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公开(公告)号：WO2013018941A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2011/005655
申请日：2011-08-01
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 발광 소자는, n형 반도체층 및 p형 반도체층과 이들 사이에 개재된 활성층을 구비한 발광 구조물; 상기 n형 및 p형 반도체층 중 어느 하나에 접속된 제1 전극; 및 상기 n형 및 p형 반도체층 중 다른 하나에 접속된 제2 전극을 포함한다. 상기 제1 전극은 발광 구조물 상면의 일 변 중앙에 배치된 제1 전극 패드와 이에 연결된 제1 내지 제3 가지전극을 구비하여 포크 형상을 갖는다. 상기 제2 전극은 상기 일 변에 대향하는 타 변의 양쪽 코어에 서로 분리되도록 배치된 제2 및 제3 전극 패드와 이에 연결된 제4 내지 제7 가지전극을 구비하며, 상기 제4 내지 제7 가지전극은 상기 제1 내지 제3 가지전극들 사이에 깍지긴 형태로 연장된다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括：设置有n型半导体层，p型半导体和设置在其间的激活层的发光结构; 连接到n型或p型半导体层的第一电极; 以及与第一电极未连接的n型或p型半导体层连接的第二电极。 第一电极设置有设置在发光结构的顶表面的一侧的中心的第一电极焊盘，并且第一至第三分支电极连接到第一电极焊盘，因此具有叉形形状。 第二电极设置有在与一侧相反的另一侧的两个角上彼此分离的第二和第三电极焊盘，并且第四至第七分支电极连接到第二和第三电极焊盘，其中第四至第七电极焊盘 第七分支电极延伸设置在第一至第三分支电极之间。
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公开(公告)号：WO2013024921A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/006039
申请日：2011-08-17
Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 일부 영역에 해당하는 제1 영역 위에 형성된 활성층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역 위에 형성되어 상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결되며, n형 패드와 제1 및 제2 n형 핑거를 구비하는 n형 전극 및 상기 p형 반도체층 상에 형성되어 상기 p형 반도체층과 전기적으로 연결되며, p형 패드 및 p형 핑거를 구비하는 p형 전극을 포함하는 반도체 발광소자 제공한다. 본 발명에서 제안하는 반도체 발광소자를 사용할 경우, n형 및 p형 전극 간 거리가 균일하여 전극의 특정 영역에 전류가 집중되는 현상이 최소화될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，其在本发明的一个实施例中包括：n型半导体层; 形成在对应于n型半导体层的上表面的一部分的第一区域上的有源层和p型半导体层; 形成在与n型半导体层的上表面不同于第一区域的第二区域上的n型电极，与n型半导体层电连接，并且设置有n型焊盘，并且第一和第二n 型手指; 以及p型电极，形成在p型半导体层上，与p型半导体层电连接，并具有p型焊盘和p型指状物。 当使用本发明中描述的半导体发光器件时，n型和p型电极之间的距离是恒定的，并且可以将在电极的特定区域集中的电流最小化。
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公开(公告)号：WO2013024914A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/006013
申请日：2011-08-17
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 일 측면은, 기판 위에 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층과, 그 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계와, 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 상기 제2 도전형 질화물 반도체층의 일부 영역이 노출되는 포토레지스트막을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트막에 의하여 노출된 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 위에 제2 전극 구조로서 반사 금속층 및 배리어 금속층을 연속으로 형성한 후 상기 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供一种用于制造由此制造的氮化物半导体发光器件和氮化物半导体发光器件的方法。 制造氮化物半导体发光器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一和第二导电型氮化物半导体层，以在第一和第二导电型氮化物半导体层之间形成包括有源层的发光结构; 依次形成第一导电型氮化物半导体层，有源层和第二导电型氮化物半导体层; 形成连接到第一导电型氮化物半导体层的第一电极; 在所述第二导电型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露所述第二导电型氮化物半导体层的一部分; 并且在用作第二电极和阻挡层的反射金属层之后依次形成在由光致抗蚀剂膜暴露的第二导电型氮化物半导体层上，去除光致抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：WO2013022129A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/KR2011/005776
申请日：2011-08-09
Abstract: 본 발명은 텍스쳐(texture) 효과를 통해 광추출 효율(Light Extraction Efficiency)이 향상된 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 기판 위에 형성되며, 제1 도전형 질화물 반도체층 및 제2 도전형 질화물 반도체층과, 그 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광구조물; 상기 제1 도전형 질화물 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 질화물 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 상기 발광구조물의 상하면을 관통하도록 형성된 복수개의 관통홀을 구비하는 광추출 패턴;을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种由于纹理效应而具有改善的光提取效率的氮化物半导体发光元件，包括：发光结构，其形成在基板上，并且包括第一导电氮化物半导体层，第二导电氮化物半导体 层和夹在其间的活性层; 电连接到第一导电氮化物半导体层的第一电极; 电连接到第二导电氮化物半导体层的第二电极; 以及具有位于第一和第二电极之间的多个通孔并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面的光提取图案。
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公开(公告)号：WO2013018938A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2011/005589
申请日：2011-07-29
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 일부 영역에 해당하는 제1 영역 위에 형성된 활성층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역 위에 형성되어 상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결되며, n형 패드와 제1 및 제2 n형 핑거를 구비하는 n형 전극 및 상기 p형 반도체층 상에 형성되어 상기 p형 반도체층과 전기적으로 연결되며, p형 패드 및 p형 핑거를 구비하는 p형 전극을 포함하며, 상기 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층은 발광구조물을 이루고, 상기 발광구조물의 상부에서 보았을 때, 상기 n형 및 p형 핑거는 서로 교차하도록 서로 중첩되는 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供一种半导体发光元件，包括：n型半导体层; 形成在对应于n型半导体层的上表面的一部分的第一区域上的活化层和p型半导体层; n型电极，其形成在n型半导体层的顶表面的与第一区不同的第二区上并与n型半导体层电连接，并且具有n型 垫和第一和第二n型手指; 以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接并且设置有p型焊盘和p型指状物。 n型半导体层，活化层和p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观察时，半导体发光元件具有以下区域： n型和p型手指重叠以便彼此相交。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101650722B1
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020100012823
申请日：2010-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명은텍스쳐(texture) 효과를통해광추출효율(Light Extraction Efficiency)이향상된질화물반도체발광소자에관한것으로, 기판위에형성되며, 제1 도전형질화물반도체층및 제2 도전형질화물반도체층과, 그사이에위치하는활성층을포함하는발광구조물; 상기제1 도전형질화물반도체층에전기적으로연결된제1 전극; 상기제2 도전형질화물반도체층에전기적으로연결된제2 전극; 및상기제1 전극및 상기제2 전극사이에위치하며, 상기발광구조물의상하면을관통하도록형성된복수개의관통홀을구비하는광추출패턴;을포함한다.
Abstract translation: 的通过影响萃取效率（光提取效率）的增强的氮化物涉及一种半导体发光器件，形成一基板，一第一导电型氮化物半导体层和所述第二导电型氮化物半导体层上的本发明的纹理（质地）; 包括位于其间的有源层的发光结构; 电连接到第一导电材料半导体层的第一电极; 电连接到第二导电材料半导体层的第二电极; 并且光提取图案设置在第一电极和第二电极之间，光提取图案具有形成为穿透发光结构的下表面的多个通孔。
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公开(公告)号：KR1020120042500A
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：KR1020100104215
申请日：2010-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve light extraction efficiency by arranging an insulating layer and a reflection part on a light emitting structure. CONSTITUTION: A light emitting structure(6) is formed on a substrate(2). The light emitting structure comprises a first conductivity type semiconductor layer(3), an active layer(4), and a second conductivity type semiconductor layer(5). An insulating layer(7) is formed on the upper surface of the second conductivity type semiconductor layer. A reflection part(9) is formed on the insulating layer. A first electrode(10) is formed on the first conductivity type semiconductor layer. A second electrode(11) is formed on the reflection part.
Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过在发光结构上设置绝缘层和反射部分来提高光提取效率。 构成：在基板（2）上形成发光结构（6）。 发光结构包括第一导电类型半导体层（3），有源层（4）和第二导电类型半导体层（5）。 绝缘层（7）形成在第二导电类型半导体层的上表面上。 反射部（9）形成在绝缘层上。 第一电极（10）形成在第一导电类型半导体层上。 第二电极（11）形成在反射部分上。
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公开(公告)号：KR1020110093037A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100012823
申请日：2010-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device is provided to use a light extraction pattern which is formed by eliminating layers from a semiconductor layer until an active layer is eliminated, thereby increasing light extraction efficiency. CONSTITUTION: A light emitting structure is formed on a substrate(110). The light emitting structure includes a first conductive nitride semiconductor layer(120), an active layer(130), and a second conductive nitride semiconductor layer(140). A first electrode(150) is electrically connected to the first conductive nitride semiconductor layer. A second electrode(160) is electrically connected to the second conductive nitride semiconductor layer. A light extraction pattern(170) has a through hole.
Abstract translation: 目的：提供一种氮化物半导体发光器件，以使用通过从半导体层去除层直到消除有源层而形成的光提取图案，从而提高光提取效率。 构成：在基板（110）上形成发光结构。 发光结构包括第一导电氮化物半导体层（120），有源层（130）和第二导电氮化物半导体层（140）。 第一电极（150）电连接到第一导电氮化物半导体层。 第二电极（160）电连接到第二导电氮化物半导体层。 光提取图案（170）具有通孔。
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公开(公告)号：KR1020110092525A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100011994
申请日：2010-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0075 , H01L2933/0083
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor light emitting device is provided to minimize damage to a light emitting structure by regrowing a second conductive semiconductor layer for a short time. CONSTITUTION: A first conductive semiconductor layer(101) is formed on a substrate(100). An active layer(102) is formed on the first conductive semiconductor layer. A second conductive semiconductor layer(103) is formed on the active layer. A mask(104) with a plurality of open areas is formed on the second conductive semiconductor layer. The plurality of open areas is regularly arranged.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体发光器件的方法，以通过在短时间内重新生长第二导电半导体层来最小化对发光结构的损伤。 构成：在基板（100）上形成第一导电半导体层（101）。 在第一导电半导体层上形成有源层（102）。 在有源层上形成第二导电半导体层（103）。 具有多个开放区域的掩模（104）形成在第二导电半导体层上。 多个开放区域被规则排列。
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公开(公告)号：KR1020100032509A
公开(公告)日：2010-03-26
申请号：KR1020080091429
申请日：2008-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 황석민
CPC classification number: H04N5/63
Abstract: PURPOSE: An apparatus for reducing power in a digital broadcasting system is provided to stably receive next burst. CONSTITUTION: A PSI/SI(Program Specific Information/Service Information) generator(720) generates PSI/SI information. A delta-T update unit(750) inserts time information into the PSI/SI information. A burst generating unit(740) generates burst. A multiplexer(760) multiplexes inserted PSI/SI information and burst. A transmission unit(770) transmits multiplexed information.
Abstract translation: 目的：提供一种降低数字广播系统功率的装置，以稳定地接收下一个突发。 构成：PSI / SI（节目特定信息/服务信息）生成器（720）生成PSI / SI信息。 Δ-T更新单元（750）将时间信息插入到PSI / SI信息中。 突发生成单元（740）产生突发。 复用器（760）复用插入的PSI / SI信息和突发。 发送单元（770）发送复用信息。
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