되는 슬릿 형상을 갖는다. 상기 배기 포트에는 상기 슬릿 형상에 대응한 슬릿형 개구부를 갖는 밸브 본체를 구비한 로터리 밸브(25A, 25B)가 결합되어 있다. 상기 로터리 밸브에 있어서의 밸브 본체의 회전에 수반하여, 컨덕턴스가 변화한다.
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公开(公告)号:KR1019970013106A
公开(公告)日:1997-03-29
申请号:KR1019960032129
申请日:1996-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명은 단열성 부재의 위에 지지된 재치대에 재치한 피처리체를 그 아래쪽에 설치한 가열램프로 간접 가열하여 열처리를 행하는 매엽식 열처리장치에 있어서, 재치대의 이면의 주연부에 이 재치대의 이면에 처리가스가 돌아 들어가는 것을 방지하기 위한 가스침입 방지부재를 설치하도록 구성한다. 이로 인해, 재치대의 이면측에 침입하려던 가스침입 방지부재의 표면에 성막이 부착하는 것에 의해 소비된다.
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