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公开(公告)号：KR1020070010711A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050065508
申请日：2005-07-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H3/007
CPC classification number: H01L23/10 , H01F17/0006 , H01F27/027 , H01L23/49838 , H01L23/645 , H01L2924/16152
Abstract: A packaging chip having an inductor is provided to reduce a chip size and improve a Q value by implementing an inductor with a sealing material which is used in packaging and is stacked widely on an edge of a substrate. A packaging chip having an inductor includes a substrate(100), a port(120), a sealing unit(130), and a packaging substrate(160). A predetermined circuit element is mounted on the substrate(100). A port(120) is formed on an upper surface of the substrate(100). The sealing unit(130) is electrically connected to an end of the circuit element and the port(120) on the substrate(100). The packaging substrate(160) is contacted with the substrate(100) through the sealing unit(130), and packages the circuit element. The sealing unit(130) is made of a conductive material and has an inductance of a predetermined amplitude. The port(120) includes a signal port and a ground port.
Abstract translation: 提供了一种具有电感器的封装芯片，通过使用封装材料的电感器实现电感，从而减小了芯片尺寸并提高了Q值，并将其广泛堆叠在基板的边缘上。 具有电感器的封装芯片包括基板（100），端口（120），密封单元（130）和封装基板（160）。 预定电路元件安装在基板（100）上。 在基板（100）的上表面上形成有端口（120）。 密封单元（130）电连接到电路元件的端部和基板（100）上的端口（120）。 包装衬底（160）通过密封单元（130）与衬底（100）接触，并封装电路元件。 密封单元（130）由导电材料制成并且具有预定振幅的电感。 端口（120）包括信号端口和接地端口。
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公开(公告)号：KR100661350B1
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：KR1020040112699
申请日：2004-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00269
Abstract: 본 발명에 의한 MEMS 소자 패키지는, MEMS 활성소자가 상면에 형성되어 있는 소자용 기판; MEMS 활성소자가 위치하는 공간 및 MEMS 활성소자의 전기적 경로를 제공하는 것으로, MEMS 활성소자의 양측에 배치되며, 제 1 패드 및 제 2 패드가 일정간격을 두고 대향된 구조의 내부전극패드; 내부전극패드의 외곽에 배치되는 실링패드; 실링패드를 통하여 소자용 기판과 결합되며, 내부전극패드의 간격이 위치하는 부분에 비아홀이 형성된 덮개용 기판; 일단이 내부전극패드와 접촉하도록 비아홀의 내측면에 형성된 연결부재; 및 연결부재의 타단과 접촉하도록 덮개용 기판의 상면에 형성된 외부전극패드;를 포함한다.
MEMS, 소자, 패키지, 웨이퍼, 기판, 비아홀, Au, 전극, 실링-
13.发明授权
公开(公告)号：KR100631217B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020050068486
申请日：2005-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: An integrated filter comprising an FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) and a SAW(Surface Acoustic Wave) resonator and a method for fabricating the same are provided to reduce the size and to improve the yield by integrating the FBAR and the SAW resonator into one substrate. An integrated filter comprising an FBAR and an SAW resonator comprises a substrate(110), a first electrode(120), a first piezoelectric layer(130), a second electrode(150), a second piezoelectric layer(140) and an inter digital transducer(IDT) electrode. The first electrode(120) is located at a predetermined first area of the top surface of the substrate(110). The first piezoelectric layer(130) is located on the first electrode(120). The second electrode(150) is located on the first piezoelectric layer(130). The second piezoelectric layer(140) is located at a predetermined second area of the top surface of the substrate(110). The IDT electrode is located on the second piezoelectric layer(140). The IDT electrode includes a first IDT electrode(160) with a comb structure and a second IDT electrode(170) with the comb structure engaged with the first IDT electrode(160).
Abstract translation: 提供包括FBAR（薄膜体声波谐振器）和SAW（表面声波）谐振器的集成滤波器及其制造方法，以通过将FBAR和SAW谐振器集成到一个基底中来减小尺寸并提高产量 。 包括FBAR和SAW谐振器的集成滤波器包括基板（110），第一电极（120），第一压电层（130），第二电极（150），第二压电层（140）和内部数字 换能器（IDT）电极。 第一电极（120）位于基板（110）的顶表面的预定第一区域处。 第一压电层（130）位于第一电极（120）上。 第二电极（150）位于第一压电层（130）上。 第二压电层（140）位于基板（110）的顶表面的预定第二区域处。 IDT电极位于第二压电层（140）上。 IDT电极包括具有梳状结构的第一IDT电极（160）和梳状结构与第一IDT电极（160）接合的第二IDT电极（170）。
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公开(公告)号：KR101478144B1
公开(公告)日：2015-01-02
申请号：KR1020070138965
申请日：2007-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06K7/0008 , H04Q2213/13095
Abstract: 기지국과 무선 통신이 가능한 휴대 단말기는, 기지국에게 RFID(radio frequency identification) 통신을 위한 채널 할당을 요청하고, 기지국으로부터 채널을 할당받고, 그리고 할당된 채널을 이용하여 RFID 태그와 통신한다.
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公开(公告)号：KR100787233B1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：KR1020060113303
申请日：2006-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03H3/04 , H03H9/0547 , H03H9/174 , Y10T29/42
Abstract: An integrated device and a manufacturing method thereof are provided to widen a tuning range and reduce parasitic resistance happening in case of discrete connection by integrally manufacturing an FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) and a variable capacitor. An integrated device includes a substrate(511), a resonance unit(510), a driving electrode layer(514), a first electrode layer(525), and a second electrode layer(524). The resonance unit is formed on the substrate. The driving electrode layer is formed on the substrate by being separated from the resonance unit. The first electrode layer is separated upward from the substrate, and is formed in the shape corresponding to the resonance unit. The second electrode layer is separated upward from the substrate, and is formed in the shape corresponding to the driving electrode layer. A step is between the first electrode layer and the second electrode.
Abstract translation: 提供了一种集成器件及其制造方法，以通过整体制造FBAR（Film Bulk Acoustic Resonator）和可变电容器来扩大调谐范围并减小在分立连接的情况下发生的寄生电阻。 集成器件包括衬底（511），谐振单元（510），驱动电极层（514），第一电极层（525）和第二电极层（524）。 谐振单元形成在基板上。 通过与谐振单元分离，在基板上形成驱动电极层。 第一电极层从衬底向上分离，并且形成为对应于谐振单元的形状。 第二电极层从基板向上分离，形成为与驱动电极层对应的形状。 在第一电极层和第二电极之间的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100750736B1
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：KR1020050093791
申请日：2005-10-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03H9/0542 , H03H9/542 , H03H9/564 , H03H9/566
Abstract: 하나의 트리밍인덕터를 사용하는 필터가 개시된다. 본 필터는, 외부단자와 전기적 연결이 가능한 제1포트, 제2포트, 및, 접지포트가 상부 표면에 형성된 기판, 기판 상에서 제1포트 및 제2포트를 직렬로 연결하는 제1 및 제2 직렬공진기, 기판 상에서 제1포트 및 제1직렬공진기 사이에 형성되는 노드에 연결되는 제1병렬공진기, 기판 상에서 제1 및 제2 직렬공진기 사이에 형성되는 노드에 연결되는 제2병렬공진기, 및, 일측이 제1 및 제2 병렬공진기 각각과 연결되며, 타측이 접지포트에 연결되는 트리밍인덕터를 포함한다. 이에 따라, 소형의 고성능 필터를 구현할 수 있게 된다.
필터, 트리밍 인덕터, FBAR, 직렬공진기, 병렬공진기-
公开(公告)号：KR100719121B1
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：KR1020060071046
申请日：2006-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H9/66
Abstract: 제작 공정이 간단하여 구조가 단순한 위상변조기 및 그 제조방법, 이를 구비하는 듀플렉서가 개시된다. 개시된 본 발명에 의한 듀플렉서는, 송신 주파수 범위 내의 신호만을 통과시키는 송신 필터; 수신 주파수 범위 내의 신호만을 통과시키는 수신 필터; 및 송신 및 수신 필터 사이에 배치되어, 송신 및 수신 필터의 송수신 신호를 상호 격리시키는 위상변조기;를 포함하며, 위상변조기는, 입력 및 출력 포트가 마련되는 기판: 입력 및 출력 포트와 연결되도록 기판에 형성되는 인덕터; 및 인덕터의 소정 영역을 공유하여 형성되게 인덕터 형성 시 기판에 마련되는 캐패시터;를 포함한다.
듀플렉서, 필터, 위상, 변조, 시프터, 인덕터, 캐패시터.Abstract translation: 公开了一种具有简单制造工艺和简单结构的相位调制器，其制造方法以及具有该调制器的双工器。 根据本发明的双工器包括：发送滤波器，用于仅使发送频率范围内的信号通过; 接收滤波器，用于仅通过接收频率范围内的信号; 以及设置在发射和接收滤波器之间的相位调制器，用于相互隔离发射和接收滤波器的发射和接收信号，该相位调制器包括：衬底，在衬底上提供输入和输出端口; 形成的电感; 并且，在形成电感器时，通过共用电感器的规定区域而形成在基板上的电容器。
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公开(公告)号：KR100653083B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020040113065
申请日：2004-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C23/00 , H01H1/0094 , Y10S977/708
Abstract: RF 신호의 손실을 줄일 수 있는 RF 스위치가 개시된다. 본 발명에 의한 RF 스위치는, 구동전원의 일단자와 연결되는 제1전극유닛; 상기 구동전원의 타단자와 연결되는 제2전극; 및 상기 구동전원으로부터 전원의 인가여부에 따라 상기 제1전극유닛 및 제2전극과 선택적으로 접촉되는 유전체;를 포함한다.
RF 신호손실, 유전체, 임피던스, 스위치-
公开(公告)号：KR100636823B1
公开(公告)日：2006-10-23
申请号：KR1020040112700
申请日：2004-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/00
CPC classification number: B81B7/007
Abstract: 본 발명에 의한 MEMS 소자 패키지는, MEMS 활성소자가 상면에 형성되어 있는 소자용 기판, MEMS 활성소자가 위치하는 공간을 제공하도록 MEMS 활성소자의 양측에 배치되며 MEMS 활성소자에 전기적으로 연결된 내부전극패드, 내부전극패드의 외곽에 배치되는 실링패드, 실링패드를 통하여 소자용 기판과 결합되며 내부전극패드에 위치하는 부분에 비아홀이 형성된 덮개용 기판, 그리고, 비아홀을 통하여 내부전극패드와 전기적인 접속을 이루도록 덮개용 기판의 상면에 형성된 외부전극패드를 포함한다. 내부전극패드와 실링패드는 Au으로 형성되며, 따라서, 소자용 기판과 덮개용 기판은 실링패드에 의해 Au-Au 다이렉트 본딩된다.
MEMS, 소자, 패키지, 웨이퍼, 기판, 비아홀, Au, 전극, 실링Abstract translation: 根据本发明的MEMS器件封装包括：用于元件的衬底，其具有形成在其上表面上的MEMS有源元件;内部电极焊盘，布置在MEMS有源元件的两侧并且电连接到MEMS有源元件; 加上通过密封垫的元件基板，密封垫通孔设置在所述电极焊盘的电极焊盘，并通过部分覆盖基板的电连接，和一个外用于通路孔中的电极焊盘的位置处形成 并且在覆盖基板的上表面上形成外部电极焊盘。 内部电极焊盘和密封焊盘由Au形成，使得用于器件的衬底和用于盖的衬底通过密封垫直接结合Au-Au。
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公开(公告)号：KR100631214B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020050069379
申请日：2005-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A balance filter packaging chip with balun and a manufacturing method thereof are provided to simplify the process by forming the balun on the packaging substrate. A balance filter packaging chip with balun comprises a device substrate(380), a balance filter(390), a bonding layer(400), a packaging substrate(310), a balun and an insulator layer(360). The balance filter(390) is mounted on the device substrate(380). The bonding layer(400) is accumulated in the predetermined area of the device substrate(380). The packaging substrate(310) forms a cavity on the top of the balance filter(390) and is coupled with the device substrate(380) by the bonding layer(400). The packaging substrate(310) includes at least one via hole(330), a metal layer(320) and at least one electrode(340). The via hole(330) penetrates the packaging substrate(310). The metal layer(320) connects the via hole(330) to the bonding layer(400). The electrode(340) is electrically connected to the via hole(330) on the top of the packaging substrate(310). The balun includes a capacitor(350) and an inductor(370) and is located at the predetermined area of the packaging substrate(310). The insulator layer(360) performs the passivation of the balun.
Abstract translation: 提供一种具有平衡 - 不平衡变压器的平衡滤波器封装芯片及其制造方法，以通过在封装基板上形成平衡 - 不平衡转换器来简化该过程。 具有平衡器的平衡滤波器封装芯片包括器件衬底（380），平衡滤波器（390），接合层（400），封装衬底（310），平衡 - 不平衡变换器和绝缘层（360）。 平衡滤波器（390）安装在器件衬底（380）上。 结合层（400）堆积在器件基板（380）的预定区域中。 封装基板（310）在平衡滤波器（390）的顶部上形成空腔并且通过粘结层（400）与器件基板（380）耦合。 封装基板（310）包括至少一个通孔（330），金属层（320）和至少一个电极（340）。 通孔（330）穿透封装基板（310）。 金属层（320）将通孔（330）连接至接合层（400）。 电极（340）电连接到封装衬底（310）顶部上的通孔（330）。 平衡 - 不平衡变换器包括电容器（350）和电感器（370）并位于封装基板（310）的预定区域。 绝缘层（360）执行平衡 - 不平衡变换器的钝化。
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