公开(公告)号：KR100576400B1

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020037016316

申请日：2003-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야기야스시 ,  아오키가즈츠구 ,  우시지마미츠루

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C25D11/02 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/005 ,  Y10S204/07

Abstract: 피처리 기판을 양극화를 형성하고 또한 이것에 광의 조사를 실행하여 전기 화학적으로 처리를 실행하는 양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법에 있어서, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형 피처리 기판을 처리할 수 있도록 한다. 콘택트 부재에 의한 피처리 기판으로의 전기 접속을 복수의 콘택트 부재에 의해 실행하거나, 콘택트 부재의 이동에 의해 위치를 변경하여 실행한다. 피처리 기판은 복수의 콘택트 부재의 접촉부 각각으로부터 그 피처리부의 일부씩의 도전층에 접속이 이루어지도록 미리 제조해 둔다. 이 피처리 기판과 콘택트 부재의 조합을 이용하여, 전환 스위치에 의해 일부의 콘택트 부재에만 통전함으로써, 또는 콘택트 부재로의 통전이 콘택트 부재의 이동에 의해 피처리 기판의 일부의 도전층에 대하여 이루어짐으로써, 처리에 필요한 전류값을 피처리부의 일부에 대응하는 만큼의 양으로써 대체한다.

公开(公告)号：KR1019970013106A

公开(公告)日：1997-03-29

申请号：KR1019960032129

申请日：1996-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아라미준이치 ,  야기히로노리 ,  아오키가즈츠구

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 단열성 부재의 위에 지지된 재치대에 재치한 피처리체를 그 아래쪽에 설치한 가열램프로 간접 가열하여 열처리를 행하는 매엽식 열처리장치에 있어서, 재치대의 이면의 주연부에 이 재치대의 이면에 처리가스가 돌아 들어가는 것을 방지하기 위한 가스침입 방지부재를 설치하도록 구성한다. 이로 인해, 재치대의 이면측에 침입하려던 가스침입 방지부재의 표면에 성막이 부착하는 것에 의해 소비된다.

公开(公告)号：KR100443415B1

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：KR1019980706622

申请日：1997-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  아오키가즈츠구 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: PCT No. PCT/JP97/00477 Sec. 371 Date Aug. 14, 1998 Sec. 102(e) Date Aug. 14, 1998 PCT Filed Feb. 21, 1997 PCT Pub. No. WO97/31389 PCT Pub. Date Aug. 28, 1997A thermal processing apparatus for a semi-conductor wafer. A holder is provided within a processing vessel on which the wafer to be processed is placed. Upper and lower heaters are provided above and below the holder in order to heat the wafer. Each of the heaters are attached within heating vessels. A gas supply head supplies a processing gas in a shower form between the upper heater and the holder. The uniformity of the surface temperature of the wafer is improved by heating the wafer from both above and below.

Abstract translation: PCT No.PCT / JP97 / 00477 Sec。 371日期1998年8月14日 102（e）日期1998年8月14日PCT申请日1997年2月21日PCT Pub。 WO97 / 31389 PCT Pub。 日期1997年8月28日用于半导体晶片的热处理设备。 在待处理的晶片放置在其上的处理容器内提供保持器。 上部和下部加热器设置在支架的上方和下方以加热晶片。 每个加热器都安装在加热容器内。 气体供应头在上部加热器和支架之间以淋浴形式供应处理气体。 通过从上方和下方加热晶片来改善晶片表面温度的均匀性。

公开(公告)号：KR100403078B1

公开(公告)日：2004-03-26

申请号：KR1019960032129

申请日：1996-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아라미준이치 ,  야기히로노리 ,  아오키가즈츠구

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C23C16/45521 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115

Abstract: A single wafer heat treatment apparatus in which an object to be treated placed on a susceptor supported on a heat insulating member is heat-treated by indirectly heating the object to be treated by means of heating lamps disposed under the susceptor, characterized in that a gas entry preventive member for preventing process gas from being turned about the back surface of the susceptor is provided on a peripheral edge portion of the back surface of the susceptor. With this, process gas having entered the back surface of the susceptor is consumed by the adherence of a formed film to the surface of the gas entry preventive member.

Abstract translation: 一种单片式热处理装置，其中放置在支撑在绝热构件上的基座上的待处理对象通过利用布置在该基座下方的加热灯间接加热待处理对象而被热处理，其特征在于， 在基座的背面的周缘部设置防止处理气体绕基座的背面旋转的防入口部件。 由此，进入基座背面的处理气体通过所形成的膜与气体侵入防止部件的表面的附着而被消耗。

公开(公告)号：KR1020040007717A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020037016316

申请日：2003-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야기야스시 ,  아오키가즈츠구 ,  우시지마미츠루

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C25D11/02 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/005 ,  Y10S204/07

Abstract: 피처리 기판을 양극화를 형성하고 또한 이것에 광의 조사를 실행하여 전기 화학적으로 처리를 실행하는 양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법에 있어서, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형 피처리 기판을 처리할 수 있도록 한다. 콘택트 부재에 의한 피처리 기판으로의 전기 접속을 복수의 콘택트 부재에 의해 실행하거나, 콘택트 부재의 이동에 의해 위치를 변경하여 실행한다. 피처리 기판은 복수의 콘택트 부재의 접촉부 각각으로부터 그 피처리부의 일부씩의 도전층에 접속이 이루어지도록 미리 제조해 둔다. 이 피처리 기판과 콘택트 부재의 조합을 이용하여, 전환 스위치에 의해 일부의 콘택트 부재에만 통전함으로써, 또는 콘택트 부재로의 통전이 콘택트 부재의 이동에 의해 피처리 기판의 일부의 도전층에 대하여 이루어짐으로써, 처리에 필요한 전류값을 피처리부의 일부에 대응하는 만큼의 양으로써 대체한다.

公开(公告)号：KR1019990087225A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980706622

申请日：1997-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  아오키가즈츠구 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은, 웨이퍼 열처리장치의 처리용기(4)내의 피처리체 홀더(14)에 유지시킨 웨이퍼(W)에 대해 소정의 열처리를 실시하기 위해, 상기 피처리체 홀더(14)의 아래쪽과 위쪽에 피처리체를 가열하기 위한 하부 및 상부 가열수단(16, 26)이 배치된다. 이들 가열수단(16, 29)은 하측 및 상측 가열수단 용기(6, 8)내에 각각 장착되어 있다. 상측 가열수단 용기(8)와 피처리체 홀더(14)의 사이에는, 처리가스를 샤워형상으로 공급하는 가스공급헤드(28)가 설치된다. 웨이퍼(W)를 상하양면으로부터 가열함으로써, 웨이퍼의 면내 온도의 균일성이 향상된다.