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公开(公告)号：KR100536580B1
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：KR1019980039516
申请日：1998-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
Abstract: 본 발명은 타켓과 냉각수와의 접촉면적을 넓혀 타켓의 냉각효율을 높일 수 있도록 된 것으로, 이는 플레이트 저면에 부착되어 냉각수와 접촉되는 타켓의 이면에 냉각수와의 접촉면적을 넓히기 위한 골을 형성하여서, 공정 수행중 타켓에서 발생되는 열을 효율적으로 냉각할 수 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR1019990086796A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980019942
申请日：1998-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명은 자력을 이용하여 구동되는 반도체 진공설비의 자석구동장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 진공설비의 자석구동장치는, 진공공간을 갖는 공정챔버의 내부에 설치되어 일정한 경로를 따라 이동하는 가동체를 상기 진공공간의 외부에 설치된 동작부로 구동시키는 반도체 진공설비의 자석구동장치에 있어서, 상기 가동체에 피동자석을 설치하고, 상기 동작부에 상기 능동자석을 설치하며, 상기 동작부의 동작으로 상기 능동자석을 동작시킴으로써 상기 피동자석과 상기 능동자석 사이의 자력에 의해 상기 가동체를 움직이도록 하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 부품의 내구성을 향상시키고, 실링성능을 향상시키며, 웨이퍼의 수율을 높이는 효과를 갖는다.-
公开(公告)号：KR1019990049309A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970068237
申请日：1997-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 접속 구멍이 노출되는 종래의 칩 패드는 접속 구멍의 내측벽에 근접한 배선 패턴층이 보호층을 형성한 이후에 보호층을 경화하는 과정에서 보호층의 수축 작용에 의해 끊어지거나, 그로 인하여 보호층을 제거하는 사진 식각 공정에서 포토레지스트를 제거하는 에싱/스트립 공정에 사용되는 화학 약품에 의해 발생될 수 있는 외부에 노출되는 배선 패턴층과 그 아래의 배선 패턴층 사이의 박리 현상을 억제하기 위하여, 반도체 소자를 형성하기 위한 실리콘 기판이 구비된 상태에서, 제 1 배선 패턴층과, 제 1 배선 패턴층 둘레에 형성된 절연층과, 제 1 배선 패턴층과 절연층 상에 형성된 제 2 배선 패턴층 및 제 1 배선 패턴층 상부의 제 2 배선 패턴층의 일부가 노출되게 형성된 보호층이 실리콘 기판 � ��에 형성되며, 접속 구멍의 내측벽에 형성된 제 2 배선 패턴층이 보호층에 덮여 있는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 특히, 본 발명에 따른 접속 구멍의 내측벽에 형성된 제 2 배선 패턴층을 덮고 있는 보호층을 두껍게 형성하기 위하여 밖으로 돌출되게 형성한 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019970030550A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950040265
申请日：1995-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 반도체 소자의 박막형성공정 프로그램의 자동보정 시스템에 대하여 기재하고 있다. 본 발명은 반도체 소자의 박막형성 프로그램에 의해 박막형성장비에서 형성된 박막의 두께를 측정하는 박막두께 측정부; 상기 박막두께 측정부로부터 두께정보를 제공받아 전기적 신호로 변환시켜 출력하는 전기신호 변환부; 및 상기 전기신호 변환부에서 변환된 신호를 제공받아 소정의 기준치와 비교/판단하여 상기 박막형성공정 프로그램의 공정변수를 증가시키라는 제1신호 또는 공정변수를 감소시키라는 제2신호를 선택적으로 출력하여 상기 박막형성 프로그램을 보정함으로써 상기 박막형성장비를 제어하는 비교/판단부; 를 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 박막형성공정 프로그램의 자동보정 시스템을 제공한다. 본 발명에 의하면 반도체 소자의 박막형성공정 프로그램의 자동보정시스템을 이용하여 공정 웨이퍼마다 발생하는 두께편차를 신속하고 정확하게 보정할 수 있으므로 단일 웨이퍼 간에, 또는 배치(batch) 웨이퍼 간에 형성되는 금속박막두께를 착오나 지연없이 균일하게 유지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020000052104A
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：KR1019990002959
申请日：1999-01-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
Abstract: PURPOSE: An improved collimator and a method for making thereof in a sputtering apparatus are provided to prevent deformation of the collimator caused by a difference in a thermal stress between a collimating region and a non-collimating region. CONSTITUTION: In a sputtering apparatus including a target(10) and a wafer(30), a collimator(20) is disposed between the target(10) and the wafer(30). In particular, the collimator(20) capable of collimating metallic particles sputtered from the target(10) to the wafer(30) has a reduced size in due consideration of actual collimating operation. Accordingly, there never occur any thermal stress in the collimator(20), and thereby undesirable deformation of the collimator(20) is effectively prevented. Furthermore, a ring-shaped shield coring(40) having plural hole(42) is equipped under peripheries of the collimator(20). In a fabrication of the collimator(20), an original circular plate is provided, and then plural holes are formed in the original circular plate. The holes are then processed into hexagonal holes by employing a proper tool such as a laser.
Abstract translation: 目的：提供一种改进的准直器及其在溅射装置中的制造方法，以防止由准直区域和非准直区域之间的热应力差引起的准直仪的变形。 构成：在包括靶（10）和晶片（30）的溅射装置中，准直器（20）设置在靶（10）和晶片（30）之间。 特别地，能够将从靶（10）溅射的金属颗粒准直到晶片（30）的准直器（20）在适当考虑实际的准直操作时具有减小的尺寸。 因此，准直仪（20）中不会发生热应力，有效地防止准直仪（20）的不期望的变形。 此外，在准直器（20）的周边配备有具有多个孔（42）的环形护罩芯（40）。 在准直器（20）的制造中，设置原始圆形板，然后在原始圆形板中形成多个孔。 然后通过使用诸如激光器的适当工具将孔加工成六角形孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100165470B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950040265
申请日：1995-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: C23C14/545 , C23C16/52
Abstract: 반도체 소자의 박막형성공정 프로그램의 자동보정 시스템에 대하여 기재하고 있다. 본 발명은 반도체 소자의 박막형성 프로그램에 의해 박막형성장비에서 형성된 박막의 두께를 측정하는 박막두께 측정부; 상기 박막두께 측정부로부터 두께 정보를 제공받아 전기적 신호로 변환시켜 출력하는 전기신호 변화부; 및 상기 전기신호 변환부에서 변환된 신호를 제공받아 소정의 기준치와 비교/ 판단하여 상기 박막형성공정 프로그램의 공정변수를 증가시키라는 제1신호 또는 공정 변수를 감소시키라는 제2신호를 선택적으로 출력하여 상기 박막 형성 프로그램을 보정함으로써 상기 박막형성장비를 제어하는 비교/판단부;를 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 박막형성공정 프로그램의 자동보정 시스템을 제공한다. 본 발명에 의하면 반도체 소자의 박막형성공정 프로그램의 자동보정시스템을 이용하여 공정 웨이퍼마다 발생하는 두께편차를 신속하고 정확하게 보정할 수 있으므로 단일 웨이퍼 간에, 또는 배치(batch)웨이퍼 간에 형성되는 금속박막두께를 착오나 지연없이 균일하게 유지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100163550B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950039891
申请日：1995-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768
Abstract: 본 발명은 진공증착기를 사용하여 배선막을 반도체기판상에 형성하는 반도체장치의 배선막형성방법에 관한 것으로서, 그 방법은 상기 진공증착기의 수분제거용 챔버내에서 가스제거를 실행하는 공정과; 상기 수분제거용 챔버내의 온도를 저온으로 떨어 뜨려서 반도체기판자체의 온도를 저하시키는 냉각공정과; 실온에서 배선막을 콘택홀내에 그리고 반도체기판상에 증착하는 증착공정을 포함한다. 상술한 방법에 의하면, 배선막의 증착공정이 실행될 때, 증착용 챔버내의 온도가 실온으로 항상 유지될 수 있기 때문에 정상적인 리플로우 마진과 그리고 스텝 커버리지가 양호한 배선막이 형성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980020177A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960038538
申请日：1996-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
Abstract: 본 발명은 스퍼터링 공정시 콜리메이터(collimator) 코아의 하측부 에지에 금속 덩어리가 적층되는 것을 방지하도록 콜리메이터 코아의 하단부를 곡형으로 형성한 스퍼터링 장치용 콜리메이터 코아의 구조에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 콜리메이터 코아의 하측부에 타겟의 입자들이 적층되어 금속 덩어리를 형성하는 것을 방지하여 스퍼터링 공정의 신뢰성을 향상시키도록 한 스퍼터링 장치용 콜리메이터 코아의 구조를 제공하는데 있다.
본 발명은 콜리메이터 코아의 하단부 에지를 구형 또는 포물선 형태와 같은 곡형으로 형성하여 타겟으로부터 튀어나온 입자들이 코아 에지에 덩어리로 적층되는 것을 감소시키고 이로 인해 금속 덩어리의 떨어짐에 의한 웨이퍼의 결함 발생을 방지하여 스퍼터링 공정의 신뢰성을 향상시킨다.-
公开(公告)号：KR1019980020176A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960038537
申请日：1996-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/285
Abstract: 본 발명은 스퍼터링 콜리메이터 코아들을 일체로 형성하여 코아들의 본딩부 분리에 따른 재사용 횟수의 감소와, 본딩부에서의 파티클 발생에 따른 결함의 증가를 방지하도록 한 일체형 스퍼터링 콜리메이터 코아에 에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 콜리메이터 코아들을 반영구적으로 사용하여 원가절감을 이룩하고 신뢰성을 향상하도록 한 일체형 스퍼터링 콜리메이터 코아를 제공하는데 있다.
본 발명은 스퍼터링 콜리메이터 코아들을 스폿 본딩에 의해 본딩하지 않고 일체로 형성하여 코아의 디캡시 또는 스퍼터링공정시 본딩부에서 코아가 분리되고 파티클이 발생하는 것을 방지함으로써 콜리메이터 코아를 반영구적으로 사용하여 원가절감을 이룩하고 파티클에 의한 웨이퍼 오염을 방지하여 스퍼터링 공정의 신뢰성을 향상시킨다. -
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