公开(公告)号：KR1020000024940A

公开(公告)日：2000-05-06

申请号：KR1019980041745

申请日：1998-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최병덕 ,  김은성 ,  김훈기 ,  전진호

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A method for forming patterns of a semiconductor device is provided to minimize a scattered reelection by increasing a thickness of an anti-reflective layer as much as a thickness of a plasma oxide layer. CONSTITUTION: A method for forming patterns of a semiconductor device comprises the steps of: forming a conductive layer(102,103) and an anti-reflective layer(104) on a semiconductor substrate(100); forming an anti-reflective layer pattern(104a) by etching partially the anti-reflective layer; and etching the conductive layer by using the anti-reflective layer pattern as a mask and forming a conductive layer pattern. The anti-reflective layer is formed as a plasma-SiON layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的图案的方法，以通过增加与等离子体氧化物层的厚度相同的抗反射层的厚度来最小化散射重选。 构成：用于形成半导体器件的图案的方法包括以下步骤：在半导体衬底（100）上形成导电层（102,103）和抗反射层（104）; 通过部分地蚀刻抗反射层形成抗反射层图案（104a）; 并通过使用抗反射层图案作为掩模蚀刻导电层并形成导电层图案。 抗反射层形成为等离子体SiON层。

公开(公告)号：KR1019970023686A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950037769

申请日：1995-10-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김광식 ,  김정곤 ,  김훈기 ,  김종우

IPC: H01L21/205

Abstract: 단일 웨이퍼 형태의 화학기상침적 설비에 사용되는 서셉터 구조가 개시되어 있다. 서셉터의 웨이퍼가 놓여지는 부분에 포켓이 형성되어, 상기 서셉터와 웨이퍼가 직접 접촉되어 열이 전달된다. 온도 분포의 균일성 및 침적시키고자 하는 막의 균일성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000033378A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980050219

申请日：1998-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오성태 ,  김경태 ,  김훈기 ,  설경오

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: An equipment for manufacturing semiconductor devices is provided to prevent a process variation, and to improve a process control capability of the equipment. CONSTITUTION: An equipment for manufacturing semiconductor devices comprises a chamber(102), a 1st gas supplier, a 2nd gas supplier and a divert line(114). A process is performed in the chamber(102). The 1st gas supplier supplies a reaction gas into the chamber(102). The 2nd gas supplier supplies a carrier gas for transferring the reaction gas into the chamber(102). The divert line(114) minimizes a flow variation of the reaction gas after the reaction gas is supplied into the chamber(102) by the carrier gas.

Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体器件的设备，以防止工艺变化，并提高设备的工艺控制能力。 构成：用于制造半导体器件的设备包括室（102），第一气体供应器，第二气体供应器和转向管线（114）。 在室（102）中进行处理。 第一气体供应器将反应气体供应到室（102）中。 第二气体供应器供应用于将反应气体输送到室（102）中的载气。 在反应气体被载气供应到室（102）中之后，转向管线（114）使反应气体的流量变化最小化。

公开(公告)号：KR100502184B1

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：KR1019980036464

申请日：1998-09-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종성 ,  심영택 ,  이상경 ,  김훈기

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 콘택홀 등을 포함하는 패턴의 형성시 콘택홀의 입구 부분이 과도하게 제거되는 것 등을 개선시킨 반도체소자의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 반도체소자의 제조방법은, 반도체기판 상에 절연막을 형성시킨 후, 상기 절연막의 패턴의 형성을 위한 공정의 수행시 상기 절연막과 상기 절연막 상에 도포시킬 포토레지스트와의 접착력이 향상되도록 상기 절연막의 표면을 질화시키는 단계; 및 상기 질화가 이루어진 절연막이 콘택홀 등을 포함하는 패턴으로 형성되도록 상기 질화가 이루어진 절연막을 제거시키는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 비피에스막 등과 같은 절연막을 이용하여 콘택홀을 포함하는 패턴으로 형성시키기 위한 공정의 수행시 발생하는 결함 등을 해소시킴로써 반도체소자의 제조에 따른 생산성 및 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100273767B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980045540

申请日：1998-10-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오성태 ,  김경태 ,  백홍주 ,  김훈기

IPC: H01L21/3205

Abstract: 본 발명은 비저항을 감소시킨 반도체소자의 텅스텐막 제조방법 및 그에 따라 제조되는 반도체소자에 관한 것으로써, 본 발명에 따른 반도체소자의 텅스텐막 제조방법은, 반도체기판상에 형성된 경계금속막 표면을 40Torr 이상의 압력분위기에서 SiH
4 가스를 이용하여 전처리시키는 단계와 유량비율이 [WF
6 ] / [SiH
4 ] ≤ 1인 WF
6 + SiH
4 가스를 이용하여 상기 전처리가 이루어진 경계금속막 표면상에 텅스텐시드층을 형성시키는 단계 및 WF
6 가스를 이용하여 상기 텅스텐시드층이 형성된 경계금속막상에 텅스텐막을 형성시키는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 그리고 본 발명에 따른 반도체소자는, 반도체기판상에 형성된 경계금속막 및 40Torr 이상의 압력분위기에서 SiH
4 가스를 이용하여 상기 경계금속막 표면을 전처리시키고, 유량비율이 [WF
6 ] / [SiH
4 ] ≤ 1인 WF
6 + SiH
4 가스를 이용하여 텅스텐시드층을 형성시킨 후 WF
6 가스를 이용하여 상기 경계금속막상에 형성된 텅스텐막을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
따라서, 기존의 제조장치를 그대로 이용한 공정의 수행으로도 비저항을 감소시킨 텅스텐막을 형성시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980044056A

公开(公告)日：1998-09-05

申请号：KR1019960062077

申请日：1996-12-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김훈기

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/31

Abstract: 공정챔버 내부에 공급되는 공정가스가 균일하게 분포되어 배출되도록 하는 반도체 공정챔버의 배출시스템에 관한 것이다.
본 발명은 소정의 밀폐된 공간을 이루는 공정챔버와, 상기 공정챔버 내부에 웨이퍼가 위치되도록 웨이퍼 저면을 받쳐 지지하도록 형성된 서셉터와, 상기 공정챔버의 상측에 요구되는 가스를 공급하는 가스 공급부 및 상기 공정챔버의 소정 위치에 내부의 공기 및 가스가 배출되는 배출구를 포함하여 구성된 반도체 공정챔버의 배출시스템에 있어서, 판 형상으로 다수개의 관통구를 형성하고 있으며, 상기 서셉터의 측부와 상기 공정챔버의 측벽 사이에 설치되는 보조블록이 설치되고, 상기 배출구는 공정챔버 하측 부위에 형성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 공급되는 가스는 보조블록의 다수개 대칭적으로 형성된 관통구를 통해 배출됨에 따라 공정챔버 내부에서 균일하게 유동하여 웨이퍼 상면에서 보다 균일하게 공정이 이루어지는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980035090A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960053321

申请日：1996-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유승일 ,  김훈기

IPC: H01L21/203

Abstract: 서로 다른 온도분위기의 듀얼형태로 구비되는 공정챔버를 이용하여 에이치에스지공정을 개선시킨 반도체 제조설비의 공정챔버에 관한 것이다.
본 발명은, 가스흡착으로 웨이퍼의 결정구조를 변형시키기 위하여 상기 웨이퍼 상에 가스를 흡착시키는 시딩공정 및 상기 가스가 흡착된 웨이퍼에 열을 가하는 어닐링공정으로 이루어지는 에이치에스지공정을 수행하는 공정챔버가 구비되는 반도체 제조설비에 있어서, 소정의 온도 제공으로 상기 시딩공정이 수행되는 제 1 공정챔버 및 상기 소정의 온도보다 상온의 온도 제공으로 상기 어닐링공정이 수행되는 제 2 공정챔버를 듀얼형태로 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 공정수행의 특성을 완전하게 살릴 수 있어 생산성이 향상되는 효과가 있다.