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公开(公告)号：KR100211641B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019950052896
申请日：1995-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 스퍼터링과 같이 반도체장치를 제조하기 위한 공정챔버의 내부상태를 정상적인 공정조건으로 설정하기 위하여 수행되는 일련의 과정을 자동으로 연속수행시키는 반도체장치 제조설비의 예방유지공정 수행방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체장치를 제조하기 위하여 구비된 공정챔버가 개방된 후 상기 공정챔버 내부의 공정조건정상화를 위하여 진행되는 반도체장치 제조설비의 예방유지공정(Preventive maintwnanc) 수행방법에 있어서, 상기 공정챔버 내부의 공정조건정상화를 위하여 수행되는 복수의 공정이 자동으로 연속수행됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 공정수행을 위한 공정챔버 내부의 공정조건이 해제된 경우 또는 변경된 경우 이를 공정에 적당한 조건으로 재설정하기 위한 예방유지공정이 자동으로 연속수행되므로써 공정효율 및 관리가 개선될 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019990049309A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970068237
申请日：1997-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 접속 구멍이 노출되는 종래의 칩 패드는 접속 구멍의 내측벽에 근접한 배선 패턴층이 보호층을 형성한 이후에 보호층을 경화하는 과정에서 보호층의 수축 작용에 의해 끊어지거나, 그로 인하여 보호층을 제거하는 사진 식각 공정에서 포토레지스트를 제거하는 에싱/스트립 공정에 사용되는 화학 약품에 의해 발생될 수 있는 외부에 노출되는 배선 패턴층과 그 아래의 배선 패턴층 사이의 박리 현상을 억제하기 위하여, 반도체 소자를 형성하기 위한 실리콘 기판이 구비된 상태에서, 제 1 배선 패턴층과, 제 1 배선 패턴층 둘레에 형성된 절연층과, 제 1 배선 패턴층과 절연층 상에 형성된 제 2 배선 패턴층 및 제 1 배선 패턴층 상부의 제 2 배선 패턴층의 일부가 노출되게 형성된 보호층이 실리콘 기판 � ��에 형성되며, 접속 구멍의 내측벽에 형성된 제 2 배선 패턴층이 보호층에 덮여 있는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 특히, 본 발명에 따른 접속 구멍의 내측벽에 형성된 제 2 배선 패턴층을 덮고 있는 보호층을 두껍게 형성하기 위하여 밖으로 돌출되게 형성한 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100200499B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950061322
申请日：1995-12-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 노태효
IPC: H01L21/28
Abstract: 콘택 홀의 단차 피복성(step coverage)을 향상시킬수 있도록 한 반도체 소자의 금속배선막 형성방법이 개시된다. 반도체 기판 상에 콘택 홀이 구비된 절연막을 형성한 후, 금속 타깃과 기판 간의 간격이 120 ~ 300mm이고, 0.7mTorr 이하의 저압 유지가 가능하도록 설계된 롱스로우 스퍼터 챔버를 이용하여 저온·저압하에서 진공 스퍼터링법으로 상기 콘택 홀이 구비된 상기 절연막 상에 소정 두께의 제1금속막을 형성한다. 이어, 상기 진공을 깨지 않고, 제1금속막의 용융점 이하의 온도에서 상기 제1금속막을 일정시간 동안 열처리하여 콘택 홀을 상기 제1금속 막으로 매립하고, 상기 제1금속막 상에 소정 두께의 제2금속막을 형성하여 제1 및 제2금속막으로 이루어진 금속배선막을 형성한다. 그 결과, 웨이퍼의 중심부와 에지부에서 콘택 홀 내에 채워지는 제1금속막을 모두 대칭 구조로 가져갈수 있게 되므로, 열처리 공정 적용없이 롱스루우 스퍼터 챔버만을 이용하여 금속배선막을 형성할 때 야기되던 공정 불량(예컨대, 웨이퍼의 중심부와 에지부에서 콘택홀 내에 채워지는 금속막의 퇴적 형성이 비대칭으로 나타나는 불량) 발생을 미연에 방지할 수 있게 되어 콘택 홀의 단차 피복성을 향상시킬 수 있게 된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980026266A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960044634
申请日：1996-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 이온주입 시스템을 이루는 각 서브 시스템의 설치 디자인을 변경한 반도체소자 제조용 이온주입 시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 이온빔의 경로를 따라 이온 발생기, 이온 추출기, 이온 변환기, 이온 질량분석기, 이온 가속기, 텐디트론챔버, 전하필터 및 웨이퍼가 위치하여 이온빔이 주입되는 엔드 스테이션이 순차적으로 구성된 반도체소자 제조용 이온주입 시스템에 있어서, 이온빔 경로상 상기 텐디트론챔버 이전부분과 이후부분이 반도체소자 제조설비의 상,하층에 분리설치되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 반도체 제조라인 내에서 단위설비의 점유면적이 감소하여 설비의 고가격화 및 고기능화에 부응하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100236710B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019960039407
申请日：1996-09-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171
Abstract: 이온주입 시스템을 이루는 각 서브 시스템의 설치 디자인을 변경한 반도체소자 제조용 이온주입 시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 이온빔의 경로를 따라 이온 발생기, 이온 추출기, 이온 변환기, 이온 질량분석기, 이온 가속기, 이온 집속기 및 웨이퍼가 위치하여 이온빔이 주입되는 엔드 스테이션이 순차적으로 구성된 반도체소자 제조용 이온주입 시스템에 있어서, 이온빔 경로상 상기 이온 질량분석기 이전부분과 이후부분이 반도체소자 제조설비의 상,하층에 분리설치되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 반도체 제조라인 내에서 단위설비의 점유면적이 감소하여 설비의 고가격화 및 고기능화에 부응하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980020808A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960039407
申请日：1996-09-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 이온주입 시스템을 이루는 각 서브 시스템의 설치 디자인을 변경한 반도체소자 제조용 이온주입 시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 이온빔의 경로를 따라 이온 발생기, 이온 추출기, 이온 변환기, 이온 질량분석기, 이온 가속기, 이온 집속기 및 웨이퍼가 위치하여 이온빔이 주입되는 엔드 스테이션이 순차적으로 구성된 반도체소자 제조용 이온주입 시스템에 있어서, 이온빔 경로상 상기 이온 질량분석기 이전부분과 이후부분이 반도체소자 제조설비의 상,하층에 분리설치되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 반도체 제조라인 내에서 단위설비의 점유면적이 감소하여 설비의 고가격화 및 고기능화에 부응하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980015712A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035148
申请日：1996-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 노태효
IPC: H01L21/48
Abstract: 반도체장치 제조공정이 수행되는 공정챔버 내부에 크라이오 트랩을 설치하여 단시간 내에 진공상태를 원하는 수준으로 설정할 수 있도록 개선시킨 반도체 공정용 진공시스템에 관한 것이다.
본 발명은 러프 진공 펌프(Rough Vacuum Pump)와 고진공 펌프(High Vacuum Pump)가 설치되어 공정챔버 내부를 진공상태로 설정 및 유지시키는 반도체 공정용 진공시스템에 있어서, 상기 공정챔버 내부에 크라이오 트랩(Cryo Trap)이 설치됨으로써 직접 냉각 및 응축 방식으로 상기 공정챔버 내부 진공상태를 설정하도록 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 반도체장치 제조에 필요한 공정기간을 단축시켜서 반도체장치의 생산성 및 수율이 극대화되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980014337A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960033272
申请日：1996-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 노태효
IPC: H01L21/28
Abstract: 콘택이 형성된 웨이퍼의 후속공정으로서 배리어 메탈(Barrier Metal) 증착, 어닐링(Annealing), 메탈막으로서의 알루미늄 증착, 평탄화 및 캡공정과 같은 순차적인 공정이 자동으로 연속진행되도록 개선시킨 반도체장치 제조를 위한 메탈공정 자동화 시스템에 관한 것이다.
본 발명은 콘택이 형성된 웨이퍼에 메탈을 증착시키는 반도체장치 제조를 위한 메탈공정 자동화 시스템에 있어서, 로딩챔버, 복수 개의 메탈막 증착챔버, 어닐링 챔버, 평탄화 챔버, 쿨링챔버가 중앙의 로드로크 챔버를 통하여 결합되고, 메탈 증착을 위한 일련으로 공정을 수행하기 위한 상기 각 챔버간의 웨이퍼의 이송이 상기 로드로크 챔버 내부의 이송로봇에 의하여 수행되도록 구성되어 있다.
따라서, 메탈공정을 위한 복수의 공정이 일련의 자동화되어 생산성 및 수율이 극대화되고, 반도체장치 제조 공간활용도 개선되는 효과가 있다.
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