-
公开(公告)号：KR1019970052411A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950061322
申请日：1995-12-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 노태효
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 평탄한 금속층 형성방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 기판 상에 형성되고, 1 이상의 아스펙트 레이트를 가지는 콘택홀이 형성된 절연막 상에 평탄한 금속층을 형성하는 방법에 있어서, 금속원자가 높은 표면이동거리를 가지는 저온상태와, 분리된 원자의 산란 또는 충돌을 최소화할 수 있는 저압상태로 유지된 진공 챔버내에서, 타켓과 기판의 거리가 긴 롱스로우 스퍼터링 방식에 의해 상기 절연막, 콘택홀의 측벽 및 바닥에 상기 콘택홀 직경의 1/2이하의 두께로 균일하게 금속층을 침적시키는 단계; 및 진공상태를 유지하면서, 상기 금속의 용융점 미만의 소정 온도범위에서, 상기 콘택홀 주변에 침적된 금속원자가 상기 콘택홀내로 리플로우되어 콘택홀이 대체적으로 채워지도록 침적된 금속층을 리플로우시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 웨이퍼 중심과 엣지의 비대칭으로 인한 수율감소 및 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100249047B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970068237
申请日：1997-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보호층의 사진 식각 공정에 의해 접속 구멍이 노출되는 종래의 칩 패드는 접속 구멍의 내측벽에 근접한 배선 패턴층이 사진 식각 공정에 사용되는 포토레지스트의 제거 공정에 사용되는 화학 약품에 의해 손상되거나, 폴리이미드 층과 같은 보호층을 형성한 이후의 경화 공정에서 폴리이미드 자체의 수축 작용에 의해 끊어지는 불량을 억제하기 위하여, 반도체 소자를 형성하기 위한 실리콘 기판이 구비된 상태에서, 제 1 배선 패턴층과, 제 1 배선 패턴층 둘레에 형성된 절연층과, 제 1 배선 패턴층과 절연층 상에 형성된 제 2 배선 패턴층 및 제 1 배선 패턴층 상부의 제 2 배선 패턴층의 일부가 노출되게 형성된 보호층이 실리콘 기판 상에 형성되며, 접속 구멍의 내측벽에 형성된 제 2 배선 패턴층이 � ��호층에 덮여 있는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
-
公开(公告)号：KR1020000008546A
公开(公告)日：2000-02-07
申请号：KR1019980028417
申请日：1998-07-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: A method of etching a tungsten oxide layer using a radio frequency etching is provided to prevent creation of impurity particles by controlling bias voltage in a reacting chamber. CONSTITUTION: The method comprises the steps of loading a semiconductor substrate into a reacting chamber for radio frequency etching, wherein a tungsten plug is formed in the semiconductor substrate; forming plasma on the semiconductor substrate in the reacting chamber; and supplying radio frequency power to the semiconductor substrate to make positive ion in the plasma sputter a tungsten oxide layer formed on the tungsten plug in a constant cycle, where the bias voltage in the reacting chamber is less than 100 volt to 300 volt.
Abstract translation: 目的：提供使用射频蚀刻来蚀刻氧化钨层的方法，以通过控制反应室中的偏置电压来防止产生杂质颗粒。 构成：该方法包括以下步骤：将半导体衬底装载到用于射频蚀刻的反应室中，其中在该半导体衬底中形成钨插塞; 在反应室中的半导体衬底上形成等离子体; 并向半导体衬底提供射频功率以使等离子体中的正离子以恒定周期溅射形成在钨插塞上的氧化钨层，其中反应室中的偏置电压小于100伏至300伏。
-
公开(公告)号：KR1019990025483A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970047144
申请日：1997-09-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 금속증착 공정을 이용한 금속 배선을 형성하는 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판과 Al 금속 배선의 경계면에 Ti/Tin 순으로 증착된 베리어 메탈층의 특성을 강화하기 위하여 실리콘 기판의 컨텍트 홀에 Ti/TiN의 베리어 메탈층을 형성한 이후에 N
2 O 또는 O
3 플라즈마를 이용하여 베리어 메탈층의 상부를 플라즈마 처리한 이후에 컨텍트 홀에 Al을 증착하여 금속 배선을 형성하는 금속 배선 형성 방법이 개시되어 있다. 특히, 본 발명에서의 플라즈마 처리에 사용되는 플라즈마는 베리어 메탈층에 산소를 공급할 수 있는 N
2 O, O
3 인 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 금속 배선을 형성하는 공정은 플라즈마 처리 공정 이후에 N
2 분위기에서의 열처리 공정을 더 포함하기도 한다.-
公开(公告)号：KR1020010019991A
公开(公告)日：2001-03-15
申请号：KR1019990036673
申请日：1999-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A system for depositing a thin film is provided to form a pure thin film desired in a production line regardless of a processing order of respective wafers, by connecting a thin film deposition chamber and a process gas supplying parts with a plurality of process gas supplying pipes. CONSTITUTION: A thin film deposition chamber(10) forms a thin film in a specific layer of a wafer(1). A plurality of process gas supplying parts(20,30) supply predetermined process gas to the thin film deposition chamber. A plurality of process gas supplying pipes(21,31) connect the thin film deposition chamber with the respective process gas supplying parts by one-to-one correspondence.
Abstract translation: 目的：提供用于沉积薄膜的系统，以便通过将薄膜沉积室和工艺气体供应部件与多个处理气体连接而形成在生产线中期望的纯薄膜，而不管各个晶片的处理顺序如何 供应管道。 构成：薄膜沉积室（10）在晶片（1）的特定层中形成薄膜。 多个处理气体供给部件（20,30）向薄膜沉积室供给预定的处理气体。 多个工艺气体供给管道（21,31）将薄膜沉积室与相应的工艺气体供应部件一一对应地连接起来。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000026357A
公开(公告)日：2000-05-15
申请号：KR1019980043865
申请日：1998-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768
Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal multi-layer metal wiring of a semiconductor device is provided to simplify a manufacturing process by omitting an existing RF etching process before forming a conductive layer. CONSTITUTION: A method for forming a metal multi-layer metal wiring of a semiconductor device comprises the steps of: forming a metal layer on a semiconductor substrate; flattening the metal layer by a chemical-mechanical polishing; and forming a conductive layer on the flattened metal layer. The metal layer is formed with a tungsten. The conductive layer is formed with a titanium or an aluminum. In the process of forming the conductive layer, an existing RF etching process is omitted.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的金属多层金属布线的方法，以在形成导电层之前省略现有的RF蚀刻工艺来简化制造工艺。 构成：用于形成半导体器件的金属多层金属布线的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成金属层; 通过化学机械抛光使金属层平坦化; 并在平坦的金属层上形成导电层。 金属层由钨形成。 导电层由钛或铝形成。 在形成导电层的过程中，省略了现有的RF蚀刻工艺。
-
公开(公告)号：KR100234533B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019960044634
申请日：1996-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171
Abstract: 이온주입 시스템을 이루는 각 서브 시스템의 설치 디자인을 변경한 반도체소자 제조용 이온주입 시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 이온빔의 경로를 따라 이온 발생기, 이온 추출기, 이온 변환기, 이온 질량분석기, 이온 가속기, 텐디트론챔버, 전하필터 및 웨이퍼가 위치하여 이온빔이 주입되는 엔드 스테이션이 순차적으로 구성된 반도체소자 제조용 이온주입 시스템에 있어서, 이온빔 경로상 상기 텐디트론챔버 이전부분과 이후부분이 반도체소자 제조설비의 상,하층에 분리설치되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 반도체 제조라인 내에서 단위설비의 점유면적이 감소하여 설비의 고가격화 및 고기능화에 부응하는 효과가 있다.-
-
公开(公告)号：KR1020000018734A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980036479
申请日：1998-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: PURPOSE: A high density plasma insulating layer formation method is provided to prevent a detaching at interface between the high density plasma insulator and an oxide layer. CONSTITUTION: A method comprises the steps of forming a lower film(13) having a contact hole on a semiconductor substrate(11); forming a high density plasma insulator(15) to fill in the contact hole using a plasma apparatus; and removing a polymer(7) generated at interface of the high density plasma insulator(15) by etch-back in the same plasma apparatus by in-situ. The etch-back is performed by using an argon gas.
Abstract translation: 目的：提供高密度等离子体绝缘层形成方法，以防止在高密度等离子体绝缘体和氧化物层之间的界面处的分离。 构成：一种方法包括在半导体衬底（11）上形成具有接触孔的下膜（13）的步骤; 形成高密度等离子体绝缘体（15），以使用等离子体装置填充接触孔; 以及通过原位在相同的等离子体装置中通过回蚀去除在高密度等离子体绝缘体（15）的界面处产生的聚合物（7）。 通过使用氩气进行回蚀。
-
公开(公告)号：KR1019990086796A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980019942
申请日：1998-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명은 자력을 이용하여 구동되는 반도체 진공설비의 자석구동장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 진공설비의 자석구동장치는, 진공공간을 갖는 공정챔버의 내부에 설치되어 일정한 경로를 따라 이동하는 가동체를 상기 진공공간의 외부에 설치된 동작부로 구동시키는 반도체 진공설비의 자석구동장치에 있어서, 상기 가동체에 피동자석을 설치하고, 상기 동작부에 상기 능동자석을 설치하며, 상기 동작부의 동작으로 상기 능동자석을 동작시킴으로써 상기 피동자석과 상기 능동자석 사이의 자력에 의해 상기 가동체를 움직이도록 하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 부품의 내구성을 향상시키고, 실링성능을 향상시키며, 웨이퍼의 수율을 높이는 효과를 갖는다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.017 seconds)
