-
公开(公告)号：KR101988090B1
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：KR1020160162797
申请日：2016-12-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
-
公开(公告)号：KR101775821B1
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020160030885
申请日：2016-03-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/14 , C23C16/4481 , C23C16/45561
Abstract: [과제] 고체원료를승화한원료를캐리어가스와함께소비구역에공급하는것에즈음해, 원료의승화유량을안정시키는것. [해결수단] 원료용기(3A, 3B)에서고체원료를승화시킴과동시에, 원료용기(3A, 3B)에캐리어가스도입로(411, 412)로부터캐리어가스를토출하고, 승화한원료를캐리어가스와함께원료가스유로(421, 422)에서성막처리부(11)에송출한다. 원료가스유로(421, 422)에있어서의가스유량으로부터캐리어가스도입로(411, 412)에있어서의가스유량을공제한가스유량의변동률 P가 10% 이하가되도록, 캐리어가스의유량을설정한다. 이캐리어가스의유량은, 승화한원료에는캐리어가스가도달하지만, 고체원료의표면에는거의도달하지않는유량이므로, 고체원료의잔량의변화에대한원료의승화유량이안정되어, 성막처리부(11)에서는안정된막 질의박막을성막할수 있다.
Abstract translation: [问题]为了稳定提供将固体原料与载气一起升华到消耗区域的原料中的原料的升华流速。 在原料容器（3A，3B）中使固体物质升华，从载气导入通路（411,412）将载气排出到原料容器（3A，3B） 原料气体流路421,422中的成膜部11。 原料气体流路（421,422）在负在载体中的气体流与来自气体的在P的流量的气体入口（411，412）的气体流率是这样一种程度的可变性，超过10％，并且将载气的流率 。 载气，升华原料的流量，载体气体达到，但是，由于流率几乎没有达到固体原料的表面上，作为原料的在固体材料保持稳定，成膜处理单元11的变化的升华速率 可以形成稳定的薄膜状薄膜。
-
公开(公告)号：KR100155601B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019940014674
申请日：1994-06-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 , 도꾜일렉트론도호꾸가부시끼가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/463 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/466
Abstract: 본 발명은 가열장치에서의 열의 전달효율이 높고, 반도체웨이퍼등의 피처리체의 균열성 을 향상시킨 진공처리장치를 제공하고, 피처리체에 대한 처리의 균일성이 높은 진공처리장치를 제공하고, 진공중에 유지되는 처리실내에 정전척이나 히터의 급전용배선이 가능한 진공처리장치를 제공하고, 또한 이러한 진공처리장치에 이용되는 정전척 및 가열기능을 구비한 처리장치의 설치대를 제공하기 위한 것으로; 진공처리장치는 진공하에서 반도체 웨이퍼(W)의 성막처리를 하는 처리실과, 처리실내에 설치되어 피처리체를 설치하기 위한 설치면을 가지는 설치대와, 설치대의 설치면에 설치된 반도체 웨이퍼를 흡착시키기 위한 정전척과, 반도체 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 가열기구와, 처리실에 반도체 웨이퍼에 대해 성막처리를 실행하기 위한 처리 가스를 공급하는 처리가스공급기구를 구비한다. 설치대는 기재와, 그 기재의 표면에 형성된 제 1 절연층과 제 1 절연층위에 설치된 제 2 절연층을 가지며, 설치대의 설치면측에 있어서의 제 1 절연층과 제 2 절연층과의 사이에 도전층을 가지며, 제 1 절연층과 제 2 절연층과 도전층에 의해 상술한 정전흡착수단을 구성하고, 가열기구는 설치대의 하면측에 있어서 제 1 절연층과 제 2 절연층과의 사이에 설치된 가열체를 가진다.
-
公开(公告)号：KR1020170065007A
公开(公告)日：2017-06-12
申请号：KR1020160162797
申请日：2016-12-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4481
Abstract: 본발명은, 원료용기에수용된고체또는액체인원료를기화한가스를포함하는원료가스를성막처리부에공급함에있어, 원료용기내의원료의잔량을높은정밀도로측정하는것을과제로하고있다. 원료용기(14)에캐리어가스를공급하기위한캐리어가스공급로(12)에 MFC(1)를마련하고, 원료가스공급로(32)에 MFM(3)를마련하고있다. 또, 원료가스공급로(32)에희석가스를공급하기위한희석가스공급로(22)에 MFC(2)를마련하고있다. 그리고, MFM(3)의측정값으로부터의 MFC(1)의측정값과, MFC(2)의측정값의합계값을뺀 오프셋값을구하고, MFM(3)의측정값으로부터 MFC(1)의측정값및 MFC(2)의측정값의합계값을뺀 값으로부터, 오프셋값을빼서, 원료의유량의실측값을구하고, 원료의중량의실측값을구하고있다. 그리고, 원료용기내의초기의충전량(신품의원료용기의충전량)으로부터원료의유량의실측값의적산값을빼서, 원료의잔량을측정하고있다.
Abstract translation: 本发明，在下面的供给含有气化气体中所含的原料容器的成膜单元的固体或液体材料的原料气体，和零，以确定材料在材料容器以高精度水平。 提供MFC（1）到的载气供给源12供给的载气与原料容器14，和在原料气体的供给（32）提供一MFM（3）。 MFC2设置在稀释气体供给路径22中，用于向原料气体供给路径32供给稀释气体。 然后，MFC（1），以获得通过减去MFC（1）测量的（2）的从测量值的MFM（3）中，从MFM的测量值（3）的测量值和，MFC的合计值而获得的偏移值 从测量值，并通过减去偏移值通过减去MFC（2）的测量值的合计值而得到的值，以获得原料的流速的实际测量值，并且获得原料重量的测量值。 并且，通过从填充量的原料的流量的初始测量值的累计值（填充新的原料容器的量）在容器中的材料制成，并且测量原料的剩余量。
-
公开(公告)号：KR1019980041679A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019970006787
申请日：1997-02-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
Abstract: 반도체 제조프로세스에 있어서의 가열장치 및 열처리장치에 관한 것으로서, 피처리체에 대한 처리의 면내균일성을 향상하고 관리의 점에서 우수하며 피처리체의 온도의 불균일을 개선하기 위해서, 피처리체를 가열하고 피처리체에 대해서 직접 또는 간접적으로 열선을 조사하는 여러개의 가열원을 갖는 주가열수단, 주가열수단에 의한 가열위치에 피처리체가 배치되도록 피처리체를 지지하는 지지수단, 주가열수단과 지지수단을 상대적으로 회전시키는 회전수단 및 주가열수단에 의한 피처리체의 가열에 의해 피처리체에 발생한 온도불균일을 보상하고, 주가열수단과는 별개로 독립해서 제어가능하며 피처리체에 대해 직접 또는 간접적으로 열선을 조사하는 적어도 1개의 가열원을 갖는 보조가열수단을 구비하는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해서, 피처리체의 온도불균일을 보상해서 피처리체에 대한 처리의 면내균일성을 향상할 수 있고, 가열램프의 수명을 연장하는 것에 의해 관리의 점에서 우수하며, 피처리체의 외주끝부로부터의 열방열에 의한 피처리체의 온도의 불균일을 개선할 수 있다는 효과가 얻어진다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970013106A
公开(公告)日：1997-03-29
申请号：KR1019960032129
申请日：1996-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명은 단열성 부재의 위에 지지된 재치대에 재치한 피처리체를 그 아래쪽에 설치한 가열램프로 간접 가열하여 열처리를 행하는 매엽식 열처리장치에 있어서, 재치대의 이면의 주연부에 이 재치대의 이면에 처리가스가 돌아 들어가는 것을 방지하기 위한 가스침입 방지부재를 설치하도록 구성한다. 이로 인해, 재치대의 이면측에 침입하려던 가스침입 방지부재의 표면에 성막이 부착하는 것에 의해 소비된다.
-
公开(公告)号：KR102245116B1
公开(公告)日：2021-04-26
申请号：KR1020180105402
申请日：2018-09-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 본발명은프로세스개시시의원료가스의유량을단시간에안정화시키는것이가능한가스공급장치를제공하는것을목적으로한다. 일실시형태의가스공급장치는, 원료가스를버퍼탱크및 제1 고속개폐밸브를통해처리용기내에간헐적으로공급할수 있는가스공급장치로서, 상기버퍼탱크의 2차측에접속되고, 상기버퍼탱크내부를배기할수 있는이배큐에이션라인(evacuation line)과, 상기이배큐에이션라인에설치된제2 고속개폐밸브를갖는다.
-
公开(公告)号：KR1020170038730A
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020160125825
申请日：2016-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 본발명의과제는고체원료를기화한가스를포함하는원료가스를성막처리부에공급할때, 기화된원료공급량을안정시키는기술을제공하는것이다. 해결수단으로서, 원료용기(14)에캐리어가스를공급하기위한캐리어가스공급로(12)에 MFC(1)를마련하고, 원료가스공급로(32)에 MFM(3)을마련하고있다. 또한, 원료가스공급로(32)에희석가스를공급하기위한희석가스공급로(22)에 MFC(2)를마련하고있다. 그리고, MFM(3)의측정값으로부터의 MFC(1) 측정값과 MFC(2)의측정값의합계값을뺀 오프셋값을구하고, MFM(3)의측정값으로부터 MFC(1)의측정값및 MFC(2)의측정값의합계값을뺀 값에서, 오프셋값을빼서원료유량의실측값을구하고있다. 그리고, 원료유량의실측값과원료의목표값의차분에따라, MFC(1)의설정값을조정하고캐리어가스의유량을조정하여, 원료가스에포함되는원료의양을조정한다.
Abstract translation: 本发明要解决的问题是提供一种技术，用于在将包含固体原料的气化气体的原料气体供应至成膜部件时稳定气化的原料的供给量。 在用于向原料容器14供给运载气体的运载气体供给路径12中设置有MFC 1，在原料气体供给路径32中设置有MFM 3。 此外，MFC2设置在用于向原料气体供给路径32供给稀释气体的稀释气体供给路径22中。 获得通过从MFM 3的测量值和MFC（2）的测量值中减去MFC（1）测量值而获得的偏移值，并且MFC（1）的测量值 并且从原料流量的测量值中减去MFC（2）的测量值。 并且，根据原料流量的实际测量值与原料的目标值，通过调整MFC（1）的设定值并调节运载气体的流速，以调节包含在原料气体中的材料的量之间的差。
-
公开(公告)号：KR1020160111861A
公开(公告)日：2016-09-27
申请号：KR1020160030885
申请日：2016-03-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/14 , C23C16/4481 , C23C16/45561
Abstract: [과제] 고체원료를승화한원료를캐리어가스와함께소비구역에공급하는것에즈음해, 원료의승화유량을안정시키는것. [해결수단] 원료용기(3A, 3B)에서고체원료를승화시킴과동시에, 원료용기(3A, 3B)에캐리어가스도입로(411, 412)로부터캐리어가스를토출하고, 승화한원료를캐리어가스와함께원료가스유로(421, 422)에서성막처리부(11)에송출한다. 원료가스유로(421, 422)에있어서의가스유량으로부터캐리어가스도입로(411, 412)에있어서의가스유량을공제한가스유량의변동률 P가 10% 이하가되도록, 캐리어가스의유량을설정한다. 이캐리어가스의유량은, 승화한원료에는캐리어가스가도달하지만, 고체원료의표면에는거의도달하지않는유량이므로, 고체원료의잔량의변화에대한원료의승화유량이안정되어, 성막처리부(11)에서는안정된막 질의박막을성막할수 있다.
Abstract translation: 本发明通过将固体原料升华得到的原料与载气一起提供给消耗区域来稳定原料的蒸发流量。 在固体原料在原料容器（3A，3B）中升华的同时，载气从载气注入路径（411,412）排出到原料容器（3A，3B）。 具有载气的升华原料从原料气体流路（421,422）输送到成膜处理单元（11）。 流量被设定为使P为通过从原料气体流动通道（411,412）中的气体流量减去载气注入路径（411,412）中的气体流量而获得的气体流量的波动率 421，422），10％以下。 载气的流动到达升华的原料，但很少到达固体原料的表面。 因此，相对于固体原料的剩余量的变化，原料的升华流动体积稳定，因此能够通过成膜处理单元（11）形成质量稳定的薄膜。
-
公开(公告)号：KR100430947B1
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：KR1019970006787
申请日：1997-02-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , C23C16/481 , C30B25/10 , C30B25/14
Abstract: A heat treating apparatus comprises a process chamber within which a wafer is subjected to a heat treatment. A supporting plate for supporting the wafer is arranged within the process chamber. A process gas is supplied from above into the process chamber. A main heating means for heating the wafer is arranged below the process chamber, with a transmitting window interposed therebetween. The main heating means includes a plurality of heating sources for irradiating the supporting plate with heat rays so as to heat the wafer indirectly and a rotatable table having the heating sources arranged on the front surface thereof. The heat treating apparatus also comprises an auxiliary heating means for compensating for an uneven temperature caused on the surface of the wafer by the main heating means. The heating source of the auxiliary heating means is arranged on the surface of the rotatable table together with the heating sources of the main heating means, and the heat output from the heating source of the auxiliary heating means can be controlled independently of the heat output from the heating sources of the main heating means.
Abstract translation: 一种热处理装置包括处理室，在该处理室内对晶片进行热处理。 处理室内设有支撑晶片的支撑板。 处理气体从上方供给到处理室中。 用于加热晶片的主加热装置设置在处理室的下方，其间插入透射窗口。 主加热装置包括用于向支承板照射热射线以间接加热晶片的多个加热源，以及具有布置在其前表面上的加热源的旋转台。 该热处理设备还包括辅助加热装置，用于补偿主加热装置在晶片表面上引起的不均匀温度。 辅助加热装置的加热源与主加热装置的加热源一起布置在旋转台的表面上，并且辅助加热装置的加热源的热输出可以独立于来自辅助加热装置的热量输出 主要加热装置的加热源。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.024 seconds)
