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公开(公告)号：WO2013024921A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/006039
申请日：2011-08-17
Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 일부 영역에 해당하는 제1 영역 위에 형성된 활성층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역 위에 형성되어 상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결되며, n형 패드와 제1 및 제2 n형 핑거를 구비하는 n형 전극 및 상기 p형 반도체층 상에 형성되어 상기 p형 반도체층과 전기적으로 연결되며, p형 패드 및 p형 핑거를 구비하는 p형 전극을 포함하는 반도체 발광소자 제공한다. 본 발명에서 제안하는 반도체 발광소자를 사용할 경우, n형 및 p형 전극 간 거리가 균일하여 전극의 특정 영역에 전류가 집중되는 현상이 최소화될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，其在本发明的一个实施例中包括：n型半导体层; 形成在对应于n型半导体层的上表面的一部分的第一区域上的有源层和p型半导体层; 形成在与n型半导体层的上表面不同于第一区域的第二区域上的n型电极，与n型半导体层电连接，并且设置有n型焊盘，并且第一和第二n 型手指; 以及p型电极，形成在p型半导体层上，与p型半导体层电连接，并具有p型焊盘和p型指状物。 当使用本发明中描述的半导体发光器件时，n型和p型电极之间的距离是恒定的，并且可以将在电极的特定区域集中的电流最小化。
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公开(公告)号：WO2013022129A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/KR2011/005776
申请日：2011-08-09
Abstract: 본 발명은 텍스쳐(texture) 효과를 통해 광추출 효율(Light Extraction Efficiency)이 향상된 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 기판 위에 형성되며, 제1 도전형 질화물 반도체층 및 제2 도전형 질화물 반도체층과, 그 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광구조물; 상기 제1 도전형 질화물 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 질화물 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 상기 발광구조물의 상하면을 관통하도록 형성된 복수개의 관통홀을 구비하는 광추출 패턴;을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种由于纹理效应而具有改善的光提取效率的氮化物半导体发光元件，包括：发光结构，其形成在基板上，并且包括第一导电氮化物半导体层，第二导电氮化物半导体 层和夹在其间的活性层; 电连接到第一导电氮化物半导体层的第一电极; 电连接到第二导电氮化物半导体层的第二电极; 以及具有位于第一和第二电极之间的多个通孔并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面的光提取图案。
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公开(公告)号：WO2013018938A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2011/005589
申请日：2011-07-29
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 일부 영역에 해당하는 제1 영역 위에 형성된 활성층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역 위에 형성되어 상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결되며, n형 패드와 제1 및 제2 n형 핑거를 구비하는 n형 전극 및 상기 p형 반도체층 상에 형성되어 상기 p형 반도체층과 전기적으로 연결되며, p형 패드 및 p형 핑거를 구비하는 p형 전극을 포함하며, 상기 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층은 발광구조물을 이루고, 상기 발광구조물의 상부에서 보았을 때, 상기 n형 및 p형 핑거는 서로 교차하도록 서로 중첩되는 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供一种半导体发光元件，包括：n型半导体层; 形成在对应于n型半导体层的上表面的一部分的第一区域上的活化层和p型半导体层; n型电极，其形成在n型半导体层的顶表面的与第一区不同的第二区上并与n型半导体层电连接，并且具有n型 垫和第一和第二n型手指; 以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接并且设置有p型焊盘和p型指状物。 n型半导体层，活化层和p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观察时，半导体发光元件具有以下区域： n型和p型手指重叠以便彼此相交。
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公开(公告)号：WO2013018941A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2011/005655
申请日：2011-08-01
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 발광 소자는, n형 반도체층 및 p형 반도체층과 이들 사이에 개재된 활성층을 구비한 발광 구조물; 상기 n형 및 p형 반도체층 중 어느 하나에 접속된 제1 전극; 및 상기 n형 및 p형 반도체층 중 다른 하나에 접속된 제2 전극을 포함한다. 상기 제1 전극은 발광 구조물 상면의 일 변 중앙에 배치된 제1 전극 패드와 이에 연결된 제1 내지 제3 가지전극을 구비하여 포크 형상을 갖는다. 상기 제2 전극은 상기 일 변에 대향하는 타 변의 양쪽 코어에 서로 분리되도록 배치된 제2 및 제3 전극 패드와 이에 연결된 제4 내지 제7 가지전극을 구비하며, 상기 제4 내지 제7 가지전극은 상기 제1 내지 제3 가지전극들 사이에 깍지긴 형태로 연장된다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括：设置有n型半导体层，p型半导体和设置在其间的激活层的发光结构; 连接到n型或p型半导体层的第一电极; 以及与第一电极未连接的n型或p型半导体层连接的第二电极。 第一电极设置有设置在发光结构的顶表面的一侧的中心的第一电极焊盘，并且第一至第三分支电极连接到第一电极焊盘，因此具有叉形形状。 第二电极设置有在与一侧相反的另一侧的两个角上彼此分离的第二和第三电极焊盘，并且第四至第七分支电极连接到第二和第三电极焊盘，其中第四至第七电极焊盘 第七分支电极延伸设置在第一至第三分支电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110139908A
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020100060015
申请日：2010-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to perform high reliable evaluation by applying a measuring pad to an n-type and a p-type electrode while using a conventional inspection apparatus. CONSTITUTION: In a semiconductor light emitting device, an active layer and a p-type semiconductor layer are formed on a first area corresponding to a part of the top side of the n-type semiconductor layer. An n-type electrode is formed on a second area. The n-type electrode is electrically connected to the n-type semiconductor layer and includes an n-type measurement pad and a n-type finger. A P-contact is formed on the p-type semiconductor layer which includes a p-type measurement pad(107c) and a p-type finger(107b).
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件，以使用传统的检查装置，通过将测量垫施加到n型和p型电极来执行高可靠性评估。 构成：在半导体发光器件中，在对应于n型半导体层的顶侧的一部分的第一区域上形成有源层和p型半导体层。 n型电极形成在第二区域上。 n型电极电连接到n型半导体层，并且包括n型测量垫和n型手指。 P型接触形成在包括p型测量垫（107c）和p型手指（107b）的p型半导体层上。
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公开(公告)号：KR1020110092830A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100012483
申请日：2010-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to arrange an insulating layer for preventing short-circuit between an n-type finger and a p-type finger, thereby enhancing current distributing effects. CONSTITUTION: An active layer and a p-type semiconductor layer are formed on the first area of an n-type semiconductor layer(102). An n-type electrode(106) is formed on the second area of the n-type semiconductor layer. The n-type electrode includes an n-type pad(106a) and an n-type finger(106b). A p-type electrode is formed on the p-type semiconductor layer. The p-type electrode includes a p-type pad(107a) and a p-type finger(107b).
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件，用于布置用于防止n型手指和p型手指之间短路的绝缘层，从而增强电流分布效应。 构成：在n型半导体层（102）的第一区域上形成有源层和p型半导体层。 n型电极（106）形成在n型半导体层的第二区域上。 n型电极包括n型焊盘（106a）和n型手指（106b）。 p型电极形成在p型半导体层上。 p型电极包括p型焊盘（107a）和p型手指（107b）。
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公开(公告)号：KR1020110092527A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100011996
申请日：2010-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor light emitting device and the semiconductor light emitting structure made by the same are provided to simplify a cleaning process by preventing the re-absorption of etching byproducts by forming an electrode forming area through a laser lift off process. CONSTITUTION: A light emitting structure is formed on a substrate(100). A light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer(101), an active layer(102), and a second conductive semiconductor layer(103). The light emitting structure is partially separated from the substrate by radiating laser to a part of the interface of the substrate and the first conductive semiconductor layer. A first electrode(105a) is formed on the side of the first conductive semiconductor layer. A second electrode(105b) is formed on the second conductive semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体发光器件的方法和由其制造的半导体发光结构，以通过通过激光剥离工艺形成电极形成区域来防止蚀刻副产物的再吸收来简化清洁过程。 构成：在基板（100）上形成发光结构。 发光结构包括第一导电半导体层（101），有源层（102）和第二导电半导体层（103）。 发光结构通过将激光照射到基板和第一导电半导体层的界面的一部分而与基板部分地分离。 第一电极（105a）形成在第一导电半导体层的侧面上。 第二电极（105b）形成在第二导电半导体层上。
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公开(公告)号：KR1020110092082A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：KR1020100011534
申请日：2010-02-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/382 , H01L27/156 , H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to implement a light emitting device with high brightness and efficiency by increasing an effective light emitting area. CONSTITUTION: A buffer layer(110), an n-type semiconductor layer(120), an active layer(130) and a p-type semiconductor layer(140) are successively formed on a substrate(101). The p type semiconductor layer is formed on a transparent electrode layer(150). A first electrode electrically connected to an n type semiconductor layer is formed on the n type semiconductor layer. The first electrode includes a first electrode pad and three branch electrodes(160b,160c,160d). A second electrode electrically connected to the p type semiconductor layer is formed on the transparent electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件，通过增加有效发光面积来实现高亮度和高效率的发光器件。 构成：在衬底（101）上依次形成缓冲层（110），n型半导体层（120），有源层（130）和p型半导体层（140）。 p型半导体层形成在透明电极层（150）上。 与n型半导体层电连接的第一电极形成在n型半导体层上。 第一电极包括第一电极焊盘和三个分支电极（160b，160c，160d）。 电连接到p型半导体层的第二电极形成在透明电极层上。
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公开(公告)号：KR1020000074611A
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019990018661
申请日：1999-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재윤
IPC: G06F7/52
Abstract: PURPOSE: A high radix floating point divider is to provide a high radix floating point divider which doesn't require error compensation dependent on the convergence of an approximate. CONSTITUTION: A control logic(100) generates necessary control signals and latches instructions. A ROM table(120) memorizing initial approximate reciprocals receives a divisor(Y) from the control logic(100) and extracts and outputs an initial approximate reciprocal. The first selector(130) receives a dividend(X) from the control logic(100) and the initial approximate reciprocal from the ROM table(120) and selects and outputs one of the inputs in response to the first control signal(CS1). The first memory unit(150) memorizes initial approximate reciprocals, present shares and present residuals, calculates them and outputs results. The first multiplier(190) multiplies a value generated from the first memory unit(150) and a value generated from the first selector(130) and outputs a result.
Abstract translation: 目的：高基数浮点除法器是提供一个高基数的浮点除法器，它不需要误差补偿，取决于近似的收敛。 构成：控制逻辑（100）产生必要的控制信号和锁存指令。 存储初始近似倒数的ROM表（120）从控制逻辑（100）接收除数（Y），并提取并输出初始近似倒数。 第一选择器（130）从控制逻辑（100）接收余数（X），并从ROM表（120）接收初始近似倒数，并根据第一控制信号（CS1）选择并输出一个输入。 第一存储单元（150）存储初始近似倒数，存在份数和存在残差，计算它们并输出结果。 第一乘法器（190）将从第一存储器单元（150）生成的值和从第一选择器（130）生成的值相乘并输出结果。
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