公开(公告)号：KR1020110084259A

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：KR1020117011309

申请日：2009-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 나가오카기쥬츠가가쿠다이가쿠

Inventor： 야스이칸지 ,  니시야마히로시 ,  이노우에야스노부 ,  우시지마미츠루 ,  이와부치카츠히코

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/452

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/321

Abstract: 개시되는 기판 처리 장치는, 반응실과, 상기 반응실 내에 설치되어 기판을 지지하도록 구성되는 기판 지지부와, 상기 반응실에 상기 기판 지지부와 대향하여 배열되고, 가스 도입부로부터 도입된 원료 가스와 촉매를 접촉시킴으로써 반응 가스를 생성하여, 생성된 상기 반응 가스를 반응실의 내부 공간에 분출하도록 구성되며, 분출된 상기 반응 가스에 의해 상기 기판 지지부에 지지되는 상기 기판을 처리하는 복수의 촉매 반응부를 구비한다.

Abstract translation: 的基板处理装置被启动时，该反应室，该基板支撑件被配置以支撑衬底的反应室内，并且布置成面对所述衬底支撑在反应室中，原料气体，并从气体导入部导入的催化剂接触 由此生成的反应气体，并且被配置为喷射所得到的反应气体在反应室的内部空间，并通过排出反应气体的多个催化反应单元的用于处理支撑在衬底支撑上的衬底上。

公开(公告)号：KR1020110074909A

公开(公告)日：2011-07-04

申请号：KR1020117011308

申请日：2009-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 나가오카기쥬츠가가쿠다이가쿠

Inventor： 야스이칸지 ,  니시야마히로시 ,  이노우에야스노부 ,  우시지마미츠루 ,  이와부치카츠히코

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/452 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/407 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/321

Abstract: 개시되는 기판 처리 방법은, 용기 내에 기판을 배치하는 공정; 촉매를 수용하는 촉매 반응부 내로 H
2 가스를 제 1 유량으로 도입하고, 상기 H
2 가스와 독립적으로 O
2 가스를 제 2 유량으로 도입하는 도입 공정으로서, 상기 촉매에 접촉한 상기 H
2 가스 및 상기 O
2 가스로부터 생성한 H
2 O 가스를 상기 촉매 반응부로부터 상기 기판으로 향하여 분출시키는 도입 공정; 및 상기 촉매 반응부로 도입되는 상기 O
2 가스의 유량을 상기 제 2 유량보다 적은 제 3 유량으로 감소시키는 O
2 유량 감소 공정; 을 포함하고, 상기 도입 공정 및 상기 O
2 유량 감소 공정이 이 순으로 소정의 반복 주파수로 반복되어 상기 기판이 처리된다.

公开(公告)号：KR1020050021303A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020040067448

申请日：2004-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  파나소닉 전공 주식회사

Inventor： 야기야스시 ,  우시지마미츠루 ,  와타베요시후미 ,  고모다다쿠야 ,  아이자와고이치

IPC: H01J31/15

CPC classification number: C25D11/02 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25F3/12 ,  C25F3/14 ,  C25F7/00 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/3167 ,  H01L21/31675 ,  Y10S204/07

Abstract: PURPOSE: An anodic oxidation apparatus, an anodic oxidation method, and a panel for a display device are provided to reduce a current required for processing by performing electrification for an anodic oxidation part by part of a target substrate through the use of a contact member moving along the side of the target substrate. CONSTITUTION: An anodic oxidation apparatus comprises a lamp, a processing bath, a cathode electrode, a seal member(4), a conductive contact member(5), and a current source(32). The lamp emits light. The processing bath includes a stage and a frame(3). The stage is capable of mounting a target substrate in such a manner that a processing portion of the target substrate is directed upward. The stage is arranged at a position where the light emitted from the lamp reaches. The frame is disposed on the stage. The cathode electrode is arranged on the path through which the light emitted from the lamp reaches the mounted target substrate. The cathode electrode has an opening for passage of the light. The seal member provides a liquid sealing property between the frame and the mounted target substrate. The conductive contact member is arranged to contact a plurality of electrode patterns of the target substrate at a circular outside of the seal member, and moves along a side of the mounted target substrate. The current source is electrically connected to the contact member, and sets an output current value in accordance with the number of electrode patterns of the mounted target substrate in accordance with the movement of the contact member.

Abstract translation: 目的：提供一种阳极氧化装置，阳极氧化法和显示装置用面板，以通过使用接触构件移动来对目标基板进行一部分目标基板的阳极氧化部分的通电而减少加工所需的电流 沿着靶基板的侧面。 构成：阳极氧化装置包括灯，加工槽，阴极电极，密封构件（4），导电接触构件（5）和电流源（32）。 灯发光。 处理槽包括台架和框架（3）。 该台能够以目标基板的处理部向上方的方式安装目标基板。 舞台布置在从灯发出的光到达的位置。 框架设置在舞台上。 阴极电极布置在从灯发出的光到达安装的目标基板的路径上。 阴极具有用于通过光的开口。 密封构件在框架和安装的目标基板之间提供液体密封性。 导电接触构件被布置成在密封构件的圆形外侧接触目标衬底的多个电极图案，并且沿着安装的目标衬底的一侧移动。 电流源电连接到接触构件，并且根据接触构件的移动，根据安装的目标衬底的电极图案的数量设置输出电流值。

公开(公告)号：KR1020040007717A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020037016316

申请日：2003-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야기야스시 ,  아오키가즈츠구 ,  우시지마미츠루

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C25D11/02 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/005 ,  Y10S204/07

Abstract: 피처리 기판을 양극화를 형성하고 또한 이것에 광의 조사를 실행하여 전기 화학적으로 처리를 실행하는 양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법에 있어서, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형 피처리 기판을 처리할 수 있도록 한다. 콘택트 부재에 의한 피처리 기판으로의 전기 접속을 복수의 콘택트 부재에 의해 실행하거나, 콘택트 부재의 이동에 의해 위치를 변경하여 실행한다. 피처리 기판은 복수의 콘택트 부재의 접촉부 각각으로부터 그 피처리부의 일부씩의 도전층에 접속이 이루어지도록 미리 제조해 둔다. 이 피처리 기판과 콘택트 부재의 조합을 이용하여, 전환 스위치에 의해 일부의 콘택트 부재에만 통전함으로써, 또는 콘택트 부재로의 통전이 콘택트 부재의 이동에 의해 피처리 기판의 일부의 도전층에 대하여 이루어짐으로써, 처리에 필요한 전류값을 피처리부의 일부에 대응하는 만큼의 양으로써 대체한다.

公开(公告)号：KR1019970003907B1

公开(公告)日：1997-03-22

申请号：KR1019890001425

申请日：1989-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 우시지마미츠루 ,  아키모토마사미

IPC: H01L21/68

CPC classification number: G03F7/7075 ,  B29C31/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67742 ,  Y10S134/902 ,  Y10S414/136

Abstract: 요약없음

公开(公告)号：KR1019910003776A

公开(公告)日：1991-02-28

申请号：KR1019890010785

申请日：1989-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우시지마미츠루

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/30

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019900002412A

公开(公告)日：1990-02-28

申请号：KR1019890007138

申请日：1989-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 우시지마미츠루 ,  히라카와오사무 ,  아키모토마사미 ,  아나이노리유키 ,  아나이노리유키

IPC: G03F7/16

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR101272872B1

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：KR1020117011309

申请日：2009-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 나가오카기쥬츠가가쿠다이가쿠

Inventor： 야스이칸지 ,  니시야마히로시 ,  이노우에야스노부 ,  우시지마미츠루 ,  이와부치카츠히코

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/452

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/321

Abstract: 개시되는 기판 처리 장치는, 반응실과, 상기 반응실 내에 설치되어 기판을 지지하도록 구성되는 기판 지지부와, 상기 반응실에 상기 기판 지지부와 대향하여 배열되고, 가스 도입부로부터 도입된 원료 가스와 촉매를 접촉시킴으로써 반응 가스를 생성하여, 생성된 상기 반응 가스를 반응실의 내부 공간에 분출하도록 구성되며, 분출된 상기 반응 가스에 의해 상기 기판 지지부에 지지되는 상기 기판을 처리하는 복수의 촉매 반응부를 구비한다.

公开(公告)号：KR100116403B1

公开(公告)日：1997-06-13

申请号：KR1019890001425

申请日：1989-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 우시지마미츠루 ,  아키모토마사미

IPC: H01L21/68

公开(公告)号：KR1019960002242B1

公开(公告)日：1996-02-13

申请号：KR1019890007138

申请日：1989-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 우시지마미츠루 ,  히라카와오사무 ,  아키모토마사미 ,  아나이노리유키 ,  아나이노리유키

IPC: G03F7/16

CPC classification number: G03F7/162 ,  B05B15/55 ,  B05C11/08

Abstract: Disclosed is a coating apparatus for applying a resist or developing solution to a semiconductor wafer. This coating apparatus comprises a plurality of nozzles supplied with various resist from a resist source and each adapted to drip the different solution onto the wafer, a vessel in which the nozzles is kept on stand-by, while maintaining the liquids in a predetermined state in the vicinity of discharge port portions of the nozzles, when the nozzles need not be operated, and a nozzle operating mechanism for selecting one of the nozzles kept on stand-by in the vessel, and transporting the selected nozzle to the location of the wafer, whereby the resist is applied to the wafer by means of only the nozzle transported by the nozzle operating mechanism.