公开(公告)号：KR100572305B1

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：KR1019980050219

申请日：1998-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오성태 ,  김경태 ,  김훈기 ,  설경오

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 공정 수행시 공정 변화를 최소화하는 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 공정이 수행되는 챔버로 제 1 가스 공급부는 반응 가스를 공급한다. 그리고 제 2 가스 공급부는 상기 반응 가스를 상기 챔버로 이동시키기 위한 캐리어 가스를 공급하고, 디버트 라인은 상기 캐리어 가스에 의해 상기 반응 가스가 챔버로 공급 개시 후, 상기 반응 가스의 유량 변화를 최소화시킨다. 이와 같은 반도체 제조 설비에 의해서, 반응 가스만을 디버트 시키는 구조, 디버트 라인의 압력 조절을 가능하게 하는 구조, 캐리어 가스를 분할하여 흐르게 하는 구조 등의 여러 가지 구조를 갖는 설비를 이용함으로써 반응 챔버 및 반응 가스의 유량 변화를 최소화할 수 있다. 그리고 유량 조절기의 램프 또는 소프트 스타트 기능을 상기 각각의 구조에 적용함으로써 가스의 턴 온 프로파일을 조절할 수 있다. 결과적으로, 상기의 구조들을 사용함으로써 반도체 제조 설비의 공정 변화를 억제하고 공정 조절 능력을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000025121A

公开(公告)日：2000-05-06

申请号：KR1019980042067

申请日：1998-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전진호 ,  김은성 ,  김훈기 ,  한성규

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A vacuum gauge of a process chamber is provided to protect a wafer from the pollution by preventing thermion, a second thermion, and an electromagnetic wave generated within a vacuum gauge. CONSTITUTION: A vacuum gauge of a process chamber relates to a vacuum gauge of a process chamber having a filter at an entrance of a vacuum gauge. The vacuum gauge comprises a filament(10), a grid(12), and a collector(14). A connection hole(22) is disposed between the vacuum gauge and the process chamber. In the connection hole, a circular cone shaped auxiliary connection hole(16) comprising a circular filter(18) and a plurality of polarizing filter(20) is disposed. A control unit comprises a power amplifier(24) and a measuring device(25).

Abstract translation: 目的：提供处理室的真空计，以通过防止在真空计中产生的热离子，第二热离子和电磁波来保护晶片免受污染。 构成：处理室的真空计与真空计入口处具有过滤器的处理室的真空计相关。 真空计包括细丝（10），格栅（12）和收集器（14）。 连接孔（22）设置在真空计和处理室之间。 在连接孔中设置有包括圆形过滤器（18）和多个偏振过滤器（20）的圆锥形辅助连接孔（16）。 控制单元包括功率放大器（24）和测量装置（25）。

公开(公告)号：KR1020000018724A

公开(公告)日：2000-04-06

申请号：KR1019980036464

申请日：1998-09-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종성 ,  심영택 ,  이상경 ,  김훈기

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of semiconductor devices is provided to improve a reliability of the devices by preventing excessive etching of edge portions of a contact hole. CONSTITUTION: A method comprises the steps of forming an insulating layer(12), such as BPSG (boro-phosphorous silicate glass) film on a semiconductor substrate(10); performing a notarization treatment the surface of the insulating layer(12) so as to increase an adhesive force with a photoresist pattern, thereby forming a nitride film(14); and patterning the resultant structure to form a contact hole. The notarization is used a plasma treatment using NH3.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的制造方法，以通过防止接触孔的边缘部分的过度蚀刻来提高器件的可靠性。 构成：一种方法包括在半导体衬底（10）上形成诸如BPSG（硼硅酸盐玻璃）膜的绝缘层（12）的步骤; 对绝缘层（12）的表面进行公证处理，以增加与光致抗蚀剂图案的粘合力，从而形成氮化物膜（14）; 并对所得结构进行图案化以形成接触孔。 公证使用NH3等离子体处理。

公开(公告)号：KR1019980041517A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019960060820

申请日：1996-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김훈기

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명에 따른 반도체장치 제조과정의 막 형성방법은, 단일 웨이퍼 처리방식의 저압 화학기상증착설비에서 웨이퍼상에 화학기상증착방법으로 막을 형성하는 방법에 있어서, 낮은 증착속도를 유지하여 하지막에서의 형성막의 핵형성을 높일 수 있는 조건을 부여하여 이루어지는 초기단계와 소오스 가스의 농도를 높여 증착속도를 높이는 본단계가 나누어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 저압 화학기상증착공정에서 공정초기의 조건을 조절하여 공정의 안정성을 높이고 후속 공정에서의 불량을 줄이는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970072195A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960009692

申请日：1996-04-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김훈기

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 가열방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 웨이퍼 가열방법은 주 반응챔버내의 서셉터(susceptor)상에서 웨이퍼를 가열방법에 있어서, 상기 웨이퍼는 상기 서셉터를 이용하여 본격적으로 가열하기 전에 다른 챔버에서 일정온도까지 1차적으로 가열하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 웨이퍼를 주 반응챔버에서 본격적으로 가열하기 전에 다른 챔버에서 그 보다 낮은 온도로 미리 가열한다. 이렇게 함으로써, 주반응챔버에서 막질 형성에 필요한 설정온도까지 웨이퍼를 가열하는 시간을 줄여서 웨이퍼 상에 안정적인 막을 연속적으로 형성 할 수 있다.
이와 같은 이유로 인해 본 발명에 의한 웨이퍼 가열방법을 사용하면 웨이퍼 상에 안전적으로 반도체소자들을 형성하면서도 반도체장치의 생산성을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000051493A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019990001991

申请日：1999-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경태 ,  김훈기 ,  설경오 ,  오성태

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A mass flow controller is provided to prevent an overshooting phenomenon and a delay start phenomenon by precisely controlling mass flow of gas flowing through a valve according to a level of a mass flow set voltage. CONSTITUTION: A mass flow controller having a tube for transferring arbitrary gas to a chamber and a valve for controlling mass flow of the gas, comprises a sensing circuit(400), a comparison circuit(500), a valve control circuit(600) and a transfer circuit(700). The sensing circuit outputs a sensing voltage as a result after sensing mass flow of the gas flowing through the tube. The comparison circuit outputs a comparison signal as a result after comparing the sensing voltage from the sensing circuit with a mass flow set voltage from the exterior. The valve control circuit outputs a valve control voltage controlling the valve in response to the comparison signal. The transfer circuit transfers the valve control voltage to the valve when the mass flow set voltage becomes a predetermined voltage level in response to the mass flow set voltage.

Abstract translation: 目的：提供质量流量控制器，通过根据质量流量设定电压的水平精确控制流过阀门的气体的质量流量来防止过冲现象和延迟启动现象。 构成：具有用于将任意气体输送到室的质量流量控制器和用于控制气体质量流量的阀，包括检测电路（400），比较电路（500），阀控制回路（600）和 传送电路（700）。 感测电路在感测流过管的气体的质量流量之后输出感测电压。 比较电路将来自感测电路的感测电压与来自外部的质量流量设定电压进行比较后，输出比较信号。 阀控制电路根据比较信号输出控制阀的阀控制电压。 当质量流量设定电压响应于质量流量设定电压而变为预定电压电平时，传送电路将阀控制电压传递到阀。

公开(公告)号：KR1020000051272A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019990001612

申请日：1999-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전진호 ,  김훈기 ,  박태융

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: An apparatus for loading a wafer in a chemical vapor deposition(CVD) system is provided to improve productivity and is adaptable to a highly integrated semiconductor device, by having the wafer receive uniform heat through a susceptor in a CVD process. CONSTITUTION: An apparatus for loading a wafer(36) in a chemical vapor deposition(CVD) system comprises a susceptor(20), a first heater(22), a second heater(24) and a pocket(26). The susceptor has a top surface, a bottom surface(30) and an external surface(28) on which a loop-type groove(32) from the bottom surface is formed. The first heater positioned in the center of the bottom surface of the susceptor transfers heat to the susceptor. The second heater positioned in the groove of the susceptor transfers heat to the susceptor. The pocket is formed to a predetermined depth in the direction from the top surface of the susceptor to the bottom surfaced and is loaded with the wafer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于在化学气相沉积（CVD）系统中加载晶片的装置，以通过使CVD晶片在CVD工艺中通过基座承受均匀的热量来提高生产率并且适用于高度集成的半导体器件。 构成：用于将化学气相沉积（CVD）系统中的晶片（36）装载的装置包括基座（20），第一加热器（22），第二加热器（24）和凹穴（26）。 基座具有顶表面，底表面（30）和外表面（28），从底表面形成环形凹槽（32）。 位于基座底面中心的第一个加热器将热量传递到基座。 定位在基座的凹槽中的第二个加热器将热量传递到基座。 在从基座的顶表面到底部的方向上形成预定深度的凹坑，并将其装载到晶片。

公开(公告)号：KR1020000018621A

公开(公告)日：2000-04-06

申请号：KR1019980036284

申请日：1998-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경태 ,  설경오 ,  오성태 ,  김훈기

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: An apparatus for adjusting discharge of gas is provided to prevent a process badness by installing a circuit for preventing an over-shooting and a delay of a discharge. CONSTITUTION: A comparing and controlling unit(16) compares a discharge setting signal with a revising signal of a revising unit(14) and determines a switching amount of a valve(20). A valve operation control unit(18) switches the valve(20) according to the control of the comparing and controlling unit(16). The valve(20) is switched by the control of the valve operation control unit(18) and adjusts a gas amount which flows in a line. A sensing unit(10) senses a discharge of the gas amount. An amplifying unit(12) amplifies the sensing signal of the sensing unit(10). The revising unit(14) analyzes the sensing signal outputted from the amplifying unit(12) to output a discharge output signal and generates the revising signal to provide to the comparing and controlling unit(16). A badness preventing unit(22) has an inverter(23) for inverting the discharge output signal and a transistor(24) to be operated by the discharge output signal.

Abstract translation: 目的：提供一种用于调节气体排放的装置，以通过安装用于防止过度喷射的电路和放电延迟来防止过程不良。 构成：比较和控制单元（16）将排放设置信号与修正单元（14）的修正信号进行比较，并确定阀（20）的切换量。 阀操作控制单元（18）根据比较控制单元（16）的控制来切换阀（20）。 通过阀操作控制单元（18）的控制来切换阀（20），并且调节在一行中流动的气体量。 感测单元（10）感测气体量的排出。 放大单元（12）放大感测单元（10）的感测信号。 修正单元（14）分析从放大单元（12）输出的感测信号以输出放电输出信号，并产生修正信号以提供给比较和控制单元（16）。 防坏器单元（22）具有用于使放电输出信号反相的逆变器（23）和由放电输出信号操作的晶体管（24）。

公开(公告)号：KR1020000027585A

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019980045540

申请日：1998-10-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오성태 ,  김경태 ,  백홍주 ,  김훈기

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L2221/1089

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a tungsten layer of a semiconductor device is provided to enhance an electric speed of a semiconductor device and provide the flexibility of a design structure of metal wiring by reducing a resistivity of a tungsten film excellent in buried characteristics. CONSTITUTION: A surface of a boundary metal film(26) formed on a semiconductor substrate(20) is pre-processed by using SiH4 gas at a pressure atmosphere more than 40Torr. A tungsten seed film is formed on the pre-processed surface of the boundary metal film(26) by using a WF6+SiH4 gas meeting the condition that £WF6|/£SiH4| is less than or equal to 1 in a flow rate. A tungsten film(f28) is formed on the boundary metal film(26) on which the tungsten seed film by using WF6 gas. The boundary metal film(26) is composed of a Ti film and a TiN film sequentially formed.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的钨层的方法，以提高半导体器件的电速，并通过降低掩埋特性优良的钨膜的电阻率来提供金属布线的设计结构的灵活性。 构成：形成在半导体衬底（20）上的边界金属膜（26）的表面通过在大于40Torr的压力气氛下使用SiH 4气体进行预处理。 通过使用满足以下条件的WF6 + SiH4气体，在边界金属膜（26）的预处理表面上形成钨种子膜：WF6 | /£SiH4 | 在流量中小于或等于1。 通过使用WF 6气体在其上形成钨种子膜的边界金属膜（26）上形成钨膜（f28）。 边界金属膜（26）由依次形成的Ti膜和TiN膜构成。

公开(公告)号：KR1020000026460A

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019980043990

申请日：1998-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전진호 ,  허근 ,  이상경 ,  김훈기

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A vacuum gauge is provided to minimize an influence on a wafer due to thermal electrons and electromagnetic waves to enhance the yields by forming a connection line having plural curvatures. CONSTITUTION: A wafer(30, 31) is kept in a load lock chamber(16) before being transferred to a process chamber(12). The load lock chamber(16). A vacuum gauge(26) is provided to measure a vacuum degree in the chamber(16). The load lock chamber(16) and the vacuum gauge(26) are connected to prevent an influence due to thermal electrons and electromagnetic waves, and plural connection lines(50) having plural curvatures are formed. The connection lines(50) are twisted in a spiral shape. The vacuum gauge(26) is ionization guage.

Abstract translation: 目的：提供真空计，以最小化由于热电子和电磁波对晶片的影响，以通过形成具有多个曲率的连接线来提高产量。 构成：在转移到处理室（12）之前，将晶片（30,31）保持在负载锁定室（16）中。 负载锁定室（16）。 提供真空计（26）以测量腔室（16）中的真空度。 负载锁定室（16）和真空计（26）被连接以防止由于热电子和电磁波的影响，并且形成具有多个曲率的多个连接线（50）。 连接线（50）以螺旋状扭曲。 真空计（26）是电离计。