公开(公告)号：KR101086174B1

公开(公告)日：2011-11-25

申请号：KR1020060013649

申请日：2006-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다야스시 ,  하라요시타카

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67276 ,  G03F7/70533 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184

Abstract: 본 발명은 도포·현상 장치 및 도포·현상 방법에 관한 것으로서 도포·현상 장치는 웨이퍼에 대해서 레지스트막을 형성한 후 노광장치로 반송하고 노광 후의 기판을 현상 처리하는 처리 블럭과 처리 블럭과 노광 장치의 사이에 설치된 인터페이스 반송 기구를 구비하고 상기 처리 블럭은 레지스트를 도포하는 도포막 형성용 단위 블럭과 현상 처리를 실시하는 현상 처리용 단위 블럭을 갖고 도포막 형성용 단위블럭 반송 기구와 현상 처리용 단위 블럭 반송 기구를 별개로 설치한다. 그리고 인터페이스 블럭 반송 기구로부터 노광 후의 기판을 수수한 후 스테이지로 수수한 후 현상처리용 단위 블럭 반송 기구에 의한 해당 기판 수취의 타이밍을 해당 기판이 노광 되고 나서 가열 유니트에 반입될 때까지의 시간이 미리 설정한 시간이 되도록 조정하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR100905508B1

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：KR1020077018932

申请日：2006-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카네코토모히로 ,  하라요시타카 ,  미야타아키라

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67745 ,  H01L21/67276

Abstract: 본 발명은 기판 반송 처리 장치 및 기판 반송 처리 장치에 있어서의 장해 대책 방법 및 기판 반송 처리 장치에 있어서의 장해 대책용 프로그램에 관한 것으로서 웨이퍼에 처리를 실시하는 복수의 프로세스모듈(20~23, 40)과, 웨이퍼 (W)를 반송하는 반송모듈 (31~34)와, 반송모듈과의 사이에서 웨이퍼를 수수하는 퇴피모듈 (30)과, 프로세스모듈에서 발생한 장해를 검지하고, 그 검지 신호에 의거하여 각 모듈을 총괄하여 제어하는 CPU (60)을 구비하고, 제어부에 의해 어떠한 프로세스모듈에서 발생한 장해를 검지한 경우 장해가 발생한 프로세스모듈에 반송하는 웨이퍼를 퇴피모듈에 반송함과 동시에 장해가 발생한 프로세스모듈 이전의 웨이퍼의 반송을 일단 정지하고 그 이외의 웨이퍼의 반송, 처리를 속행시키고 그 후 장해가 발생한 프로세스모듈 이전의 웨이퍼의 반송, 처리를 행하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020070094862A

公开(公告)日：2007-09-21

申请号：KR1020077018932

申请日：2006-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카네코토모히로 ,  하라요시타카 ,  미야타아키라

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67745 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67742

Abstract: A substrate convey processing device includes a plurality of process modules (20-23, 40) for processing a wafer, convey modules (31-34) for conveying a wafer (W), a turnout module (30) for passing a wafer to/from the convey modules, and a CPU (60) for detecting a failure generated in the process modules and controlling the respective modules all at once according to the detection signal. When the control module has detected a failure caused in one of the process modules, the wafer to be conveyed to the process module which has failed is conveyed to the turnout module, and a wafer before the process module which has failed is temporarily stopped while convey and processing of the other wafers are continued. After this, convey and processing of the wafer before the process module which has failed are performed.

Abstract translation: 基板传送处理装置包括用于处理晶片的多个处理模块（20-23,40），传送用于输送晶片（W）的模块（31-34），用于将晶片传送到/ 以及用于检测处理模块中产生的故障并根据检测信号一次控制各个模块的CPU（60）。 当控制模块检测到在一个处理模块中引起的故障时，要传送到已经故障的处理模块的晶片被传送到投票模块，并且在传送过程中暂时停止已经失败的处理模块之前的晶片 并继续处理其它晶片。 之后，执行已经失败的处理模块之前的晶片的传送和处理。

公开(公告)号：KR1020060127795A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：KR1020060050415

申请日：2006-06-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다야스시 ,  하야시신이치 ,  하라요시타카

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67276 ,  H01L21/67288 ,  Y10S414/135 ,  H01L21/67155

Abstract: A substrate processing system and a method thereof are provided to find a defective processing unit that caused a defect in a substrate and to suppress a reduction of yield when a large number of substrates are processed. A substrate processing system processes a plurality of substrates in a single-substrate processing module by a plurality of processes. A plurality of modules carry out the processes. A substrate carry unit carries a plurality of substrates from a sending source to a receiving source. A controller(6) controls the substrate carry unit based on one of at least two carry modes for determining the receiving source and the sending source. When the controller receives a carry mode change command, it changes the carry mode in another carry mode and carries the substrate to the substrate carry unit based on the changed carry mode.

Abstract translation: 提供了一种基板处理系统及其方法，以找到在基板处理时引起缺陷的缺陷处理单元，并且当处理大量基板时抑制成品率降低。 基板处理系统通过多个处理在单个基板处理模块中处理多个基板。 多个模块执行该过程。 基板传送单元将多个基板从发送源传送到接收源。 控制器（6）基于用于确定接收源和发送源的至少两个进位模式中的一个来控制基板传送单元。 当控制器接收到进位模式改变命令时，它在另一个进位模式下改变进位模式，并且基于改变的进位模式将基板运送到基板进给单元。

公开(公告)号：KR1020060115617A

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：KR1020060040104

申请日：2006-05-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라요시타카 ,  하야시다야스시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67742 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67745 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/14 ,  B05C11/10 ,  H01L21/6715

Abstract: A coating method and a coating apparatus are provided to increase thickness uniformity of a coated film by performing a coating process at a proper substrate temperature. A coating apparatus includes a holding module(TRS), a hydrophobic module(ADH), a temperature adjusting module(CPL1), a coating module(COT), a heating module(HP), and a cooling module(CPL2). The holding module is arranged at an upstream of a transfer path. The hydrophobic module heats up a wafer and performs a hydrophobic process on a surface of the wafer. The heating module heats up the substrate, on which resist solution is coated. The cooling module cools down the heated substrate. A substrate transfer module delivers the wafer from upstream to downstream positions by using an upper and a lower arm.

Abstract translation: 提供涂布方法和涂布装置以通过在合适的基底温度下进行涂布工艺来增加涂膜的厚度均匀性。 涂覆装置包括保持模块（TRS），疏水模块（ADH），温度调节模块（CPL1），涂覆模块（COT），加热模块（HP）和冷却模块（CPL2）。 保持模块布置在传送路径的上游。 疏水模块加热晶片并在晶片的表面上进行疏水处理。 加热模块加热衬底，涂覆抗蚀剂溶液。 冷却模块冷却加热的基板。 衬底转移模块通过使用上臂和下臂将晶片从上游位置递送到下游位置。

公开(公告)号：KR1020060091250A

公开(公告)日：2006-08-18

申请号：KR1020060013649

申请日：2006-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다야스시 ,  하라요시타카

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67276 ,  G03F7/70533 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67253

Abstract: 본 발명은 도포·현상 장치 및 도포·현상 방법에 관한 것으로서 도포·현상 장치는 웨이퍼에 대해서 레지스트막을 형성한 후 노광장치로 반송하고 노광 후의 기판을 현상 처리하는 처리 블럭과 처리 블럭과 노광 장치의 사이에 설치된 인터페이스 반송 기구를 구비하고 상기 처리 블럭은 레지스트를 도포하는 도포막 형성용 단위 블럭과 현상 처리를 실시하는 현상 처리용 단위 블럭을 갖고 도포막 형성용 단위블럭 반송 기구와 현상 처리용 단위 블럭 반송 기구를 별개로 설치한다. 그리고 인터페이스 블럭 반송 기구로부터 노광 후의 기판을 수수한 후 스테이지로 수수한 후 현상처리용 단위 블럭 반송 기구에 의한 해당 기판 수취의 타이밍을 해당 기판이 노광 되고 나서 가열 유니트에 반입될 때까지의 시간이 미리 설정한 시간이 되도록 조정하는 기술을 제공한다.