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公开(公告)号：KR100155601B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019940014674
申请日：1994-06-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 , 도꾜일렉트론도호꾸가부시끼가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/463 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/466
Abstract: 본 발명은 가열장치에서의 열의 전달효율이 높고, 반도체웨이퍼등의 피처리체의 균열성 을 향상시킨 진공처리장치를 제공하고, 피처리체에 대한 처리의 균일성이 높은 진공처리장치를 제공하고, 진공중에 유지되는 처리실내에 정전척이나 히터의 급전용배선이 가능한 진공처리장치를 제공하고, 또한 이러한 진공처리장치에 이용되는 정전척 및 가열기능을 구비한 처리장치의 설치대를 제공하기 위한 것으로; 진공처리장치는 진공하에서 반도체 웨이퍼(W)의 성막처리를 하는 처리실과, 처리실내에 설치되어 피처리체를 설치하기 위한 설치면을 가지는 설치대와, 설치대의 설치면에 설치된 반도체 웨이퍼를 흡착시키기 위한 정전척과, 반도체 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 가열기구와, 처리실에 반도체 웨이퍼에 대해 성막처리를 실행하기 위한 처리 가스를 공급하는 처리가스공급기구를 구비한다. 설치대는 기재와, 그 기재의 표면에 형성된 제 1 절연층과 제 1 절연층위에 설치된 제 2 절연층을 가지며, 설치대의 설치면측에 있어서의 제 1 절연층과 제 2 절연층과의 사이에 도전층을 가지며, 제 1 절연층과 제 2 절연층과 도전층에 의해 상술한 정전흡착수단을 구성하고, 가열기구는 설치대의 하면측에 있어서 제 1 절연층과 제 2 절연층과의 사이에 설치된 가열체를 가진다.
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公开(公告)号：KR100753696B1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：KR1020047015359
申请日：2003-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B08B7/0035 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/45504 , C23C16/45548 , F16K5/04 , F16K5/0407 , F16K5/0414 , F16K51/02
Abstract: 반응 용기를 배기하는 배기 포트의 컨덕턴스를 ALD 프로세스중은 상기 반응 용기내에 층류가 형성되도록 작게 설정할 수 있고, 퍼지 프로세즈중은 상기 반응 용기내를 단시간에 퍼지할 수 있도록 크게 설정할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치(40)의 배기 포트(201a, 201b)는 상기 층류가 흐르는 방향에 대하여 대략 직교하는 방향으로 연장되는 슬릿 형상을 갖는다. 상기 배기 포트에는 상기 슬릿 형상에 대응한 슬릿형 개구부를 갖는 밸브체를 구비한 로터리 밸브(25A, 25B)가 결합되어 있다. 상기 로터리 밸브에 있어서의 밸브체의 회전에 수반하여, 컨덕턴스가 변화한다.
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公开(公告)号：KR1019980024574A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019970046985
申请日：1997-09-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC: H05H1/00
Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 내부에 플라즈마 발생 영역을 갖는 처리관과, 처리 표면을 갖는 기판을 지지하기 위해 상기 처리관내에 제공된 서셉터와, 처리 가스를 상기 플라즈마 발생 영역내로 도입하기 위한 가스 도입 수단을 포함한다. 플라즈마 발생 영역내에 자력선을 갖는 자계를 발생하여, 처리 가스의 플라즈마가 플라즈마 발생 영역내에 발생되도록, 상기 처리관의 외측 주변을 따라 쌍극 링 자석이 배열된다. 이 쌍극 링 자석은 타원형 트랙상에 배열된 다수의 이방성 단편 자석들을 가지며, 이들은 동일한 형상 및 사이즈를 갖고 직경 방향으로 자화된 원통형 영구 자석이다.
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公开(公告)号：KR100247532B1
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：KR1019940002756
申请日：1994-02-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01J37/3244 , H01L21/6838
Abstract: 플라즈마 처리챔버내의 플라즈마 발생용 하부전극상에 정전척으로 유지되어 있는 반도체 웨이퍼의 배면쪽에 He등의 백사이드가스를 공급하면서 플라즈마 처리를 하는 경우 백사이드 가스 도입관을 통하여 하부전극과 그라운드부재와의 사이에서 얻은 방전을 방지하기 위하여 하부전극과 그라운드부재와의 사이의 절연체내의 위치에서 가스도입관내에 축방향으로 신장하는 다수의 소직경의 통류공를 구비한 2 종류의 전기 절연재로 되는 원추형상 유로부재가 끼워넣어진다. 이것에 의하여 백사이드 가스의 가스유로의 직경이 적기때문에 방전개시 전압이 높게되어 방전을 방지할 수 있고, 또 통류공은 다수 형성되어 있으므로 커다란 콘덕턴스를 확보 할 수가 있다. 백사이드 가스는 플라즈마 처리후는 가스 도입관을 통하여 배출된다.
이것에 의하여 웨이퍼와 정전척과의 사이에 수분이 잔유하거나 처리챔버내에 수분이 잔유하는 것이 방지되고, 웨이퍼의 대전방지와 처리 챔버의 배기시간 단축이 가능하게 된다.-
公开(公告)号：KR1019940020495A
公开(公告)日：1994-09-16
申请号：KR1019940002756
申请日：1994-02-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
Abstract: 플라즈마 처리챔버내의 플라즈마 발생용 하부전극상에 정전척으로 유지되어 있는 반도체 웨이퍼의 배면쪽에 He 등의 백사이드가스를 공급하면서 플라즈마 처리를 하는 경우 백사이드 가스 도입관을 통하여 하부전극과 그라운드 부재와의 사이에서 얻은 방전을 방지하기 위하여 하부전극과 그라운드부재와의 사이의 절연체내의 위치에서 가스도입관내에 축방향으로 신장하는 다수의 소직경의 통류공을 구비한 2종류의 전기 절연재로 되는 원추형상 유로부재가 끼워넣어진다. 이것에 의하여 백사이드 가스의 가스유로의 직경이 적기 때문에 방전개시 전압이 높게되어 방전을 방지할 수 있고, 또 통류공은 다수 형성되어 있으므로 커다란 콘덕턴스를 확보할 수가 있다. 백사이드 가스는 플라즈마 처리후는 가스 도입관을 통하여 배출된다.
이것에 의하여 웨이퍼와 정전척과의 사이에 수분이 잔유하거나 처리챔버내에 수분이 잔유하는 것이 방지되고, 웨이퍼의 대전방지와 처리 챔버의 배기시간 단축이 가능하게 된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100403078B1
公开(公告)日：2004-03-26
申请号：KR1019960032129
申请日：1996-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: C23C16/45521 , C23C16/45561 , C23C16/4585 , C23C16/481 , H01L21/67017 , H01L21/67115
Abstract: A single wafer heat treatment apparatus in which an object to be treated placed on a susceptor supported on a heat insulating member is heat-treated by indirectly heating the object to be treated by means of heating lamps disposed under the susceptor, characterized in that a gas entry preventive member for preventing process gas from being turned about the back surface of the susceptor is provided on a peripheral edge portion of the back surface of the susceptor. With this, process gas having entered the back surface of the susceptor is consumed by the adherence of a formed film to the surface of the gas entry preventive member.
Abstract translation: 一种单片式热处理装置，其中放置在支撑在绝热构件上的基座上的待处理对象通过利用布置在该基座下方的加热灯间接加热待处理对象而被热处理，其特征在于， 在基座的背面的周缘部设置防止处理气体绕基座的背面旋转的防入口部件。 由此，进入基座背面的处理气体通过所形成的膜与气体侵入防止部件的表面的附着而被消耗。
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公开(公告)号：KR100383787B1
公开(公告)日：2003-08-19
申请号：KR1019970046985
申请日：1997-09-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC: H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/3266
Abstract: A plasma process device includes a process vessel (3) having a plasma generating area therein, a susceptor (6) provided in the process vessel for supporting a substrate (W) having a process surface, and a gas inlet means (23) for introducing a process gas into the plasma generating area. A dipole ring magnet (41) is arranged around the outer periphery of the process vessel, for generating a magnetic field having a magnetic line of force in the plasma generating area, so that a plasma of the process gas is generated in the plasma generating area. The dipole ring magnet has a plurality of anisotropic segment magnets arranged on an oval track, which are cylindrical permanent magnets having the same shape and size and magnetized in the diameter direction.
Abstract translation: 一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：内部具有等离子体发生区域的处理容器（3）;设置在该处理容器内并支撑具有处理面的基板（W）的基座（6）;以及气体导入装置（23） 处理气体进入等离子体发生区域。 为了在等离子体产生区域产生具有磁力线的磁场，在处理容器的外周配置偶极环形磁铁（41），在等离子体产生区域产生处理气体的等离子体 。 偶极环形磁铁具有多个布置在椭圆形轨道上的各向异性扇形段磁铁，它们是具有相同形状和尺寸并沿直径方向磁化的圆柱形永久磁铁。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1019950001879A
公开(公告)日：1995-01-04
申请号：KR1019940014674
申请日：1994-06-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 , 도꾜일렉트론도호꾸가부시끼가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 가열장치에서의 열의 전달효율이 높고, 반도체 웨이퍼등의 피처리체의 균열성을 향상시킨 진공처리장치를 제공하고, 피처리체에 대한 처리의 균일성이 높은 진공처리장치를 제공하고, 진공중에 유지되는 처리실내에 정전척이나 히터의 금전용배선이 가능한 진공처리장치를 제공하고, 또한 이러한 진공처리장치에 이용되는 정전척 및 가열기능을 구비한 처리장치의 설치대를 제공하기 위한 것으로, 진공처리장치는 진공하에서 반도체 웨이퍼(W)의 성막처리를 하는 처리실과, 처리실내에 설치되어 피처리체를 설치하기 위한 설치면을 가지는 설치대와, 설치대의 설치면에 설치된 반도체 웨이퍼를 흡착시키기 위한 정전척과, 반데체 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 가열기구와, 처리실에 반도체 웨이퍼에 대해 성막처리를 실행하기 위한 처리가스 공급하는 처리가스공급기구를 구비한다. 설치대는 기재와, 그 기재의 표면에 형성된 제1절연층과 제1절연층위에 설치된 제2절연층을 가지며, 설치대의 설치면측에 있어서의 제1절연층과 제2절연층과의 사이에 도전층을 가지며, 제1절연층과 제2절연층과 도전층에 의해 상술한 정전흡착수단을 구성하고, 가열기구는 설치대의 하면측에 있어서 제1절연층과 제2절연층과의 사이에 설치된 가열체를 가진다.
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公开(公告)号：KR100810783B1
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：KR1020077004816
申请日：2003-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 반응 용기를 배기하는 배기 포트의 컨덕턴스를 ALD 프로세스중은 상기 반응 용기내에 층류가 형성되도록 작게 설정할 수 있고, 퍼지 프로세즈중은 상기 반응 용기내를 단시간에 퍼지할 수 있도록 크게 설정할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치(40)의 배기 포트(201a, 201b)는 상기 층류가 흐르는 방향에 대하여 대략 직교하는 방향으로 연장되는 슬릿 형상을 갖는다. 상기 배기 포트에는 상기 슬릿 형상에 대응한 슬릿형 개구부를 갖는 밸브체를 구비한 로터리 밸브(25A, 25B)가 결합되어 있다. 상기 로터리 밸브에 있어서의 밸브체의 회전에 수반하여, 컨덕턴스가 변화한다.
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公开(公告)号：KR1020070032091A
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020077004816
申请日：2003-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 반응 용기를 배기하는 배기 포트의 컨덕턴스를 ALD 프로세스중은 상기 반응 용기내에 층류가 형성되도록 작게 설정할 수 있고, 퍼지 프로세즈중은 상기 반응 용기내를 단시간에 퍼지할 수 있도록 크게 설정할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치(40)의 배기 포트(201a, 201b)는 상기 층류가 흐르는 방향에 대하여 대략 직교하는 방향으로 연장되는 슬릿 형상을 갖는다. 상기 배기 포트에는 상기 슬릿 형상에 대응한 슬릿형 개구부를 갖는 밸브체를 구비한 로터리 밸브(25A, 25B)가 결합되어 있다. 상기 로터리 밸브에 있어서의 밸브체의 회전에 수반하여, 컨덕턴스가 변화한다.
Abstract translation: 排气口向反应容器排气ALD工艺的电导，从而在反应容器中形成的层流，其可以在很大程度上被设置为清除内部的基板处理装置可以被设定得较小，则吹扫所述反应容器的临SEZ在很短的时间周期 等等。 基板处理装置40的排气口201a，201b具有沿与层流的流动方向大致正交的方向延伸的狭缝状。 排气口与具有具有与狭缝形状对应的狭缝状开口的阀体的旋转阀25A，25B连结。 随着旋转阀中阀体的旋转，电导会改变。
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