Abstract:
An integrated circuit comprises a processor core, a clock control circuit, and a debugging circuit. The processor core processes a plurality of commands and data composing objective software. The clock control circuit determines an electrical connection condition between the external debuggers executing debugging operation for the processor core and the objective software and generates output clock signals selectively activated based on a determination result and an input clock signal. The debugging circuit provides information related to the debugging operation for the objective software to the external debugger based on the output clock signal.
Abstract:
본 발명은 스캐너와 사용자 호스트 컴퓨터가 USB나 병렬 포트(Parallel Port)와 같은 인터페이스에 의해 로컬 연결되거나 또는 네트워크에 의해 원격으로 연결될 수 있는 스캐닝 시스템에서 스캐닝을 스캐너에서 또는 사용자 호스트 컴퓨터에서 양방향적으로 수행할 수 있도록 함으로써 스캐너 사용의 편리성과 활용성을 극대화시킬 수 있는 트웨인(TWAIN) 드라이버를 이용한 스캐닝 방법 및 스캐닝 시스템에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 네트워크 세션(Session) 기술과 로컬 연결에서 적용되던 스캐닝 제어 기술을 사용하여 네트워크를 통하여 스캔 이미지를 스캐너로부터 사용자 호스트 컴퓨터의 어플리케이션으로 전송할 수 있도록 하는 트웨인(TWAIN) 드라이버를 이용한 스캐닝 방법 및 시스템에 관한 것이다. 스캐너, 드라이버, TWAIN, 트웨인, 스캐닝, 네트워크, 로컬, 호스트
Abstract:
A polishing method and a method of manufacturing a phase-change memory device using the same are provided to prevent lower electrodes from separating from a phase-change material layer by polishing the phase-change material layer with acid slurry composition in which coefficient of friction of the phase-change material layer to an oxide layer pattern ranges from 0.9 to 1.2. A polishing method includes the steps of: forming an oxide layer pattern(11) having an opening(15) on a substrate(10); forming a phase-change material layer on the oxide layer pattern to fill the opening enough; and contacting the surface of a polishing pad with the surface of the phase-change material layer, and polishing the phase-change material layer until the oxide layer pattern is exposed as supplying acid slurry composition containing silica abrasive, polishing aid, a pure water, wherein coefficient of friction of the phase-change material layer to an oxide layer pattern ranges from 0.9 to 1.2.
Abstract:
In a gigabit-capable passive optical network (GPON) and a method for bandwidth allocation in the GPON system, when an optical network unit (ONU) requests a bandwidth less than its preset minimum bandwidth, the requested bandwidth is allocated to the ONU. When there are traffic-container (T-CONT) classes of ONUs not allocated bandwidth after the requested bandwidth allocation, a spare bandwidth after the requested bandwidth allocation is dynamically allocated to the T-CONT class of each ONU according to a weight of each T-CONT class and a percentage of each T-CONT buffer queue. Thus, in the short term, upstream channel transmission according to T-CONT priority in a congested state can be ensured, and, in the long run, network traffic congestion can be prevented.
Abstract:
In a gigabit-capable passive optical network (GPON) system and in a method for bandwidth allocation in a passive optical network (PON) system, a minimum bandwidth is allocated to optical network units (ONUs) for minimal transmission assurance dependent on a traffic characteristic of each ONU, and when there is a traffic-container (T-CONT) class of an ONU not allocated bandwidth after minimum bandwidth allocation to all ONUs, an extra bandwidth remaining after minimum bandwidth allocation is dynamically allocated to each T-CONT class according to a weight of the T-CONT class. Thus, efficient bandwidth allocation, considering fairness between ONUs and priority of each T-CONT, is realized.
Abstract:
단방향 지연시간 추정 및 이를 이용한 클럭 동기화 방법 및 장치가 개시된다. 그 방법은, 네트워크에 연결되어 소정의 패킷을 주고 받는 두 호스트간의 단방향 지연시간을 추정하는 방법에 있어서, (a) 상기 일측 호스트에서 k(단, k는 자연수), k+1 및 k+2번째 전송 시점을 측정하고, 상기 타측 호스트에서 k 및 k+1번째 전송 시점을 측정하는 단계; (d) 상기 일측 호스트에서 측정된 m(단, m은 k 또는 k+1)번째 전송 시점과 상기 타측 호스트에서 측정된 m번째 전송 시점의 시간차를 구하고, 하나 이상의 상기 측정된 전송 시점을 이용하여 m번째 상기 단방향 지연시간을 구하는 단계; (e) 상기 구해진 시간차가 상기 구해진 단방향 지연시간과 일치하는지 판단하는 단계; 및 (f) 일치한다고 판단되면, 상기 구해진 단방향 지연시간 이하의 값을 상기 추정하고자 하는 단방향 지연시간으로서 결정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 그러므로, 본 발명은, 종래에 단방향 지연시간을 추정하는 경우에 비하여 추정 오차가 적으며, 두 호스트가 비대칭으로 연결되어 있는 경우에도 단방향 지연시간을 예측할 수 있는 효과를 갖는다.
Abstract:
PURPOSE: A method for chemically and mechanically polishing a phase change material and a method for manufacturing a phase change memory device are provided to reduce the change of composition of the phase change materials. CONSTITUTION: A phase change material(11) is formed on an active surface of a semiconductor wafer. The phase change material is chemically and mechanically polished by a slurry and a polishing pad. The change of composition of the phase change material is suppressed by controlling the temperature of a contact area between the phase change material and the polishing pad within a preset range.