公开(公告)号：KR1020010027682A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990039552

申请日：1999-09-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성호 ,  구주선 ,  홍진기

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an insulating layer having a contact hole of a semiconductor device and filling a small gap between material layer patterns is provided to fill the gap between the material layer patterns having a high aspect ratio, by preventing a filling defect such as a seam or cavity. CONSTITUTION: Material layer patterns are formed on a semiconductor substrate(100). An insulating layer is formed which fills a gap between the material layer patterns with a spin-on-glass(SOG) layer(400). The insulating layer is selectively etched to form a contact hole(450) exposing a part of the semiconductor substrate. The insulating layer having the contact hole is cured.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有半导体器件的接触孔并填充材料层图案之间的小间隙的绝缘层的方法，以通过防止填充缺陷（例如， 缝或空腔。 构成：在半导体衬底（100）上形成材料层图案。 形成绝缘层，其用旋涂玻璃（SOG）层（400）填充材料层图案之间的间隙。 选择性地蚀刻绝缘层以形成暴露半导体衬底的一部分的接触孔（450）。 具有接触孔的绝缘层固化。

公开(公告)号：KR100243284B1

公开(公告)日：2000-03-02

申请号：KR1019970006238

申请日：1997-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구주선 ,  황병근

IPC: H01L21/28

Abstract: 반도체 기판상에 하부 금속 패턴을 형성하고, 상기 하부 금속 패턴상에 저유전 폴리머를 증착하여 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막상에 캡핑 절연막을 형성하고, 상기 캡핑 절연막상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하고 상기 하부 금속 패턴을 식각 저지층으로 하여 상기 층간 절연막과 상기 제1 캡핑 절연막을 차례로 식각함으로써 콘택홀을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴 상에 상기 콘택홀의 측벽을 덮도록 연장되는 절연 물질의 보호막을 증착하고, 상기 보호막을 이방성 식각하여 상기 포토레지스트 패턴 상을 노출하고, 상기 콘택홀의 측벽을 이루는 상기 유기 폴리머를 차폐하여 보호하는 스페이서(spacer)를 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치� �� 콘택홀 형성 방법이 개시되며, 본 발명에 따르면 양호한 내측면 프로파일(profile)을 갖는 콘택홀을 얻을 수 있으므로 후속 공정에서 보이드(void)의 발생을 억제하여 신뢰성 높은 반도체 소자를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000002925A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980023915

申请日：1998-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구주선 ,  최지현 ,  김병준

IPC: H01L21/76

Abstract: PURPOSE: A trench isolation structure is provided to improve the device characteristic of a semiconductor device by repressing the stress generated in the side wall of the trench. CONSTITUTION: The trench isolation structure comprises the steps of forming; a trench(400) on the semiconductor substrate(100); a spacer(530) by an amorphous carbon or an organic polymer in the part of the side wall of the trench; a first isolation film to cover the spacer; a void formed the part of the side wall of the trench and the space between the first isolation film in the part of the side wall by removing the spacer; the second isolation film on the first isolation film.

Abstract translation: 目的：提供沟槽隔离结构，以通过抑制在沟槽的侧壁中产生的应力来改善半导体器件的器件特性。 构成：沟槽隔离结构包括成形步骤; 半导体衬底上的沟槽（400）; 在沟槽的侧壁的一部分中的无定形碳或有机聚合物的间隔物（530）; 覆盖间隔物的第一隔离膜; 通过去除间隔件，形成沟槽侧壁的一部分和侧壁部分中的第一隔离膜之间的空间; 第一隔离膜上的第二隔离膜。

公开(公告)号：KR100238252B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019970040245

申请日：1997-08-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구주선 ,  최지현 ,  황병근 ,  이해정

IPC: H01L21/31

Abstract: 막질이 단단하면서 비어저항 열화를 방지하는 SOG층 큐어링 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 절연막 제조방법을 개시한다. 본 발명에 의하면, 반도체장치의 ILD층, IMD층, 또는 패시베이션층으로 사용되는 것으로서, 금속 배선 간의 절연작용과 평탄화작용을 하는 SOG의 큐어링 방법에 있어서, 큐어링할 SOG층이 구비된 기판을 진공챔버를 구비한 전자빔 조사장치 내의 타겟 평판 위에 장착하는 단계; 및 상기 SOG층을 소정시간 동안 상온 내지 500℃에서 전자빔으로 조사하여 큐어링하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 SOG층 큐어링 방법이 제공된다. 본 발명의 절연막 제조방법에 의하면, 반도체장치의 ILD층, IMD층, 또는 패시베이션층으로 사용되는 것으로서, 금속 배선 간의 절연작용과 평탄화작용을 하는 SOG층의 제조방법에 있어서, 소정의 패턴이 형성된 하지막 상에 SOG층을 코우팅하는 단계; 및 상기 SOG층을 소정시간동안 상온 내지 500℃에서 전자빔으로 조사하여 큐어링하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 SOG층 제조방법이 제공되어진다.

公开(公告)号：KR100165358B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950050689

申请日：1995-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최지현 ,  황병근 ,  구주선 ,  이해정

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 반도체 기판상에 도전물질을 증착한 다음 패터닝하여 도전층 패턴을 형성하는 단계; 도전층 패턴이 형성된 상기 결과물상에 하이드로겐 실세스퀴옥산을 도포하여 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막을 열처리하여 도전층 패턴 폭이 넓은 영역과 좁은 영역의 식각률을 차별화시키는 단계; 상기 열처리된 제1절연막을 에치백하는 단계; 제1절연막이 에치백된 상기 결과물상에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막을 평탄화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 층간절연층 평탄화방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 열처리에 따라 상이한 식각율 특성을 갖는 하이드로겐 실세스퀴옥산을 이용함으로써, 층간절연층의 디싱현상을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990004122A

公开(公告)日：1999-01-15

申请号：KR1019970028136

申请日：1997-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이해정 ,  구주선

IPC: H01L21/28

Abstract: 반도체 장치의 콘택홀(contact hole) 형성 방법을 개시한다. 본 발명은, 반도체 기판 상에 유동성 산화막, 특히 수소 실세스퀴옥산(Hydrogen Silsesquioxane)막을 형성한다. 이후에, 산화 이질소(N
2 O) 가스, 암모니아(NH
3 ) 가스, 산소(O
2 ) 가스 및 그 혼합 가스와 같은 가스를 플라즈마 소오스(plasma source)로 이용하여 유동성 산화막을 플라즈마 처리(plasma treatment)한다. 다음에 플라즈마 처리된 유동성 산화막 상에 플라즈마 강화 TEOS(Plasma Enhance Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate)막 또는 플라즈마 강화 SiH
4 (Plasma enhance Silane)막을 이용하여 흡습 방지막을 형성한다. 다음에, 흡습 방지막 및 수소 실세스퀴옥산막을 순차적으로 패터닝하여 콘택홀을 가지는 흡습 방지막 패턴 및 수소 실세스퀴옥산 패턴을 형성한다.

公开(公告)号：KR1019980069258A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970006238

申请日：1997-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구주선 ,  황병근

IPC: H01L21/28

Abstract: 반도체 기판상에 하부 금속 패턴을 형성하고, 상기 하부 금속 패턴상에 저유전 폴리머를 증착하여 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막상에 캡핑 절연막을 형성하고, 상기 캡핑 절연막상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하고 상기 하부 금속 패턴을 식각 저지층으로 하여 상기 층간 절연막과 상기 제1 캡핑 절연막을 차례로 식각함으로써 콘택홀을 형성하고, 상기 결과물 전면에 보호막을 증착하고, 상기 보호막을 이방성 식각하여 상기 콘택홀의 내측면에 스페이서(spacer)를 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법이 개시되며, 본 발명에 따르면 양호한 내측면 프로파일(profile)을 갖는 콘택홀을 얻을 수 있으므로 후속 공정에서 보이드(void)의 � ��생을 억제하여 신뢰성 높은 반도체 소자를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980067105A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970002977

申请日：1997-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박희숙 ,  구주선

IPC: H01L21/31

Abstract: 폴리머(Polymer)를 금속 배선 사이의 절연물질로 사용하는 금속 배선의 층간절연막 형성방법에 관하여 개시하고 있다. 이를 위하여 본 발명은, 하부막이 형성된 반도체 기판 상에 금속 배선을 형성하는 단계와, 상기 금속 배선의 상부에 캡핑층을 패터닝하는 단계와, 상기 결과물상에 제1 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1 절연막을 식각하는 단계와, 상기 제1 절연막의 식각이 끝난 반도체 기판의 전면에 제2 절연막을 형성하는 단계 및 상기 제2 절연막의 단차를 평탄화하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 금속 배선의 층간절연막 형성방법을 제공한다. 따라서, 기존의 층간절연막인 산화막보다 저유전성이 우수한 유기 폴리머(Polymer)를 금속 배선의 층간 절연막으로 사용하여 금속 배선 사이의 기생 커패시턴스를 없애고, 배선용량을 효과적으로 낮출수 있다.

公开(公告)号：KR1019980045187A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960063348

申请日：1996-12-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구주선 ,  최지현 ,  황병근

IPC: H01L21/30

Abstract: 수소 실세스퀴옥산으로 층간 절연막(IMD) 형성시 결함 감소 방법을 개시한다. 하부구조를 구비한 반도체 기판상에 도전선을 형성하고 제1 산화막을 증착하는 공정과, 그위에 HSQ를 코팅하는 공정과, HSQ를 N
2 상압에서 열처리하는 공정, 및 열처리 후 제2 산화막을 증착하는 공정을 포함하여 이루어지는 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법을 제공한다.
상기 산화막은 건너 뛰거나 혹은 화학기상증착에 의한 SiO
2 , SiON, SiOF 및 SiN 등 중 어느하나로 이루어진다.
상기 HSQ를 코팅하는 공정은 코팅과 약간의 베이크를 거칠 수 있다.
상기 제2 산화막은 HSQ의 N
2 상압에서 열처리 후에 증착되는 대신에 건너 뛰거나 혹은 화학기상증착에 의한 SiO
2 , SiON, SiOF 및 SiN 등 중 어느하나로 이루어질 수도 있다.
상기 HSQ의 N
2 상압에서 열처리는 500℃이하에서 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 HSQ 위에 증착되는 캡핑 산화막내에 존재하는 핀홀을 억제하는 층간 절연막을 형성함으로써 비어 콘택 저항의 페일이 없는 결과를 얻게 된다.

公开(公告)号：KR1019980021113A

公开(公告)日：1998-06-25

申请号：KR1019960039855

申请日：1996-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이해정 ,  최지현 ,  황병근 ,  구주선

IPC: H01L21/28

Abstract: SOG층으로 된 층간절연막 위에 흡습방지층을 형성하였을 때 콘택홀 프로파일을 개선시킬 수 있는 방법을 개시한다.
상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 SOG층을 형성하고 큐어링하는 단계, 두께를 얇게 조절하여 흡습방지층을 형성하고 어닐링하는 단계, 상기 흡습방지층의 상부에 포토레지스트를 도포하여 패턴을 형성하는 단계, 습식식각과 이에 연속하는 건식식각으로 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트를 제거한 후 ECR 식각을 수행하여 콘택홀의 프로파일을 개선시키는 단계를 포함하여 구성된 SOG 를 이용한 반도체장치에서의 콘택홀 제조방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에서는 상기 습식식각없이 건식식각만으로 콘택홀을 형성하는 방법을 제공한다.