公开(公告)号：KR1020010084501A

公开(公告)日：2001-09-06

申请号：KR1020000009588

申请日：2000-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구경모 ,  엄현일

IPC: H01L21/3213

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to reduce a manufacturing cost by performing a salicidation process of one step instead of a salicidation process of two steps. CONSTITUTION: An active region and a field region are defined on a silicon substrate(30) by forming a field oxide layer(31). A gate electrode(32), a spacer(33), and a doping region(34) are formed on the active region. Nickel is applied on an upper portion of the silicon substrate(30) by using a chemical vapor deposition method. A TiN thin film is formed as a capping layer by sputtering a titanium under a nitrogen gas atmosphere. A gate electrode and a doping region are formed and a Co-Ni-Si compound is formed on an upper portion of the substrate(30) of the exposed doping region by performing a salicidation process. The remaining non-reaction components are removed by using a wet-etching solution. A silicide compound(44) remains only on the doping region and an upper portion of the gate electrode(32). An insulating layer is formed by applying an insulating material thereon. A silicide region is exposed by etching the insulating layer. A wiring is formed by depositing and etching a metal material thereon.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，通过进行一步的盐析处理而不是两步的盐析处理来降低制造成本。 构成：通过形成场氧化物层（31），在硅衬底（30）上限定有源区和场区。 在有源区上形成栅电极（32），间隔物（33）和掺杂区（34）。 通过使用化学气相沉积法将镍施加在硅衬底（30）的上部。 通过在氮气气氛下溅射钛，形成TiN薄膜作为覆盖层。 形成栅电极和掺杂区，并通过进行盐析处理在曝光的掺杂区的衬底（30）的上部上形成Co-Ni-Si化合物。 通过使用湿蚀刻溶液除去剩余的非反应组分。 硅化合物（44）仅保留在掺杂区域和栅电极（32）的上部。 通过在其上施加绝缘材料形成绝缘层。 通过蚀刻绝缘层来暴露硅化物区域。 通过在其上沉积和蚀刻金属材料形成布线。

公开(公告)号：KR1020000066420A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990013503

申请日：1999-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구경모 ,  김병수 ,  엄현일

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a metal contact of a semiconductor device is provided to stably prevent a diffusion from a contact part to the inside of silicon metal by forming a monocrystal cobalt silicide layer on an interface between a silicon layer and a cobalt layer. CONSTITUTION: A contact window is formed on an insulating layer. A titanium layer(23), a cobalt layer(25) and a titanium nitride layer(24) are sequentially stacked. An annealing process is performed to form a cobalt silicide layer(CoSi2)(28) between the titanium layer and a silicon substrate. Tungsten(26) is stacked.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的金属接触的方法，以通过在硅层和钴层之间的界面上形成单晶钴硅化物层来稳定地防止从接触部分向硅金属内部的扩散。 构成：在绝缘层上形成接触窗。 依次堆叠钛层（23），钴层（25）和氮化钛层（24）。 进行退火处理以在钛层和硅衬底之间形成钴硅化物层（CoSi 2）（28）。 钨（26）堆叠。

公开(公告)号：KR100174988B1

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019950056602

申请日：1995-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정희 ,  엄현일

IPC: C23C14/35

Abstract: 본 발명은 스퍼터링 공정시 플라즈마(Plasma) 형성이 취약한 타켓의 일부분에서 그을음이 발생되는 것을 방지하도록 한 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 웨이퍼상에 증착하기 위한 물질로 이루어진 타켓과, 상기 타켓에 자계를 형성하기 위한 자석을 진공사태의 챔버내에 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 타켓의 가장자리부를 포함하는 전체에 걸쳐 자계가 형성되어 플라즈마 지역이 타켓의 전체에 걸쳐 형성되도록 단면이 ㄷ형상의 타켓 및 상기 타켓에 대응하는 ㄷ형상의 자석을 구비하여 이루어지는 구성인 것이다.
따라서 타켓 전체에 걸쳐 플라즈마에 의한 스퍼터링이 이루어지게 됨으로써 타켓에 그을음이 생기는 것이 방지되는 것이고, 이로써 스퍼터링 공정시 그을음에 의한 불량발생이 미연에 방지되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100706810B1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：KR1020060011850

申请日：2006-02-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영선 ,  엄현일 ,  안현수 ,  정영석 ,  최해문

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

Abstract: 박막 형성 장치를 세정하는 방법이 제공되는 데, 박막의 증착을 완료한 후, 공정 챔버 내의 온도를 크게 하강시키지 않고 세정가스를 짧은 시간 간격으로 반복적으로 공정 챔버 내부로 유입시켜 챔버 내에 잔류하는 막질을 제거하며, 세정 중에 퍼지가스가 공급될 수 있다. 본 발명에 따르면, 박막 형성 장치에 대한 손상과 공정시간의 지연을 최소화할 수 있으며, 박막 형성 장치의 유지 보수가 간단하고, 박막 형성 공정의 생산성을 향상할 수 있다.
박막 형성 장치.

Abstract translation: 提供了一种用于清洁薄膜形成设备的方法，包括：在完成薄膜沉积之后，以短时间间隔重复地向处理室中引入清洁气体，而不显着降低处理室中的温度， 清洁过程中可以提供清洁气体。 根据本发明，可以使对薄膜形成装置的损伤和处理时间的延迟最小化，薄膜形成装置的维护简单，并且可以提高薄膜形成工艺中的生产率。

公开(公告)号：KR1020030097567A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1020020036010

申请日：2002-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구경모 ,  원제형 ,  박상욱 ,  엄현일 ,  정선혁

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  Y10S438/906

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a barrier layer of a semiconductor device is provided to eliminate the impurities like fluorine or boron included in the surface portion of a substrate and to reduce contact resistance by performing the first hydrogen plasma treatment process in a chemical vapor deposition(CVD) chamber or a plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD) chamber before a refractory metal layer used as a barrier layer is deposited. CONSTITUTION: Hydrogen plasma including at least one kind of inert gas is biased with radio frequency(RF) bias power to make the hydrogen plasma face a silicon wafer while the surface of the silicon wafer is processed by using the hydrogen plasma. The RF bias power is from 50 to 900 Watts.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的阻挡层的方法，以消除包含在衬底的表面部分中的诸如氟或硼的杂质，并且通过在化学气相沉积中进行第一氢等离子体处理工艺来降低接触电阻（ CVD）室或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）室，在沉积用作阻挡层的难熔金属层之前。 构成：包括至少一种惰性气体的氢等离子体用射频（RF）偏置功率偏置，以使氢等离子体面向硅晶片，同时通过使用氢等离子体处理硅晶片的表面。 RF偏置功率为50至900瓦特。

公开(公告)号：KR1019970051986A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052896

申请日：1995-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 엄현일 ,  노태효 ,  이정희 ,  최승철

IPC: H01L21/20

公开(公告)号：KR1019970023948A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950037821

申请日：1995-10-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 엄현일 ,  최진호

IPC: H01L21/66

Abstract: 금속층상에 형성되는 티타늄나이트라이드 막질 특성을 검사하는 방법이 개시되어 있다.
본 발명에 의한 검사방법은, 금속층상에 티타늄나이트라이드막을 형성한 후 상기 티타늄나이트라이드막의 막질을 검사하는 방법에 있어서, 상기 티타늄나이트라이드막을 형성한 후 금속패턴을 위한 사진식각공정을 수행함이 없이 직접 현상액에 담근 후 막질의 불량여부를 검사하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 고가의 장비나 많은 시간을 소비하지 않고도 정확히 티타늄나이트라이드 막질특성을 검사할 수 있다는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050024682A

公开(公告)日：2005-03-11

申请号：KR1020030060764

申请日：2003-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구경모 ,  엄현일 ,  정선혁 ,  이효범

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A process chamber for fabricating a semiconductor for sensing easily an internal temperature thereof is provided to detect accurately a temperature of a semiconductor wafer and display the sensed temperature by installing a temperature sensor in the inside of the process chamber. CONSTITUTION: A process chamber is used for processing a semiconductor wafer loaded in a limited reaction space. The process chamber includes a plurality of temperature sensors(210,220) which are installed in the limited reaction space to sense a temperature within the limited reaction space. A display device is used for displaying the temperature detected by the temperature sensors. The temperature sensors are formed with infrared cameras.

Abstract translation: 目的：提供用于制造用于容易地感测其内部温度的半导体的处理室，以通过在处理室的内部安装温度传感器来精确地检测半导体晶片的温度并显示感测的温度。 构成：处理室用于处理装载在有限反应空间中的半导体晶片。 处理室包括多个温度传感器（210,220），其安装在有限反应空间中以感测受限反应空间内的温度。 显示装置用于显示由温度传感器检测到的温度。 温度传感器由红外摄像机形成。

公开(公告)号：KR100439474B1

公开(公告)日：2004-07-09

申请号：KR1020010056238

申请日：2001-09-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영규 ,  엄현일 ,  신재광 ,  김성구

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3402

Abstract: A sputtering apparatus includes a sputtering chamber, a target disposed in the sputtering chamber, and a magnetic field generator for generating a rotating magnetic field at the front of the target. The magnetic field generator includes a main magnetic field-generating part that faces the back of the target and is horizontally (laterally) offset from a vertical line passing through the center of the target. A magnetic annule of the main magnetic field-generating part forms a magnetic enclosure having openings therethrough at locations faced in the directions of the central and peripheral portions of the target. The magnetic field-generating part thus produces a magnetic field having a non-uniform distribution at the front of the target. A substrate is positioned within the sputtering chamber facing the front of the target. A metal layer is formed by sputtering atoms from the front of the target onto the substrate. The behavior of the sputtered atoms can be effectively controlled by the magnetic field.

Abstract translation: 溅射设备包括溅射室，设置在溅射室中的靶以及用于在靶的前部产生旋转磁场的磁场发生器。 磁场发生器包括主磁场产生部分，该主磁场产生部分面向目标的背面并且水平（横向）偏离穿过目标中心的垂直线。 主磁场产生部分的磁环在朝向靶的中心部分和周边部分的方向的位置处形成具有穿过其中的开口的磁性外壳。 因此，磁场产生部件在目标的前部产生具有不均匀分布的磁场。 衬底定位在溅射室内面向靶的前部。 金属层通过从靶的前方将原子溅射到基板上而形成。 溅射原子的行为可以通过磁场有效控制。

公开(公告)号：KR1019980015266A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960034522

申请日：1996-08-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최진호 ,  엄현일 ,  이민수 ,  박영훈

IPC: H01L21/28

Abstract: 콜리메이터를 이용하여 콘택홀을 신뢰성 있게 매립할 수 있는 반도체장치의 콘택 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이 방법은, 반도체기판 상에 형성된 층간절연막에 콘택홀을 형성하는 단계와, 콘택홀이 형성된 결과물 상에, 콜리메이터 스퍼터링(collimator sputtering) 방법을 사용하여 티타늄(Ti)을 증착하는 단계와, 티타늄이 증착된 결과물을 산소(O
2 ) 중에 노출시키는 단계와, 티타늄막 상에 콜리메이터 스퍼터링 방법을 사용하여 티타늄 나이트라이드(TiN)를 증착하는 단계 및 티타늄 나이트라이드층 위에 배선물질을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 산소가 티타늄 나이트라이드 막질내에 균일하게 분포하도록하여 배선금속이 반도체기판으로 확산되는 것을 억제함으로써, 배선금속의 확산에 의한 접합 스파이킹 현상을 방지하여 신뢰성있는 콘택을 형성할 수 있다.