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公开(公告)号：KR1019950003727B1
公开(公告)日：1995-04-17
申请号：KR1019900022114
申请日：1990-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김호준
IPC: H04M11/00
CPC classification number: H04Q11/0471 , H04Q2213/034 , H04Q2213/08 , H04Q2213/09 , H04Q2213/093 , H04Q2213/18 , H04Q2213/405
Abstract: The ISDN terminal Adapter, which has co-processor for controlling the communcation and NED (Network End Devices) includes a CombCODEC to transmit to converted analog voice signal to the telephone and the digital voice signal to the co-processor; a tone generator for generating the ring signal; a power converter for generating the telephone drive voltage; a user line relay circiut transmitting the telephone drive voltage to the telephone, relaying the voice signal between the telephone and combCODEC, and detecting the telephone hook state; a relay for transmitting the ring signal to the telephone; a tone decoder for decoding the DTMF signal, and transmitting it to the co-processor.
Abstract translation: 具有用于控制通信和NED（网络终端设备）的协处理器的ISDN终端适配器包括用于将转换的模拟语音信号发送到电话的CombCODEC和到协处理器的数字语音信号; 用于产生所述振铃信号的乐音发生器; 用于产生电话驱动电压的电力转换器; 用户线路继电器将电话驱动电压发送到电话，在电话和梳状电话之间中继语音信号，并检测电话挂机状态; 用于将振铃信号发送到电话的中继器; 用于对DTMF信号进行解码并将其发送到协处理器的音调解码器。
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公开(公告)号：KR1020170015651A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：KR1020150107695
申请日：2015-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/0673 , H01L23/5286 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/11807 , H01L29/42392 , H01L29/775 , H01L2027/11874
Abstract: 본발명의실시형태에따른반도체장치는, 반도체기판상에서제1 방향을따라연장되는채널영역및 상기채널영역에인접하는소스/드레인영역을포함하는복수의활성영역, 상기제1 방향과다른제2 방향을따라연장되어상기채널영역과교차하는복수의게이트전극, 상기소스/드레인영역및 상기복수의게이트전극중 적어도하나와비아(Via)를통해전기적으로연결되는복수의도전성라인, 및소정의전원전압을공급하며, 상기반도체기판과상기복수의도전성라인사이에배치되는전원라인(power line)을포함한다.
Abstract translation: 半导体器件包括多个有源区，包括在半导体衬底上沿第一方向延伸的沟道区和连接到沟道区的源极/漏极区，多个栅电极沿与第一方向不同的第二方向延伸以与 沟道区域，通过多个通孔电连接到所述源极/漏极区域和所述多个栅极电极中的至少一个的多个导电线以及设置在所述半导体衬底和所述多条导电线之间的电力线，并且被配置为 提供电源电压。
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公开(公告)号：KR1020150139334A
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020140067789
申请日：2014-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B2219/31443 , G05B2219/45031 , G05B2219/50139 , Y02P90/20 , Y02P90/22
Abstract: 반도체공정관리시스템은하나이상의공정설비로부터공정레시피를수신하고, 하나이상의계측설비로부터샘플링포인트별 계측값을수신하는통신부와, 상기공정레시피및 상기샘플링포인트별 계측값에기반하여상기공정레시피및 상기샘플링포인트별 계측값간의상호영향모델을수립하는제1 판단부를포함한다.
Abstract translation: 半导体处理管理系统包括通信部件，其从至少一个处理设备接收处理配方，并且从至少一个测量设备接收采样点的测量值，以及第一确定部件，其在处理配方之间建立交互模型 和测量值，基于过程配方和测量值。
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公开(公告)号：KR1020140074673A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020120142902
申请日：2012-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A semiconductor device is provided. A plurality of transistors including first impurity regions is provided on a substrate. First contacts are extended from the first impurity regions in one direction. At least one long via commonly connecting the adjacent multiple first contacts among the first contacts is provided on the first contacts. A common conductive line is provided on the long via, is extended in the direction intersecting the one direction, and mutually and electrically connects the first impurity regions.
Abstract translation: 提供半导体器件。 包括第一杂质区的多个晶体管设置在基板上。 第一接触从一个方向上的第一杂质区延伸。 在第一触点上设置有至少一个通孔连接第一触点之间的相邻多个第一触点的长通孔。 在长通孔上设置公共导线，沿与一个方向相交的方向延伸，并且相互和电连接第一杂质区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050034981A
公开(公告)日：2005-04-15
申请号：KR1020030070796
申请日：2003-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김호준
IPC: H04B1/40
Abstract: 이동통신단말기에서 스케쥴 관리를 위한 달력 화면을 다양한 이미지를 이용해 꾸미기 위한 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 이동통신단말기에서 스케쥴 관리를 위한 달력 화면에 디스플레이되는 이미지를 변경하기 위한 방법이, 메뉴 설정 모드에서 "스케쥴 관리" 메뉴항목이 선택되는지 검사하는 과정과, 상기 "스케쥴 관리" 메뉴항목 선택시, 달력 이미지와 미리 설정되어 있는 특정 이미지를 디스플레이하는 과정과, 상기 디스플레이 상태에서, "이미지 변경" 메뉴항목이 선택되는지 검사하는 과정과, 상기 "이미지 변경" 메뉴항목 선택시, 복수의 이미지들중 하나를 선택할수 있는 화면을 디스플레이하는 과정과, 상기 디스플레이 상태에서, 특정 이미지를 선택하는 키조작이 감지될시, 상기 선택된 이미지를 달력 화면에 디스플레이할 이미지로 설정하는 과정과, 상기 설정된 이미지와 상기 달력 이미지를 디스플레이하는 과정을 포함한다.
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公开(公告)号：KR102238648B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020140067789
申请日：2014-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체공정관리시스템은하나이상의공정설비로부터공정레시피를수신하고, 하나이상의계측설비로부터샘플링포인트별 계측값을수신하는통신부와, 상기공정레시피및 상기샘플링포인트별 계측값에기반하여상기공정레시피및 상기샘플링포인트별 계측값간의상호영향모델을수립하는제1 판단부를포함한다.
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公开(公告)号：KR101923120B1
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：KR1020120028575
申请日：2012-03-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L29/7827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 인접하는패턴을연결하는각각의컨택사이에형성되는스페이서를사용하여, 스케일러빌러티(scalability)를향상시키는반도체소자를제공하는것이다. 기판상에형성되는층간절연막패턴, 상기층간절연막패턴내에형성되고, 제1 방향으로제1 길이를갖는제1 배선, 상기층간절연막패턴내에상기제1 배선과이격되어형성되고, 상기제1 방향으로상기제1 길이과다른제2 길이를갖는제2 배선, 상기제1 배선및상기제2 배선과접하도록형성되어, 상기제1 배선과상기제2 배선을전기적으로분리시키는스페이서를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170102660A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020160025043
申请日：2016-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/0665 , H01L29/16 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/785
Abstract: 본발명의기술적사상은, 나노시트를구비하여전류를효과적으로제어하고다중문턱전압(Multi-Vt)을구현할수 있는반도체소자및 그제조방법을제공한다. 그반도체소자는나노시트를포함한나노시트구조체로트랜지스터가형성되고, 상기나노시트의두께조절을통해채널폭이조절됨으로써, 트랜지스터의채널전류가효과적으로제어되도록할 수있다.
Abstract translation: 本发明的技术特征提供了一种纳米片半导体装置，可以有效地控制电流和实现多阈值电压（多Vt）时和制造方法包括：a。 的半导体器件形成在晶体管成纳米片结构包括纳米片，通过纳米片的厚度控制来调整沟道宽度，从而能够向晶体管的沟道电流被有效地控制。
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