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公开(公告)号：KR1019990038848A
公开(公告)日：1999-06-05
申请号：KR1019970058720
申请日：1997-11-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
Abstract: 본 발명은 고전압을 발생시키기 위한 캐패시터로서 사용되는 모오스 트랜지스터에 관한 것이다. 상기 모오스 캐패시터는, 반도체 기판 상부에 게이트 절연막을 개재하여 형성된 제1게이트와, 상기 제1게이트 상부에 유전체막을 개재하여 형성된 제2게이트로 구성되는 더블 게이트를 가진다. 제1게이트에 인가된 전압이 제1게이트 상부의 유전체막에 의해 제2게이트의 전위와 커플링되고, 또한 상기 반도체 기판 상부의 게이트 절연막에 의해 확산영역이 커플링되어 전위가 올라가므로 B노드의 전위는 병렬 캐패시턴스에 의해 효율이 증가된다.
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公开(公告)号：KR100150996B1
公开(公告)日：1998-10-01
申请号：KR1019940026858
申请日：1994-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
Abstract: 신규한 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법이 개시되어 있다. 반도체기판 상에 산화막을 형성한 다음, 상기 산화막 상에 부유 게이트로 사용될 제1 다결정실리콘층을 형성한다. 상기 제1 다결정실리콘층 상에 ONO막을 형성한 후, 연속으로 제어 게이트 물질을 침적한다. 제어 게이트와 부유 게이트 사이에 형성되는 ONO막의 특성 저하를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100144895B1
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：KR1019950010115
申请日：1995-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
Abstract: 불휘발성 기억장치의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은 불휘발성 기억장치의 셀의 정보기입 효율을 개선시키기 위한 측벽 게이트 전극을 부유 게이트의 소오스 영역쪽에 형성함에 있어서, 제3 도전층을 사진/식각공정으로 패터닝하여 상기 측벽 게이트 전극을 형성함과 동시에 드레인 영역 상부의 자기정렬형 콘택홀을 채우는 패드층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 측벽 게이트 전극에 의하여 정보기입 속도를 개선시키고 과도한 정보소거가 이루어진 셀에 의한 독출시의 오동작을 개선시킬 수 있음은 물론, 측벽 게이트 전극의 단면적을 크게 형성하여 측벽 게이트 전극의 저항을 감소시킬 수 있다. 또한 드레인 상부에 자기정략형 콘택홀을 형성하여 셀 면적을 감소시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970072441A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960009679
申请日：1996-04-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재윤
IPC: H01L27/112
Abstract: 불휘발성 기억장치의 메모리 셀 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은 필드산화막 상기 일부분까지 연장되어 형성된 부유게이트의 가장자리 아래에 언더컷을 형성한 후 상기 결과물 전면에 단차도포성이 우수한 유전막과 제어게이트 전극으로 사용되는 제2도전막을 차례로 형성함으로써, 부유게이트와 제어게이트 전극 사이의 정전용량을 크게 증가시킬 수 있다. 따라서, 셀의 면적을증가시키지 않으면서 셀의 커플링 비율을 증가시킬 수 있으므로 프로그램 속도를 빠르게 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970067899A
公开(公告)日：1997-10-13
申请号：KR1019960008368
申请日：1996-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
Abstract: 신규한 불휘발성 메모리소자 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 소자분리용 제1 절연막이 형성되어 있는 반도체기판 상에 터널산화막용 제2 절연막이 형성된다. 제1 절연막과 접촉하지 않으면서 수직방향으로 제1 절연막과의 사이에 소정의 공간을 갖고 존재하는 윙을 포함하는 플로팅게이트용 제1 도전체가 제2 절연막 상에 형성된다. 층간유전막은, 제1 도전체의 상부표면 전체에 형성된 제1 부위, 제1 도전체의 윙의 측면 및 하부면에 형성된 제2 부위 및 제3 부위, 그리고 제1 도전에 윙과 제1 절연막 사이에 존재하는 소정공간에 인접하는 제1 도전체의 측면에 형성된 제4 부위로 이루어진다. 컨트롤게이트용 제2 도전체는 제1 도전체 윙과 제1 절연막 사이에 존재하는 소정공간을 매몰시키면서 제1 도전체를 덮도록 층간유전막 상에 형성된다. 셀 면적의 증대없이 커플링비를 증대시킬 수 있어 속도의 상승 및 고집적화를 도모할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970048509A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950065749
申请日：1995-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재윤
IPC: G01R27/00
Abstract: 본 구동능력 검출장치 및 방법은 로딩캡값이 달라짐에 따라 지연변화량이 달라지는 구간별 구동능력을 검출하여 시뮬레이션에 적용하기 위한 것으로써, 본 장치는 사용자에 의하여 로딩캡 값을 변화시킬 수 있는 셀;셀의 입력대 출력 지연을 측정하여 지연변화량이 급격히 변하는 부분의 기준이 되는 로딩캡 값을 검출하기 위한 기준캡 값 검출부; 기준캡 값 검출부에서 검출된 기준값에 의하여 상이한 구동능력이 제공되어야 할 구간을 구분하고, 구준된 구간별로 해당되는 구동능력을 검출하여 출력하는 구동능력 검출부를 포함하도록 구성된다.
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公开(公告)号：KR101262915B1
公开(公告)日：2013-05-09
申请号：KR1020120012165
申请日：2012-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재윤
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L33/502 , H01L21/78 , H01L25/0753 , H01L33/56 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to form a wavelength conversion part by spreading a wavelength conversion material on the upper part of a light emitting element in wafer scales, and to simplify a manufacturing process. CONSTITUTION: A light emitting element(10) is formed on a substrate(100). An electrode pad(20) formed on the upper part of the light emitting element is connected to an electrode(30) formed on the substrate by using a wire(W). A resin including a fluorescent material is coated on the light emitting element to form a wavelength conversion part(50) for covering the light emitting element on the substrate. A part of the wavelength conversion part between the light emitting elements is removed. The gap between the light emitting elements is diced by using a cutting device(700). A light emitting device(110) having the wavelength conversion part, which is formed on the upper and the lateral part of the light emitting element, is manufactured.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，通过在晶片尺度上的发光元件的上部扩散波长转换材料来形成波长转换部，并且简化制造工艺。 构成：在基板（100）上形成发光元件（10）。 形成在发光元件的上部的电极焊盘（20）通过使用导线（W）与形成在基板上的电极（30）连接。 包含荧光材料的树脂被涂覆在发光元件上，以形成用于覆盖基板上的发光元件的波长转换部分（50）。 除去发光元件之间的波长转换部分的一部分。 通过使用切割装置（700）对发光元件之间的间隙进行切割。 制造具有形成在发光元件的上部和外侧部分上的波长转换部分的发光器件（110）。
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公开(公告)号：KR1020120092029A
公开(公告)日：2012-08-20
申请号：KR1020120012293
申请日：2012-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve light extraction efficiency by sufficiently securing an area of an active layer to reduce a light loss. CONSTITUTION: A light emitting structure is formed on a substrate(110) and includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. An insulation layer(117) is formed on the light emitting structure. An n electrode pad(118a) and an n electrode sheet(118c) are formed on the insulation layer. A p electrode(119) includes a p electrode pad(119a) and a p negative electrode(119b).
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以通过充分确保有源层的面积来减少光损失来提高光提取效率。 构成：发光结构形成在基板（110）上，并且包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层。 在发光结构上形成绝缘层117。 在绝缘层上形成n电极焊盘（118a）和n电极片（118c）。 p电极（119）包括p电极焊盘（119a）和p负极（119b）。
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公开(公告)号：KR1020110113418A
公开(公告)日：2011-10-17
申请号：KR1020100032801
申请日：2010-04-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/11548 , H01L27/11519 , H01L27/11529 , H01L27/10882
Abstract: 본 발명은 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 장치는, 셀 어레이 영역의 측면과 상부에 각각 배치되는 수소 차단 패턴들을 포함함으로써, 수소가 셀 어레이 영역 안으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 수소가 터널 절연막 등 내에 트랩되지 않아 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에서는 셀 어레이 콘택 플러그를 형성할 때 측면 수소 차단 패턴과 상부 수소 차단 패턴을 동시에 만들기 때문에, 수소 차단 패턴의 형성을 위한 별도의 추가 공정을 필요로 하지 않아 공정을 단순화시킬 수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。 该器件可以通过分别包括设置在单元阵列区域的侧面和顶部的氢阻挡图案来防止氢扩散到单元阵列区域中。 由此，氢不被捕获在隧道绝缘膜等中，从而可以提高半导体器件的可靠性。 此外，在本发明的制造半导体器件的方法中，由于在形成单元阵列接触插塞时同时形成侧面氢阻挡图案和上层氢阻挡图案，因此不需要用于形成氢阻挡图案的单独附加工艺。 可以简化。
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