디버깅 회로를 위한 클럭 제어 회로를 구비하는 집적 회로 및 이를 포함하는 시스템-온-칩
    12.
    发明公开
    디버깅 회로를 위한 클럭 제어 회로를 구비하는 집적 회로 및 이를 포함하는 시스템-온-칩 审中-实审
    集成电路,包括用于调试电路的时钟控制电路和包括它的片上系统

    公开(公告)号:KR1020130130308A

    公开(公告)日:2013-12-02

    申请号:KR1020120054010

    申请日:2012-05-22

    Inventor: 김동근 김시영

    CPC classification number: G06F11/3636 G06F11/3656

    Abstract: An integrated circuit comprises a processor core, a clock control circuit, and a debugging circuit. The processor core processes a plurality of commands and data composing objective software. The clock control circuit determines an electrical connection condition between the external debuggers executing debugging operation for the processor core and the objective software and generates output clock signals selectively activated based on a determination result and an input clock signal. The debugging circuit provides information related to the debugging operation for the objective software to the external debugger based on the output clock signal.

    Abstract translation: 集成电路包括处理器核心,时钟控制电路和调试电路。 处理器核心处理组成客观软件的多个命令和数据。 时钟控制电路确定执行处理器核心的调试操作的外部调试器与目标软件之间的电连接状况,并且基于确定结果和输入时钟信号产生选择性地激活的输出时钟信号。 调试电路根据输出时钟信号向外部调试器提供与目标软件调试操作相关的信息。

    트웨인 드라이버를 이용한 스캐닝 방법 및 스캐닝 시스템
    13.
    发明授权
    트웨인 드라이버를 이용한 스캐닝 방법 및 스캐닝 시스템 有权
    扫描方法和系统使用TWAIN diriver

    公开(公告)号:KR101161344B1

    公开(公告)日:2012-06-29

    申请号:KR1020070069833

    申请日:2007-07-11

    Inventor: 김동근

    Abstract: 본 발명은 스캐너와 사용자 호스트 컴퓨터가 USB나 병렬 포트(Parallel Port)와 같은 인터페이스에 의해 로컬 연결되거나 또는 네트워크에 의해 원격으로 연결될 수 있는 스캐닝 시스템에서 스캐닝을 스캐너에서 또는 사용자 호스트 컴퓨터에서 양방향적으로 수행할 수 있도록 함으로써 스캐너 사용의 편리성과 활용성을 극대화시킬 수 있는 트웨인(TWAIN) 드라이버를 이용한 스캐닝 방법 및 스캐닝 시스템에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 네트워크 세션(Session) 기술과 로컬 연결에서 적용되던 스캐닝 제어 기술을 사용하여 네트워크를 통하여 스캔 이미지를 스캐너로부터 사용자 호스트 컴퓨터의 어플리케이션으로 전송할 수 있도록 하는 트웨인(TWAIN) 드라이버를 이용한 스캐닝 방법 및 시스템에 관한 것이다.
    스캐너, 드라이버, TWAIN, 트웨인, 스캐닝, 네트워크, 로컬, 호스트

    연마 방법 및 이를 이용하여 상변화 메모리 장치의 제조방법
    14.
    发明公开
    연마 방법 및 이를 이용하여 상변화 메모리 장치의 제조방법 无效
    使用该方法制造相变记忆体装置的抛光方法及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020080076254A

    公开(公告)日:2008-08-20

    申请号:KR1020070015962

    申请日:2007-02-15

    Abstract: A polishing method and a method of manufacturing a phase-change memory device using the same are provided to prevent lower electrodes from separating from a phase-change material layer by polishing the phase-change material layer with acid slurry composition in which coefficient of friction of the phase-change material layer to an oxide layer pattern ranges from 0.9 to 1.2. A polishing method includes the steps of: forming an oxide layer pattern(11) having an opening(15) on a substrate(10); forming a phase-change material layer on the oxide layer pattern to fill the opening enough; and contacting the surface of a polishing pad with the surface of the phase-change material layer, and polishing the phase-change material layer until the oxide layer pattern is exposed as supplying acid slurry composition containing silica abrasive, polishing aid, a pure water, wherein coefficient of friction of the phase-change material layer to an oxide layer pattern ranges from 0.9 to 1.2.

    Abstract translation: 提供一种抛光方法和使用其的相变存储器件的制造方法,以通过用酸性浆料组合物研磨相变材料层来防止下部电极与相变材料层分离,其中摩擦系数 相变材料层至氧化物层图案的范围为0.9至1.2。 抛光方法包括以下步骤:在衬底(10)上形成具有开口(15)的氧化物层图案(11); 在氧化物层图案上形成相变材料层以充分填充开口; 并且将抛光垫的表面与相变材料层的表面接触,并且研磨相变材料层直到暴露氧化物层图案为供给含有二氧化硅磨料,抛光助剂,纯水的酸性浆料组合物, 其中相变材料层与氧化物层图案的摩擦系数为0.9-1.2。

    GPON 시스템 및 GPON 시스템에서의 대역 할당 방법
    16.
    发明授权
    GPON 시스템 및 GPON 시스템에서의 대역 할당 방법 有权
    GPON系统是GPON系统中的一员

    公开(公告)号:KR100775426B1

    公开(公告)日:2007-11-12

    申请号:KR1020050119693

    申请日:2005-12-08

    Abstract: In a gigabit-capable passive optical network (GPON) system and in a method for bandwidth allocation in a passive optical network (PON) system, a minimum bandwidth is allocated to optical network units (ONUs) for minimal transmission assurance dependent on a traffic characteristic of each ONU, and when there is a traffic-container (T-CONT) class of an ONU not allocated bandwidth after minimum bandwidth allocation to all ONUs, an extra bandwidth remaining after minimum bandwidth allocation is dynamically allocated to each T-CONT class according to a weight of the T-CONT class. Thus, efficient bandwidth allocation, considering fairness between ONUs and priority of each T-CONT, is realized.

    Abstract translation: 在千兆位无源光网络(GPON)系统和无源光网络(PON)系统中的带宽分配方法中,最小带宽被分配给光网络单元(ONU),以取决于流量特性的最小传输保证 并且当在所有ONU的最小带宽分配之后没有分配带宽的ONU的通信量容器(T-CONT)等级时,根据最小带宽分配剩余的额外带宽被动态分配给每个T-CONT类别 达到T-CONT类的重量。 因此,考虑到ONU之间的公平性和每个T-CONT的优先级,实现有效的带宽分配。

    단방향 지연시간 추정 및 이를 이용한 클럭 동기화 방법 및장치
    17.
    发明公开
    단방향 지연시간 추정 및 이를 이용한 클럭 동기화 방법 및장치 有权
    时钟同步方法和使用估计的单向延迟的装置

    公开(公告)号:KR1020070054037A

    公开(公告)日:2007-05-28

    申请号:KR1020050112003

    申请日:2005-11-22

    Inventor: 김동근 이재용

    CPC classification number: H04J3/0682 H04J3/0632

    Abstract: 단방향 지연시간 추정 및 이를 이용한 클럭 동기화 방법 및 장치가 개시된다. 그 방법은, 네트워크에 연결되어 소정의 패킷을 주고 받는 두 호스트간의 단방향 지연시간을 추정하는 방법에 있어서, (a) 상기 일측 호스트에서 k(단, k는 자연수), k+1 및 k+2번째 전송 시점을 측정하고, 상기 타측 호스트에서 k 및 k+1번째 전송 시점을 측정하는 단계; (d) 상기 일측 호스트에서 측정된 m(단, m은 k 또는 k+1)번째 전송 시점과 상기 타측 호스트에서 측정된 m번째 전송 시점의 시간차를 구하고, 하나 이상의 상기 측정된 전송 시점을 이용하여 m번째 상기 단방향 지연시간을 구하는 단계; (e) 상기 구해진 시간차가 상기 구해진 단방향 지연시간과 일치하는지 판단하는 단계; 및 (f) 일치한다고 판단되면, 상기 구해진 단방향 지연시간 이하의 값을 상기 추정하고자 하는 단방향 지연시간으로서 결정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 그러므로, 본 발명은, 종래에 단방향 지연시간을 추정하는 경우에 비하여 추정 오차가 적으며, 두 호스트가 비대칭으로 연결되어 있는 경우에도 단방향 지연시간을 예측할 수 있는 효과를 갖는다.

    기능블럭을 포함하는 SoC의 클락 제어 방법, 이를 구현한 SoC 및 이를 포함하는 반도체 시스템

    公开(公告)号:KR101851614B1

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:KR1020110133195

    申请日:2011-12-12

    Abstract: 적어도하나이상의기능블럭을포함하는 SoC의클락제어방법및 그 SoC가개시된다. 본발명의 SoC(System On Chip)의클락제어방법은기능블럭의상태를모니터링하는단계, 상기모니터링된상태에따라상기기능블럭의상태를비활성화모드, 적어도하나의웨이크업모드또는활성화모드로판단하는단계, 상기기능블럭의상태가상기비활성화모드이면기 설정된제1주파수를동작주파수로설정하고, 상기기능블럭의상태가상기활성화모드이면기 설정된제2주파수를동작주파수로설정하며, 상기기능블럭의상태가상기웨이크업모드이면기 설정된제3주파수를동작주파수로설정하는단계및 상기설정한동작주파수를가진동작클락을상기기능블럭에공급하는단계를포함한다. 그결과기능블럭들각각의상태에따라각 기능블럭들에공급되는동작클락을별도로제어함으로써불필요한전력소모를감소시킬수 있다. 또한기능블럭이비활성화상태에서활성화상태로변할때 일어날수 있는전압강하에따른오동작을방지할수 있다.

    상변화 물질의 화학 기계적 연마 방법, 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자 제조 방법
    20.
    发明公开
    상변화 물질의 화학 기계적 연마 방법, 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자 제조 방법 无效
    化学机械抛光相变材料的方法及使用相同方法制备相变随机存取存储器的方法

    公开(公告)号:KR1020100101379A

    公开(公告)日:2010-09-17

    申请号:KR1020090019846

    申请日:2009-03-09

    Abstract: PURPOSE: A method for chemically and mechanically polishing a phase change material and a method for manufacturing a phase change memory device are provided to reduce the change of composition of the phase change materials. CONSTITUTION: A phase change material(11) is formed on an active surface of a semiconductor wafer. The phase change material is chemically and mechanically polished by a slurry and a polishing pad. The change of composition of the phase change material is suppressed by controlling the temperature of a contact area between the phase change material and the polishing pad within a preset range.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于化学和机械抛光相变材料的方法和用于制造相变存储器件的方法,以减少相变材料的组成变化。 构成:在半导体晶片的有源表面上形成相变材料(11)。 相变材料通过浆料和抛光垫进行化学和机械抛光。 通过将相变材料和抛光垫之间的接触面积的温度控制在预设范围内来抑制相变材料的组成变化。

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