公开(公告)号：KR1019890013744A

公开(公告)日：1989-09-25

申请号：KR1019890001425

申请日：1989-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 우시지마미츠루 ,  아키모토마사미

IPC: H01L21/68

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR101258630B1

公开(公告)日：2013-04-26

申请号：KR1020117011308

申请日：2009-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 나가오카기쥬츠가가쿠다이가쿠

Inventor： 야스이칸지 ,  니시야마히로시 ,  이노우에야스노부 ,  우시지마미츠루 ,  이와부치카츠히코

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/452 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/407 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/321

Abstract: 개시되는 기판 처리 방법은, 용기 내에 기판을 배치하는 공정; 촉매를 수용하는 촉매 반응부 내로 H
2 가스를 제 1 유량으로 도입하고, 상기 H
2 가스와 독립적으로 O
2 가스를 제 2 유량으로 도입하는 도입 공정으로서, 상기 촉매에 접촉한 상기 H
2 가스 및 상기 O
2 가스로부터 생성한 H
2 O 가스를 상기 촉매 반응부로부터 상기 기판으로 향하여 분출시키는 도입 공정; 및 상기 촉매 반응부로 도입되는 상기 O
2 가스의 유량을 상기 제 2 유량보다 적은 제 3 유량으로 감소시키는 O
2 유량 감소 공정; 을 포함하고, 상기 도입 공정 및 상기 O
2 유량 감소 공정이 이 순으로 소정의 반복 주파수로 반복되어 상기 기판이 처리된다.

公开(公告)号：KR100637949B1

公开(公告)日：2006-10-23

申请号：KR1020040067448

申请日：2004-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  파나소닉 전공 주식회사

Inventor： 야기야스시 ,  우시지마미츠루 ,  와타베요시후미 ,  고모다다쿠야 ,  아이자와고이치

IPC: H01J31/15

CPC classification number: C25D11/02 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25F3/12 ,  C25F3/14 ,  C25F7/00 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/3167 ,  H01L21/31675 ,  Y10S204/07

Abstract: 양극 산화 장치, 양극 산화 방법, 및 이들에 의해 제조되는 표시 장치용 패널에 있어서 보다 소형의 구성 요소에 의해 대형의 피처리 기판을 처리한다.
광을 방사하는 램프와, 피처리 기판을 그 피처리부를 상측을 향해서 장착 가능하고, 또한 방사된 광이 도달하는 위치에 설치된 스테이지 및 스테이지상에 위치하는 프레임을 갖는 처리조와, 방사된 광이 피처리 기판에 도달하는 도상에 설치되고, 광을 통과시키기 위한 개구부를 갖는 캐소드 전극과, 프레임과 장착된 피처리 기판 사이에 액체 시일성을 확립하는 시일 부재와, 시일 부재의 환형 외측에서 피처리 기판의 전극 패턴에 접촉 가능하게 설치되고, 또한 피처리 기판의 변을 따라서 이동하는 도전성의 컨택트 부재와, 컨택트 부재에 전기적으로 접속되고, 컨택트 부재가 이동함에 따라, 접촉하는 피처리 기판의 전극 패턴의 수에 따라서 출력 전류값을 설정하는 전류원을 구비한다.

公开(公告)号：KR100576400B1

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020037016316

申请日：2003-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야기야스시 ,  아오키가즈츠구 ,  우시지마미츠루

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C25D11/02 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/005 ,  Y10S204/07

Abstract: 피처리 기판을 양극화를 형성하고 또한 이것에 광의 조사를 실행하여 전기 화학적으로 처리를 실행하는 양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법에 있어서, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형 피처리 기판을 처리할 수 있도록 한다. 콘택트 부재에 의한 피처리 기판으로의 전기 접속을 복수의 콘택트 부재에 의해 실행하거나, 콘택트 부재의 이동에 의해 위치를 변경하여 실행한다. 피처리 기판은 복수의 콘택트 부재의 접촉부 각각으로부터 그 피처리부의 일부씩의 도전층에 접속이 이루어지도록 미리 제조해 둔다. 이 피처리 기판과 콘택트 부재의 조합을 이용하여, 전환 스위치에 의해 일부의 콘택트 부재에만 통전함으로써, 또는 콘택트 부재로의 통전이 콘택트 부재의 이동에 의해 피처리 기판의 일부의 도전층에 대하여 이루어짐으로써, 처리에 필요한 전류값을 피처리부의 일부에 대응하는 만큼의 양으로써 대체한다.

公开(公告)号：KR100139814B1

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019890010785

申请日：1989-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우시지마미츠루

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/30

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100112878B1

公开(公告)日：1997-03-10

申请号：KR1019890007138

申请日：1989-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 우시지마미츠루 ,  히라카와오사무 ,  아키모토마사미 ,  아나이노리유키 ,  아나이노리유키

IPC: G03F7/16