公开(公告)号：KR101258781B1

公开(公告)日：2013-04-29

申请号：KR1020110106340

申请日：2011-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719

Abstract: 본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ; BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모할 수 있다.
레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种涂布显影装置及其方法，其包括作为用于在处理块（S2）上形成涂膜的单位块的TCT层（B3）; COT层B4; 作为用于显影处理的单位块的BCT层B5和DEV层B1（B2）彼此堆叠。 在TCT层B3中也包括形成防反射膜的情况和未形成防反射膜的情况; COT层B4; 通过选择在BCT层（B5）中使用的单位块响应，并且抑制传输程序的复杂性时，它能够实现软件的简化。

公开(公告)号：KR101092065B1

公开(公告)日：2011-12-12

申请号：KR1020060050415

申请日：2006-06-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다야스시 ,  하야시신이치 ,  하라요시타카

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67276 ,  H01L21/67288 ,  Y10S414/135

Abstract: 본발명은기판처리시스템및 기판처리방법에관한것으로서복수의기판(W)에대해복수의공정에걸쳐서매엽식으로처리를실시함과동시에연속하는처리공정에있어서각각의처리를실시하는모듈을복수구비하는기판처리시스템으로서반송원의모듈로부터반송처의모듈에상기기판(W)을반송하는기판반송수단(A4)과반송원과반송처의모듈할당방법을결정한적어도 2개의반송모드의어느쪽인가에근거를두어상기기판반송수단(A4)을제어하는제어수단(6)을구비하고상기제어수단(6)은상기기판의처리공정중에 있어서상기반송모드의변경명령을수취하면실행중의반송모드로부터다른반송모드로절환하고절환한반송모드에근거해상기기판반송수단(A4)에기판을반송시켜복수의기판에대해복수의공정에걸쳐서매엽식으로처리를실시함과동시에연속하는처리공정에있어서각각의처리를실시하는모듈을복수구비하는기판처리시스템에있어서, 기판에불량한곳이생겼을때에그 원인이되는어려움을가지는처리장치를용이하게특정할수 있고또한기판의처리매수가많은경우에수율의저하를억제할수 있는기판처리시스템및 기판처리방법의기술을제공한다.

公开(公告)号：KR101087848B1

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：KR1020070114321

申请日：2007-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다야스시 ,  하라요시타카

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/6723

Abstract: 본 발명은 도포막 형성용 단위 블록에 퇴피 모듈을 설치함으로써, 인터페이스 아암의 설치수를 경감하여, 제조비용의 삭감과 장치가 차지하는 공간(footpirnt)의 축소화를 도모하는 것을 목적으로 한다.
예컨대 COT층(B3)에, 도포 모듈(COT1 내지 COT3)의 수보다 1개 많은 개수의 웨이퍼(W)를 퇴피시킬 수 있는 퇴피 모듈(BF31 내지 34)을 설치한다. COT층(B3)에서는, 온도 조절 모듈(CPL3, COT1 내지 COT3), 가열 냉각 모듈(LHP3, BF31 내지 34)의 퇴피 모듈로 웨이퍼(W)를 반송하고, 노광 장치(S4)의 처리 속도가 COT층(B3)의 처리 속도보다 느릴 때에, 상기 CPL3의 하류측 모듈에 놓인 웨이퍼(W)의 총수가, 상기 CPL3의 다음 모듈로부터 퇴피 모듈의 이전 모듈까지의 상기 반송 경로의 총 모듈 수 보다 1개 많은 수가 되도록, 메인 아암(A3)에 의해 웨이퍼(W)를 반송한다.

公开(公告)号：KR1020110036019A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：KR1020110014015

申请日：2011-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/32 ,  G03F7/70691

Abstract: PURPOSE: A coating and developing system is provided to properly restrain the height and the length of the apparatus while obtaining the transferring efficiency within the apparatus. CONSTITUTION: A carrier(20) accepts 13 wafers(W) in close state. A carrier block(S1) carries the carrier in to and out of the coating and developer. A processing block(S2) and an interface block(S3) implement the spreading process and the developing process on the wafer. A placement table(21) is mounted on the carrier block to place a plurality of carriers.

Abstract translation: 目的：提供一种涂层和显影系统，以在获得设备内的转印效率的同时适当地限制设备的高度和长度。 构成：载体（20）在接近状态下接受13个晶片（W）。 载体块（S1）承载载体进出涂层和显影剂。 处理块（S2）和接口块（S3）在晶片上实现扩展处理和显影处理。 放置台（21）安装在载体块上以放置多个载体。

公开(公告)号：KR1020080025336A

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：KR1020070093527

申请日：2007-09-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다야스시 ,  하라요시따까

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67225 ,  G03F7/30

Abstract: A system and a method for processing liquids, and a storage medium are provided to obtain high throughput by reducing a wait time required for utilization of a nozzle part based on the holding of another module. A system for processing liquids includes even numbered modules, a nozzle unit, a moving unit(B), substrate carrier units(A1,A2,A3,A4), and a controller(100). The modules include a substrate supporting unit for supporting horizontally a substrate and a cup unit for surrounding the substrate supporting unit. The nozzle unit shared at divided groups of the modules sprays treatment liquids on the substrate. The moving unit moves the nozzle unit between respective modules. The substrate carrier units deliver the substrate between the modules. The controller controls the substrate carrier units to be delivered the substrate to another group except for the group delivered the substrate.

Abstract translation: 提供一种用于处理液体的系统和方法以及存储介质，以通过基于另一模块的保持减少使用喷嘴部分所需的等待时间来获得高产量。 用于处理液体的系统包括偶数编号的模块，喷嘴单元，移动单元（B），基板载体单元（A1，A2，A3，A4）和控制器（100）。 模块包括用于水平地支撑基板的基板支撑单元和用于围绕基板支撑单元的杯单元。 分组的模块共享的喷嘴单元喷射基板上的处理液。 移动单元在相应模块之间移动喷嘴单元。 衬底载体单元在模块之间传送衬底。 该控制器控制基板载体单元将基板输送到另一组，除了传送基板的组之外。

公开(公告)号：KR1020080012187A

公开(公告)日：2008-02-11

申请号：KR1020070076214

申请日：2007-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다야스시 ,  하라요시따까

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67276 ,  G02F1/1303 ,  G05B19/41865 ,  G05B2219/31428 ,  G05B2219/32097 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67745 ,  Y02P90/20 ,  H01L21/6715

Abstract: A deposition and development apparatus is provided to improve throughput when the heating temperature of a second heating unit transferred after a second deposition unit is varied, by including a carrier having a plurality of substrates, a carrier block having an exchange unit for exchanging substrates between carriers, and a process block for developing the substrate after exposing while forming a deposition layer on a received substrate from the exchanging unit. When a wafer is sequentially transferred to a temperature control unit, a deposition unit, a heating unit, a temperature control unit, a deposition unit, a heating unit and a cooling unit, a final wafer in a lot A is processed to be changed to a heating temperature of a corresponding heating unit. A wafer heated by a heating unit is sequentially filled in a retreat unit from a next transfer cycle of a transfer cycle in which the front wafer in a lot B is transferred to a temperature control unit, following the front wafer. After the temperature of the heating unit varies, the wafer in the retreat unit is sequentially transferred to a downstream module.

Abstract translation: 提供了一种沉积和显影装置，用于通过包括具有多个基板的载体，具有用于在载体之间更换基板的交换单元的载体块来提高在第二沉积单元之后转移的第二加热单元的加热温度时的生产量 以及用于在曝光之后显影衬底的处理块，同时从所述交换单元在接收的衬底上形成沉积层。 当将晶片顺序地转移到温度控制单元，沉积单元，加热单元，温度控制单元，沉积单元，加热单元和冷却单元时，处理批次A中的最终晶片以改变为 加热单元的加热温度。 由加热单元加热的晶片从转移循环的下一个转移循环中顺序地填充到后退单元中，其中批次B中的前晶片转移到遵循前晶片的温度控制单元。 在加热单元的温度变化之后，退避单元中的晶片被顺序地转移到下游模块。

公开(公告)号：KR1020060085188A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：KR1020060005910

申请日：2006-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3042 ,  G03F7/70716

Abstract: 본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ; BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모 할 수 있다.
레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR100148371B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019900001934

申请日：1990-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 하야시다야스시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70725

Abstract: 내용 없음.

Abstract translation: 本发明的曝光装置用于半导体和LCD装置的曝光处理。 曝光装置包括其上放置有半导体晶片的台，用于旋转台的旋转机构，布置成与舞台的支撑表面相对的辐射单元，用于使辐射单元沿着穿过 舞台的支撑表面的中心，用于输入晶片的期望曝光范围的曝光范围输入单元，用于存储输入曝光范围的曝光范围存储单元，用于检测晶片的参考位置的CCD图像传感器， 相对位置检测器，用于检测检测到的基准位置和辐射单元之间的相对位置，控制器，用于根据相对位置和曝光范围来控制滑动机构;以及光量控制机构，用于控制从 对应于相对位置和曝光范围的到晶片的照射机构。

公开(公告)号：KR101633517B1

公开(公告)日：2016-06-24

申请号：KR1020100016027

申请日：2010-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다야스시

IPC: H01L21/677 ,  B65G49/07 ,  B65G15/30 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명의과제는기판의반송장치를저렴하게제조하여, 기판처리시스템의제조비용을저렴화하는것이다. 도포현상처리시스템(1)은웨이퍼(W)를반송라인(A)을따른방향으로반송하는웨이퍼반송장치(50)를갖고있다. 웨이퍼반송장치(50)는반송라인(A)을따른방향으로나란히배치된복수의반송롤(100)을갖고있다. 반송롤(100)은회전가능하게구성되어있다. 복수의반송롤(100)에는시트(101)가감아돌려져있다. 시트(101)는내열성과열전도성을갖고있다. 반송라인(A)에는복수의처리장치(41 내지 45)가반송라인(A)을따른방향으로배치되어있다. 각처리장치(41 내지 45)는웨이퍼반송장치(50)의시트(101) 상에적재된웨이퍼(W)에소정의처리를행한다.

Abstract translation: 本发明要解决的问题是通过以低成本制造基板传送设备来降低基板处理系统的制造成本。 涂覆和显影处理系统1具有用于沿着传送线A的方向传送晶片W的晶片传送装置50。 晶片传送装置50具有沿传送线A并排布置的多个传送辊100。 输送辊100构造成可旋转。 多个传送辊（100）由片材（101）支撑。 片材101具有耐热性和过热传导性。 多个处理装置41〜45在输送线（A）中沿着输送线A的方向排列。 各处理装置41〜45对载置在晶圆输送装置50的片材101上的晶圆W进行规定的处理。

公开(公告)号：KR101200155B1

公开(公告)日：2012-11-12

申请号：KR1020110106232

申请日：2011-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719

Abstract: 본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ; BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모할 수 있다.
레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.